Dia300x1,0mmt Dicke Saphirwafer C-Plane SSP/DSP

Kurze Beschreibung:

Shanghai Xinkehui New Material Co., Ltd. kann Saphirwafer mit verschiedenen Oberflächenausrichtungen (c, r, a und m-Ebene) herstellen und den Off-Cut-Winkel auf 0,1 Grad genau steuern.Mit unserer proprietären Technologie sind wir in der Lage, die hohe Qualität zu erreichen, die für Anwendungen wie epitaktisches Wachstum und Waferbonden erforderlich ist.

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Produktdetail

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Einführung der Waffelbox

Kristallmaterialien	99,999 % Al2O3, hochrein, monokristallin, Al2O3
Kristallqualität	Einschlüsse, Blockmarkierungen, Zwillinge, Farben, Mikrobläschen und Ausbreitungszentren sind nicht vorhanden
Durchmesser	2 Zoll	3 Zoll	4 Zoll	6 Zoll ~ 12 Zoll
Durchmesser	50,8 ± 0,1 mm	76,2 ± 0,2 mm	100 ± 0,3 mm	Gemäß den Bestimmungen der Standardproduktion
Dicke	430 ± 15 µm	550 ± 15 µm	650 ± 20 µm	Kann vom Kunden individuell angepasst werden
Orientierung	C-Ebene (0001) zu M-Ebene (1-100) oder A-Ebene (1 1-2 0) 0,2 ± 0,1° /0,3 ± 0,1°, R-Ebene (1-1 0 2), A-Ebene (1 1-2 0 ), M-Ebene(1-1 0 0), Beliebige Ausrichtung, Beliebiger Winkel
Primäre flache Länge	16,0 ± 1 mm	22,0 ± 1,0 mm	32,5 ± 1,5 mm	Gemäß den Bestimmungen der Standardproduktion
Primäre flache Ausrichtung	A-Ebene (1 1-2 0 ) ± 0,2°
TTV	≤10µm	≤15µm	≤20µm	≤30µm
LTV	≤10µm	≤15µm	≤20µm	≤30µm
TIR	≤10µm	≤15µm	≤20µm	≤30µm
BOGEN	≤10µm	≤15µm	≤20µm	≤30µm
Kette	≤10µm	≤15µm	≤20µm	≤30µm
Vorderfläche	Epi-poliert (Ra< 0,2 nm)

*Bogen: Die Abweichung des Mittelpunkts der Mittelfläche eines freien, nicht eingespannten Wafers von der Referenzebene, wobei die Referenzebene durch die drei Ecken eines gleichseitigen Dreiecks definiert wird.

*Warp: Die Differenz zwischen dem maximalen und dem minimalen Abstand der Mittelfläche eines freien, nicht eingespannten Wafers von der oben definierten Referenzebene.

Hochwertige Produkte und Dienstleistungen für Halbleiterbauelemente der nächsten Generation und epitaktisches Wachstum:

Hoher Grad an Ebenheit (kontrollierter TTV, Bogen, Kette usw.)

Hochwertige Reinigung (geringe Partikelbelastung, geringe Metallbelastung)

Bohren, Nuten, Schneiden und Polieren des Untergrunds

Anbringung von Daten wie Sauberkeit und Form des Untergrundes (optional)

Wenn Sie Saphirsubstrate benötigen, wenden Sie sich bitte an:

E-Mail:eric@xkh-semitech.com+86 158 0194 2596 /doris@xkh-semitech.com+86 187 0175 6522

Wir werden uns so schnell wie möglich bei Ihnen melden!