Substrat
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4H-N 8 Zoll SiC-Substrat-Wafer Siliziumkarbid-Dummy Forschungsqualität 500 µm Dicke
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4H-N/6H-N SiC-Wafer, Forschungsproduktion, Dummy-Qualität, Durchmesser 150 mm, Siliziumkarbid-Substrat
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12 Zoll SIC-Substrat, Siliziumkarbid, erstklassige Qualität, Durchmesser 300 mm, große Größe 4H-N, geeignet für die Wärmeableitung von Hochleistungsgeräten
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Saphir-Wafer C-Plane SSP/DSP, Durchmesser 300 x 1,0 mm, Dicke
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8 Zoll 200 mm Saphirsubstrat Saphir hauchdünne Dicke 1SP 2SP 0,5 mm 0,75 mm
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8 Zoll SiC-Siliziumkarbid-Wafer 4H-N Typ 0,5 mm Produktionsqualität Forschungsqualität individuell poliertes Substrat
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HPSI SiC-Wafer, Durchmesser: 3 Zoll, Dicke: 350 µm ± 25 µm für Leistungselektronik
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Einkristall-Al2O3 99,999 % Saphir-Wafer mit 200 mm Durchmesser, 1,0 mm, 0,75 mm Dicke
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156 mm 159 mm 6 Zoll Saphir-Wafer für Träger C-Plane DSP TTV
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C/A/M-Achse 4-Zoll-Saphir-Wafer, Einkristall Al2O3, SSP DSP, Saphirsubstrat mit hoher Härte
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3 Zoll hochreiner halbisolierender (HPSI) SiC-Wafer, 350 µm, Dummy-Qualität, Prime-Qualität
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P-Typ SiC-Substrat SiC-Wafer Dia2inch neues Produkt