Am 26. gab Power Cube Semi die erfolgreiche Entwicklung des ersten 2300-V-SiC-MOSFET-Halbleiters (Siliziumkarbid) in Südkorea bekannt.
Im Vergleich zu bestehenden Halbleitern auf Si-Basis (Silizium) kann SiC (Siliziumkarbid) höheren Spannungen standhalten und wird daher als das Gerät der nächsten Generation gefeiert, das die Zukunft der Leistungshalbleiter anführt.Es ist eine entscheidende Komponente für die Einführung modernster Technologien, beispielsweise für die Verbreitung von Elektrofahrzeugen und den Ausbau von Rechenzentren durch künstliche Intelligenz.
Power Cube Semi ist ein Fabless-Unternehmen, das Leistungshalbleiterbauelemente in drei Hauptkategorien entwickelt: SiC (Siliziumkarbid), Si (Silizium) und Ga2O3 (Galliumoxid).Kürzlich hat das Unternehmen Hochleistungs-Schottky-Barrieredioden (SBDs) eingesetzt und an einen globalen Elektrofahrzeughersteller in China verkauft und damit Anerkennung für sein Halbleiterdesign und seine Halbleitertechnologie erlangt.
Die Veröffentlichung des 2300-V-SiC-MOSFET ist als erster derartiger Entwicklungsfall in Südkorea bemerkenswert.Infineon, ein weltweit tätiges Leistungshalbleiterunternehmen mit Sitz in Deutschland, kündigte im März ebenfalls die Einführung seines 2000-V-Produkts an, jedoch ohne 2300-V-Produktpalette.
Der 2000-V-CoolSiC-MOSFET von Infineon, der das TO-247PLUS-4-HCC-Gehäuse nutzt, erfüllt die Nachfrage der Entwickler nach erhöhter Leistungsdichte und gewährleistet die Systemzuverlässigkeit auch unter strengen Hochspannungs- und Schaltfrequenzbedingungen.
Der CoolSiC-MOSFET bietet eine höhere Gleichstrom-Zwischenkreisspannung und ermöglicht so eine Leistungssteigerung ohne Erhöhung des Stroms.Es ist das erste diskrete Siliziumkarbid-Gerät auf dem Markt mit einer Durchbruchspannung von 2000 V und nutzt das TO-247PLUS-4-HCC-Gehäuse mit einer Kriechstrecke von 14 mm und einem Abstand von 5,4 mm.Diese Geräte zeichnen sich durch geringe Schaltverluste aus und eignen sich für Anwendungen wie Solar-String-Wechselrichter, Energiespeichersysteme und das Laden von Elektrofahrzeugen.
Die Produktserie CoolSiC MOSFET 2000V ist für Hochspannungs-DC-Bussysteme bis 1500V DC geeignet.Im Vergleich zum 1700-V-SiC-MOSFET bietet dieses Gerät einen ausreichenden Überspannungsspielraum für 1500-V-DC-Systeme.Der CoolSiC-MOSFET bietet eine Schwellenspannung von 4,5 V und ist mit robusten Body-Dioden für harte Kommutierung ausgestattet.Mit der .XT-Verbindungstechnologie bieten diese Komponenten eine hervorragende thermische Leistung und eine hohe Feuchtigkeitsbeständigkeit.
Zusätzlich zum 2000-V-CoolSiC-MOSFET wird Infineon im dritten Quartal 2024 bzw. im letzten Quartal 2024 ergänzende CoolSiC-Dioden in TO-247PLUS 4-Pin- und TO-247-2-Gehäusen auf den Markt bringen.Diese Dioden eignen sich besonders für Solaranwendungen.Passende Gate-Treiber-Produktkombinationen sind ebenfalls erhältlich.
Die Produktserie CoolSiC MOSFET 2000V ist ab sofort auf dem Markt erhältlich.Darüber hinaus bietet Infineon passende Evaluierungsboards an: EVAL-COOLSIC-2KVHCC.Entwickler können dieses Board als präzise allgemeine Testplattform verwenden, um alle CoolSiC-MOSFETs und -Dioden mit einer Nennspannung von 2000 V sowie die kompakte einkanalige Isolations-Gate-Treiber-Produktreihe EiceDRIVER 1ED31xx durch Dual-Puls- oder kontinuierlichen PWM-Betrieb zu evaluieren.
Gung Shin-soo, Chief Technology Officer von Power Cube Semi, erklärte: „Wir konnten unsere bestehende Erfahrung in der Entwicklung und Massenproduktion von 1700-V-SiC-MOSFETs auf 2300 V erweitern.“
Zeitpunkt der Veröffentlichung: 08.04.2024