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Welche Vorteile haben die Prozesse Through Glass Via (TGV) und Through Silicon Via, TSV (TSV) gegenüber TGV?
Die Vorteile der Verfahren „Through Glass Via“ (TGV) und „Through Silicon Via“ (TSV) gegenüber TGV sind hauptsächlich: (1) ausgezeichnete elektrische Hochfrequenzeigenschaften. Glasmaterial ist ein Isolatormaterial, die Dielektrizitätskonstante beträgt nur etwa 1/3 der von Siliziummaterial und der Verlustfaktor beträgt 2-...Mehr lesen -
Leitfähige und halbisolierte Siliziumkarbid-Substratanwendungen
Das Siliziumkarbid-Substrat ist in einen halbisolierenden Typ und einen leitfähigen Typ unterteilt. Derzeit beträgt die gängige Spezifikation für halbisolierte Siliziumkarbid-Substratprodukte 4 Zoll. Im leitfähigen Siliziumkarbid-Ma...Mehr lesen -
Gibt es auch Unterschiede in der Anwendung von Saphirwafern mit unterschiedlichen Kristallorientierungen?
Saphir ist ein Einkristall aus Aluminiumoxid, gehört zum dreiteiligen Kristallsystem mit hexagonaler Struktur. Seine Kristallstruktur besteht aus drei Sauerstoffatomen und zwei Aluminiumatomen in kovalenter Bindungsart, die sehr eng angeordnet sind, mit starker Bindungskette und Gitterenergie Kristallinter...Mehr lesen -
Was ist der Unterschied zwischen leitfähigem SiC-Substrat und halbisoliertem Substrat?
SiC-Siliziumkarbid-Gerät bezieht sich auf das Gerät, das aus Siliziumkarbid als Rohmaterial besteht. Entsprechend den unterschiedlichen Widerstandseigenschaften wird es in leitfähige Siliziumkarbid-Leistungsgeräte und halbisolierte Siliziumkarbid-HF-Geräte unterteilt. Hauptgeräteformen und...Mehr lesen -
Ein Artikel führt Sie zum Meister des TGV
Was ist TGV? TGV (Through-Glass Via), eine Technologie zur Herstellung von Durchgangslöchern auf einem Glassubstrat. Vereinfacht ausgedrückt ist TGV ein Hochhaus, das das Glas stanzt, füllt und nach oben und unten verbindet, um integrierte Schaltkreise auf dem Glas aufzubauen fl...Mehr lesen -
Was sind die Indikatoren für die Bewertung der Waferoberflächenqualität?
Mit der kontinuierlichen Weiterentwicklung der Halbleitertechnologie werden in der Halbleiterindustrie und sogar in der Photovoltaikindustrie auch die Anforderungen an die Oberflächenqualität des Wafersubstrats oder der Epitaxiefolie sehr streng. Was sind also die Qualitätsanforderungen für...Mehr lesen -
Wie viel wissen Sie über den Wachstumsprozess von SiC-Einkristallen?
Siliziumkarbid (SiC) spielt als eine Art Halbleitermaterial mit großer Bandlücke eine immer wichtigere Rolle in der Anwendung moderner Wissenschaft und Technologie. Siliziumkarbid verfügt über eine hervorragende thermische Stabilität, eine hohe Toleranz gegenüber elektrischen Feldern, eine gezielte Leitfähigkeit und ...Mehr lesen -
Der bahnbrechende Kampf um heimische SiC-Substrate
In den letzten Jahren spielt SiC als neues Halbleitermaterial mit der kontinuierlichen Durchdringung nachgelagerter Anwendungen wie Fahrzeugen mit neuer Energie, Photovoltaik-Stromerzeugung und Energiespeicherung eine wichtige Rolle in diesen Bereichen. Nach...Mehr lesen -
SiC-MOSFET, 2300 Volt.
Am 26. gab Power Cube Semi die erfolgreiche Entwicklung des ersten 2300-V-SiC-MOSFET-Halbleiters (Siliziumkarbid) in Südkorea bekannt. Im Vergleich zu bestehenden Halbleitern auf Si-Basis (Silizium) kann SiC (Siliziumkarbid) höheren Spannungen standhalten und wird daher als ...Mehr lesen -
Ist die Erholung der Halbleiterindustrie nur eine Illusion?
Von 2021 bis 2022 verzeichnete der globale Halbleitermarkt aufgrund der besonderen Nachfrage aufgrund des COVID-19-Ausbruchs ein rasantes Wachstum. Da jedoch die besonderen Anforderungen aufgrund der COVID-19-Pandemie in der zweiten Hälfte des Jahres 2022 endeten und ...Mehr lesen -
Im Jahr 2024 gingen die Halbleiterinvestitionen zurück
Am Mittwoch kündigte Präsident Biden eine Vereinbarung an, Intel im Rahmen des CHIPS and Science Act 8,5 Milliarden US-Dollar an direkter Finanzierung und 11 Milliarden US-Dollar an Darlehen zur Verfügung zu stellen. Intel wird diese Mittel für seine Waferfabriken in Arizona, Ohio, New Mexico und Oregon verwenden. Wie in unserem Bericht berichtet...Mehr lesen -
Was ist ein SiC-Wafer?
SiC-Wafer sind Halbleiter aus Siliziumkarbid. Dieses Material wurde 1893 entwickelt und ist ideal für eine Vielzahl von Anwendungen. Besonders geeignet für Schottky-Dioden, Sperrschicht-Schottky-Dioden, Schalter und Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren.Mehr lesen