Substrat
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4-Zoll-SiC-Wafer, halbisolierende 6H-SiC-Substrate, erstklassige, Forschungs- und Dummy-Qualität
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6-Zoll-HPSI-SiC-Substratwafer, halbisolierende Siliziumkarbid-SiC-Wafer
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Halbisolierende 4-Zoll-SiC-Wafer, HPSI-SiC-Substrat, erstklassige Produktionsqualität
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3 Zoll 76,2 mm 4H-Semi-SiC-Substratwafer. Halbisolierende Siliziumkarbid-SiC-Wafer
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SiC-Substrate mit 3 Zoll Durchmesser und 76,2 mm HPSI Prime Research und Dummy-Qualität
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4H-semi-HPSI-2-Zoll-SiC-Substratwafer-Produktionsdummy-Forschungsqualität
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2-Zoll-SiC-Wafer, halbisolierende 6H- oder 4H-SiC-Substrate, Durchmesser 50,8 mm
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8 Zoll 200 mm Saphirsubstrat, Saphirwafer, dünne Dicke 1SP 2SP 0,5 mm 0,75 mm
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Einkristall-Al2O3-Saphirwafer mit 99,999 % Durchmesser, 200 mm, 1,0 mm, 0,75 mm Dicke
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Elektroden-Saphir-Substrat und Wafer-C-Plane-LED-Substrate
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156 mm 159 mm 6 Zoll Saphirwafer für CarrierC-Plane DSP TTV
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Durchmesser 101,6 mm, 4 Zoll M-Plane-Saphirsubstrate, Wafer-LED-Substrate, Dicke 500 µm