Substrat
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4H-N 8-Zoll-SiC-Substratwafer, Siliziumkarbid-Dummy, Forschungsqualität, 500 µm Dicke
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4H-N/6H-N SiC Wafer Forschungsproduktion Dummy-Qualität Dia150mm Siliziumkarbidsubstrat
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8 Zoll 200 mm Siliziumkarbid-SiC-Wafer 4H-N-Typ, Produktionsqualität, 500 µm Dicke
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Dia300x1,0mmt Dicke Saphirwafer C-Plane SSP/DSP
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8 Zoll 200 mm Saphirsubstrat, Saphirwafer, dünne Dicke 1SP 2SP 0,5 mm 0,75 mm
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8-Zoll-SiC-Siliziumkarbid-Wafer vom Typ 4H-N, 0,5 mm, kundenspezifisch poliertes Substrat in Produktionsqualität, Forschungsqualität
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HPSI-SiC-Wafer-Durchmesser: 3 Zoll, Dicke: 350 µm ± 25 µm für die Leistungselektronik
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Einkristall-Al2O3-Saphirwafer mit 99,999 % Durchmesser, 200 mm, 1,0 mm, 0,75 mm Dicke
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156 mm 159 mm 6 Zoll Saphirwafer für CarrierC-Plane DSP TTV
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C/A/M-Achse 4-Zoll-Saphirwafer, einkristallines Al2O3, SSP DSP-Saphirsubstrat mit hoher Härte
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3 Zoll hochreiner, halbisolierender (HPSI) SiC-Wafer, 350 µm, Dummy-Qualität, erstklassige Qualität
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P-Typ SiC-Substrat SiC-Wafer Dia2inch neues Produkt