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3-Zoll-SiC-Substratproduktionsdurchmesser 76,2 mm 4H-N
SiC-Substrat P- und D-Qualität, Durchmesser 50 mm, 4H-N 2 Zoll
TGV-Glassubstrate 12-Zoll-Wafer-Glasstanzen
4H-N/6H-N SiC Wafer Forschungsproduktion Dummy-Qualität Dia150mm Siliziumkarbidsubstrat
4-Zoll-Siliziumwafer FZ CZ N-Typ DSP oder SSP Testqualität
6-Zoll-SiC-Epitaxie-Wafer N/P-Typ akzeptieren kundenspezifische Anpassungen
6-Zoll-N-Typ- oder P-Typ-Siliziumwafer CZ Si-Wafer
Aluminiumoxid-Keramikwafer, 4 Zoll Reinheit, 99 % polykristallin, verschleißfest, 1 mm Dicke
SiO2-Dünnfilm-Thermaloxid-Siliziumwafer 4 Zoll, 6 Zoll, 8 Zoll, 12 Zoll
200-mm-SiC-Substrat-Dummy-Qualität 4H-N 8-Zoll-SiC-Wafer
Silizium-auf-Isolator-Substrat-SOI-Wafer mit drei Schichten für Mikroelektronik und Hochfrequenz
4H-N Dia205mm SiC-Samen aus monokristallinem P- und D-Qualität aus China
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