8 Zoll 200 mm 4H-N SiC Wafer Leitfähiger Dummy in Forschungsqualität

Kurze Beschreibung:

Da sich die Transport-, Energie- und Industriemärkte weiterentwickeln, wächst die Nachfrage nach zuverlässiger, leistungsstarker Leistungselektronik weiter.Um den Bedarf an verbesserter Halbleiterleistung zu decken, suchen Gerätehersteller nach Halbleitermaterialien mit großer Bandlücke, wie zum Beispiel unserem 4H SiC Prime Grade-Portfolio aus 4H n-Typ-Siliziumkarbid (SiC)-Wafern.


Produktdetail

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Aufgrund seiner einzigartigen physikalischen und elektronischen Eigenschaften wird 200-mm-SiC-Wafer-Halbleitermaterial zur Herstellung leistungsstarker, hochtemperaturbeständiger, strahlungsbeständiger und hochfrequenter elektronischer Geräte verwendet.Der Preis für 8-Zoll-SiC-Substrate sinkt allmählich, da die Technologie fortschrittlicher wird und die Nachfrage wächst.Jüngste technologische Entwicklungen führen zur Herstellung von 200-mm-SiC-Wafern im Produktionsmaßstab.Die Hauptvorteile von SiC-Wafer-Halbleitermaterialien im Vergleich zu Si- und GaAs-Wafern: Die elektrische Feldstärke von 4H-SiC beim Lawinendurchbruch ist mehr als eine Größenordnung höher als die entsprechenden Werte für Si und GaAs.Dies führt zu einer deutlichen Verringerung des Durchlasswiderstands Ron.Ein niedriger spezifischer Widerstand im eingeschalteten Zustand, kombiniert mit einer hohen Stromdichte und Wärmeleitfähigkeit, ermöglicht die Verwendung sehr kleiner Chips für Leistungsgeräte.Die hohe Wärmeleitfähigkeit von SiC verringert den thermischen Widerstand des Chips.Die elektronischen Eigenschaften von Geräten auf Basis von SiC-Wafern sind über die Zeit und die Temperatur sehr stabil, was eine hohe Zuverlässigkeit der Produkte gewährleistet.Siliziumkarbid ist äußerst beständig gegen harte Strahlung, wodurch die elektronischen Eigenschaften des Chips nicht beeinträchtigt werden.Die hohe Grenzbetriebstemperatur des Kristalls (mehr als 6000 °C) ermöglicht die Entwicklung äußerst zuverlässiger Geräte für raue Betriebsbedingungen und spezielle Anwendungen.Derzeit können wir 200-mm-SiC-Wafer in kleinen Mengen kontinuierlich und kontinuierlich liefern und verfügen über einen gewissen Lagerbestand.

Spezifikation

Nummer Artikel Einheit Produktion Forschung Dummy
1. Parameter
1.1 Polytyp -- 4H 4H 4H
1.2 Oberflächenorientierung ° <11-20>4±0,5 <11-20>4±0,5 <11-20>4±0,5
2. Elektrischer Parameter
2.1 Dotierstoff -- Stickstoff vom n-Typ Stickstoff vom n-Typ Stickstoff vom n-Typ
2.2 Widerstand Ohm ·cm 0,015~0,025 0,01–0,03 NA
3. Mechanischer Parameter
3.1 Durchmesser mm 200 ± 0,2 200 ± 0,2 200 ± 0,2
3.2 Dicke μm 500 ± 25 500 ± 25 500 ± 25
3.3 Kerbenausrichtung ° [1- 100]±5 [1- 100]±5 [1- 100]±5
3.4 Kerbtiefe mm 1~1,5 1~1,5 1~1,5
3.5 LTV μm ≤5(10mm*10mm) ≤5(10mm*10mm) ≤10(10mm*10mm)
3.6 TTV μm ≤10 ≤10 ≤15
3.7 Bogen μm -25~25 -45~45 -65~65
3.8 Kette μm ≤30 ≤50 ≤70
3.9 AFM nm Ra≤0,2 Ra≤0,2 Ra≤0,2
4. Struktur
4.1 Mikrorohrdichte ea/cm2 ≤2 ≤10 ≤50
4.2 Metallgehalt Atome/cm2 ≤1E11 ≤1E11 NA
4.3 TSD ea/cm2 ≤500 ≤1000 NA
4.4 BPD ea/cm2 ≤2000 ≤5000 NA
4.5 TED ea/cm2 ≤7000 ≤10000 NA
5. Positive Qualität
5.1 Vorderseite -- Si Si Si
5.2 Oberflächenfinish -- Si-Face-CMP Si-Face-CMP Si-Face-CMP
5.3 Partikel Stück/Wafer ≤100 (Größe ≥ 0,3 μm) NA NA
5.4 kratzen Stück/Wafer ≤5, Gesamtlänge≤200mm NA NA
5.5 Rand
Absplitterungen/Beulen/Risse/Flecken/Verunreinigung
-- Keiner Keiner NA
5.6 Polytypiebereiche -- Keiner Fläche ≤10 % Fläche ≤30 %
5.7 vordere Markierung -- Keiner Keiner Keiner
6. Rückenqualität
6.1 hinterer Abschluss -- C-Gesicht MP C-Gesicht MP C-Gesicht MP
6.2 kratzen mm NA NA NA
6.3 Rückenfehler am Rand
Chips/Einkerbungen
-- Keiner Keiner NA
6.4 Rückenrauheit nm Ra≤5 Ra≤5 Ra≤5
6.5 Rückenmarkierung -- Einkerbung Einkerbung Einkerbung
7. Kante
7.1 Rand -- Fase Fase Fase
8. Paket
8.1 Verpackung -- Epi-ready mit Vakuum
Verpackung
Epi-ready mit Vakuum
Verpackung
Epi-ready mit Vakuum
Verpackung
8.2 Verpackung -- Multi-Wafer
Kassettenverpackung
Multi-Wafer
Kassettenverpackung
Multi-Wafer
Kassettenverpackung

Detailliertes Diagramm

8 Zoll SiC03
8 Zoll SiC4
8 Zoll SiC5
8 Zoll SiC6

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