SiC-Wafer sind Halbleiter aus Siliziumkarbid.Dieses Material wurde 1893 entwickelt und ist ideal für eine Vielzahl von Anwendungen.Besonders geeignet für Schottky-Dioden, Sperrschicht-Schottky-Dioden, Schalter und Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren.Aufgrund seiner hohen Härte ist es eine ausgezeichnete Wahl für leistungselektronische Komponenten.
Derzeit gibt es zwei Haupttypen von SiC-Wafern.Der erste ist ein polierter Wafer, bei dem es sich um einen einzelnen Siliziumkarbid-Wafer handelt.Es besteht aus hochreinen SiC-Kristallen und kann einen Durchmesser von 100 mm oder 150 mm haben.Es wird in elektronischen Hochleistungsgeräten verwendet.Der zweite Typ ist ein epitaktischer Siliziumkarbid-Kristallwafer.Dieser Wafertyp wird durch das Aufbringen einer einzelnen Schicht Siliziumkarbidkristalle auf die Oberfläche hergestellt.Diese Methode erfordert eine genaue Kontrolle der Materialdicke und wird als N-Typ-Epitaxie bezeichnet.
Der nächste Typ ist Beta-Siliziumkarbid.Beta SiC wird bei Temperaturen über 1700 Grad Celsius hergestellt.Alpha-Carbide kommen am häufigsten vor und haben eine hexagonale Kristallstruktur ähnlich dem Wurtzit.Die Beta-Form ähnelt Diamant und wird in einigen Anwendungen verwendet.Es war schon immer die erste Wahl für Halbzeuge für den Antrieb von Elektrofahrzeugen.Mehrere Drittanbieter von Siliziumkarbid-Wafern arbeiten derzeit an diesem neuen Material.
ZMSH-SiC-Wafer sind sehr beliebte Halbleitermaterialien.Es handelt sich um ein hochwertiges Halbleitermaterial, das für viele Anwendungen gut geeignet ist.ZMSH-Siliziumkarbidwafer sind ein sehr nützliches Material für eine Vielzahl elektronischer Geräte.ZMSH liefert eine breite Palette hochwertiger SiC-Wafer und -Substrate.Sie sind in N-Typ- und halbisolierter Form erhältlich.
2---Siliziumkarbid: Auf dem Weg zu einer neuen Ära der Wafer
Physikalische Eigenschaften und Eigenschaften von Siliziumkarbid
Siliziumkarbid hat eine spezielle Kristallstruktur mit einer hexagonalen, dicht gepackten Struktur ähnlich der von Diamant.Diese Struktur ermöglicht Siliziumkarbid eine hervorragende Wärmeleitfähigkeit und hohe Temperaturbeständigkeit.Im Vergleich zu herkömmlichen Siliziummaterialien weist Siliziumkarbid eine größere Bandlückenbreite auf, was zu einem größeren Elektronenbandabstand führt, was zu einer höheren Elektronenmobilität und einem geringeren Leckstrom führt.Darüber hinaus weist Siliziumkarbid auch eine höhere Elektronensättigungsdriftgeschwindigkeit und einen geringeren spezifischen Widerstand des Materials selbst auf, was eine bessere Leistung für Hochleistungsanwendungen bietet.
Anwendungsfälle und Perspektiven von Siliziumkarbid-Wafern
Anwendungen der Leistungselektronik
Siliziumkarbid-Wafer haben breite Anwendungsaussichten im Bereich der Leistungselektronik.Aufgrund ihrer hohen Elektronenmobilität und hervorragenden Wärmeleitfähigkeit können SIC-Wafer zur Herstellung von Schaltgeräten mit hoher Leistungsdichte verwendet werden, beispielsweise Leistungsmodulen für Elektrofahrzeuge und Solarwechselrichter.Die hohe Temperaturstabilität von Siliziumkarbid-Wafern ermöglicht den Betrieb dieser Geräte in Hochtemperaturumgebungen und sorgt so für höhere Effizienz und Zuverlässigkeit.
Optoelektronische Anwendungen
Im Bereich optoelektronischer Geräte zeigen Siliziumkarbid-Wafer ihre einzigartigen Vorteile.Siliziumkarbidmaterial verfügt über eine breite Bandlücke, die es ihm ermöglicht, in optoelektronischen Geräten eine hohe Photonenenergie und einen geringen Lichtverlust zu erreichen.Siliziumkarbidwafer können zur Herstellung von Hochgeschwindigkeitskommunikationsgeräten, Fotodetektoren und Lasern verwendet werden.Aufgrund seiner hervorragenden Wärmeleitfähigkeit und geringen Kristalldefektdichte eignet es sich ideal für die Herstellung hochwertiger optoelektronischer Geräte.
Ausblick
Angesichts der wachsenden Nachfrage nach leistungsstarken elektronischen Geräten haben Siliziumkarbid-Wafer als Material mit hervorragenden Eigenschaften und breitem Anwendungspotenzial eine vielversprechende Zukunft.Mit der kontinuierlichen Verbesserung der Herstellungstechnologie und der Kostensenkung wird die kommerzielle Anwendung von Siliziumkarbid-Wafern gefördert.Es wird erwartet, dass Siliziumkarbid-Wafer in den nächsten Jahren schrittweise auf den Markt kommen und zur Hauptwahl für Hochleistungs-, Hochfrequenz- und Hochtemperaturanwendungen werden.
3 --- Eingehende Analyse des SiC-Wafer-Marktes und der Technologietrends
Eingehende Analyse der Markttreiber für Siliziumkarbid (SiC)-Wafer
Das Wachstum des Siliziumkarbid (SiC)-Wafer-Marktes wird von mehreren Schlüsselfaktoren beeinflusst, und eine eingehende Analyse der Auswirkungen dieser Faktoren auf den Markt ist von entscheidender Bedeutung.Hier sind einige der wichtigsten Markttreiber:
Energieeinsparung und Umweltschutz: Die hohe Leistung und der geringe Stromverbrauch von Siliziumkarbidmaterialien machen es im Bereich Energieeinsparung und Umweltschutz beliebt.Die Nachfrage nach Elektrofahrzeugen, Solarwechselrichtern und anderen Geräten zur Energieumwandlung treibt das Marktwachstum von Siliziumkarbid-Wafern voran, da sie zur Reduzierung von Energieverschwendung beitragen.
Anwendungen in der Leistungselektronik: Siliziumkarbid eignet sich hervorragend für Anwendungen in der Leistungselektronik und kann in der Leistungselektronik in Umgebungen mit hohem Druck und hoher Temperatur eingesetzt werden.Mit der Popularisierung erneuerbarer Energien und der Förderung der Energiewende steigt die Nachfrage nach Siliziumkarbid-Wafern auf dem Leistungselektronikmarkt weiter.
Detaillierte Analyse des Entwicklungstrends der zukünftigen Fertigungstechnologie für SiC-Wafer
Massenproduktion und Kostensenkung: Die zukünftige Herstellung von SiC-Wafern wird sich stärker auf Massenproduktion und Kostensenkung konzentrieren.Dazu gehören verbesserte Wachstumstechniken wie die chemische Gasphasenabscheidung (CVD) und die physikalische Gasphasenabscheidung (PVD), um die Produktivität zu steigern und die Produktionskosten zu senken.Darüber hinaus wird erwartet, dass die Einführung intelligenter und automatisierter Produktionsprozesse die Effizienz weiter steigern wird.
Neue Wafergröße und -struktur: Die Größe und Struktur von SiC-Wafern kann sich in Zukunft ändern, um den Anforderungen verschiedener Anwendungen gerecht zu werden.Dazu können Wafer mit größerem Durchmesser, heterogene Strukturen oder mehrschichtige Wafer gehören, um mehr Designflexibilität und Leistungsoptionen zu bieten.
Energieeffizienz und umweltfreundliche Fertigung: Bei der Herstellung von SiC-Wafern wird in Zukunft ein stärkerer Schwerpunkt auf Energieeffizienz und umweltfreundliche Fertigung gelegt.Fabriken, die mit erneuerbarer Energie, umweltfreundlichen Materialien, Abfallrecycling und kohlenstoffarmen Produktionsverfahren betrieben werden, werden zu Trends in der Fertigung.
Zeitpunkt der Veröffentlichung: 19. Januar 2024