In den letzten Jahren spielt SiC als neues Halbleitermaterial mit der kontinuierlichen Durchdringung nachgelagerter Anwendungen wie Fahrzeugen mit neuer Energie, Photovoltaik-Stromerzeugung und Energiespeicherung eine wichtige Rolle in diesen Bereichen.Laut dem im Jahr 2023 veröffentlichten Power-SiC-Marktbericht von Yole Intelligence wird prognostiziert, dass die globale Marktgröße von Power-SiC-Geräten bis 2028 fast 9 Milliarden US-Dollar erreichen wird, was einem Wachstum von etwa 31 % im Vergleich zu 2022 entspricht. Die Gesamtmarktgröße von SiC Halbleiter zeigt einen stetigen Expansionstrend.
Unter zahlreichen Marktanwendungen dominieren New Energy Vehicles mit einem Marktanteil von 70 %.Derzeit ist China der weltweit größte Produzent, Verbraucher und Exporteur von Fahrzeugen mit neuer Energie.Laut der „Nikkei Asian Review“ übertrafen Chinas Automobilexporte im Jahr 2023, angetrieben durch Fahrzeuge mit neuer Energie, erstmals Japan und machten China zum weltweit größten Automobilexporteur.
Angesichts der boomenden Marktnachfrage eröffnet Chinas SiC-Industrie eine entscheidende Entwicklungschance.
Seit der Veröffentlichung des „Dreizehnten Fünfjahresplans“ für nationale Wissenschafts- und Technologieinnovation durch den Staatsrat im Juli 2016 hat die Entwicklung von Halbleiterchips der dritten Generation große Aufmerksamkeit von der Regierung erhalten und positive Reaktionen und umfassende Unterstützung erhalten verschiedene Regionen.Bis August 2021 hat das Ministerium für Industrie und Informationstechnologie (MIIT) Halbleiter der dritten Generation in den „Vierzehnten Fünfjahresplan“ für die Entwicklung industrieller Wissenschafts- und Technologieinnovationen aufgenommen und damit dem Wachstum des heimischen SiC-Marktes weiteren Schwung verliehen.
Angetrieben sowohl von der Marktnachfrage als auch von der Politik schießen heimische SiC-Industrieprojekte rasant wie Pilze nach dem Regen aus dem Boden und stellen eine Situation weitreichender Entwicklung dar.Unseren unvollständigen Statistiken zufolge wurden bislang SiC-bezogene Bauprojekte in mindestens 17 Städten umgesetzt.Unter ihnen sind Jiangsu, Shanghai, Shandong, Zhejiang, Guangdong, Hunan, Fujian und andere Regionen zu wichtigen Zentren für die Entwicklung der SiC-Industrie geworden.Insbesondere mit der Inbetriebnahme des neuen Projekts ReTopTech wird die gesamte inländische Halbleiterindustriekette der dritten Generation, insbesondere in Guangdong, weiter gestärkt.
Das nächste Layout für ReTopTech ist das 8-Zoll-SiC-Substrat.Obwohl derzeit 6-Zoll-SiC-Substrate den Markt dominieren, verschiebt sich der Entwicklungstrend der Branche aufgrund von Kostensenkungsüberlegungen allmählich in Richtung 8-Zoll-Substrate.Den Prognosen von GTAT zufolge sollen die Kosten für 8-Zoll-Substrate im Vergleich zu 6-Zoll-Substraten um 20 bis 35 % gesenkt werden.Derzeit haben namhafte SiC-Hersteller wie Wolfspeed, ST, Coherent, Soitec, Sanan, Taike Tianrun und Xilinx Integration im In- und Ausland damit begonnen, schrittweise auf 8-Zoll-Substrate umzusteigen.
In diesem Zusammenhang plant ReTopTech in Zukunft die Einrichtung eines großformatigen Forschungs- und Entwicklungszentrums für Kristallwachstum und Epitaxietechnologie.Das Unternehmen wird mit lokalen Schlüssellaboren zusammenarbeiten, um bei der gemeinsamen Nutzung von Instrumenten und Geräten sowie bei der Materialforschung zusammenzuarbeiten.Darüber hinaus plant ReTopTech, die Innovationskooperation in der Kristallverarbeitungstechnologie mit großen Geräteherstellern zu stärken und sich an gemeinsamen Innovationen mit führenden nachgelagerten Unternehmen in der Forschung und Entwicklung von Automobilgeräten und -modulen zu beteiligen.Diese Maßnahmen zielen darauf ab, Chinas Forschungs- und Entwicklungsniveau sowie die Industrialisierung der Fertigungstechnologie im Bereich der 8-Zoll-Substratplattformen zu verbessern.
Der Halbleiter der dritten Generation, mit SiC als Hauptvertreter, gilt allgemein als einer der vielversprechendsten Teilbereiche der gesamten Halbleiterindustrie.China verfügt über einen umfassenden Vorsprung in der Industriekette bei Halbleitern der dritten Generation, der Ausrüstung, Materialien, Fertigung und Anwendungen umfasst, mit dem Potenzial, globale Wettbewerbsfähigkeit aufzubauen.
Zeitpunkt der Veröffentlichung: 08.04.2024