Substrat
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Siliziumkarbid-SiC-Barren 6 Zoll N Typ Dummy/Prime-Stärke kann individuell angepasst werden
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SiC-Barren vom Typ 4H-N, Dummy-Qualität, 2 Zoll, 3 Zoll, 4 Zoll, 6 Zoll, Dicke: > 10 mm
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HPSI-SiC-Wafer-Durchmesser: 3 Zoll, Dicke: 350 µm ± 25 µm für Leistungselektronik
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3 Zoll hochreiner, halbisolierender (HPSI) SiC-Wafer, 350 µm, Dummy-Qualität, erstklassige Qualität
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Sic-Substrat-Siliziumkarbid-Wafer 4H-N-Typ, hohe Härte, Korrosionsbeständigkeit, erstklassiges Polieren
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2-Zoll-6H-N-Siliziumkarbid-Substrat Sic-Wafer, doppelt poliert, leitend, erstklassige Mos-Qualität
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2-Zoll-Siliziumkarbidwafer 6H-N-Typ Prime Grade Research Grade Dummy Grade 330 μm 430 μm Dicke
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2-Zoll-Siliziumkarbidsubstrat 6H-N, doppelseitig poliert, Durchmesser 50,8 mm, Produktionsqualität, Forschungsqualität
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p-Typ 4H/6H-P 3C-N TYP SIC-Substrat 4 Zoll 〈111〉 ± 0,5°Null MPD
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SiC-Substrat P-Typ 4H/6H-P 3C-N 4 Zoll mit einer Dicke von 350 µm, Produktionsqualität, Dummy-Qualität
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4H/6H-P 6-Zoll-SiC-Wafer, Null-MPD-Qualität, Produktionsqualität, Dummy-Qualität
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P-Typ SiC-Wafer 4H/6H-P 3C-N 6 Zoll Dicke 350 μm mit primärer flacher Ausrichtung