Substrat
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Siliziumkarbid-SiC-Barren 6 Zoll N Typ Dummy/Prime-Stärke kann individuell angepasst werden
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6 Zoll halbisolierender Siliziumkarbid-4H-SiC-Barren, Dummy-Qualität
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SiC-Barren, Typ 4H, Durchmesser 4 Zoll, 6 Zoll, Dicke 5–10 mm, Forschungs-/Dummy-Qualität
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3 Zoll hochreine (undotierte) Siliziumkarbidwafer halbisolierende Sic-Substrate (HPSl)
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6-Zoll-Saphir-Boule-Saphir-Rohling-Einkristall Al2O3 99,999 %
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Sic-Substrat-Siliziumkarbid-Wafer 4H-N-Typ, hohe Härte, Korrosionsbeständigkeit, erstklassiges Polieren
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2-Zoll-Siliziumkarbidwafer 6H-N-Typ Prime Grade Research Grade Dummy Grade 330 μm 430 μm Dicke
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2-Zoll-Siliziumkarbidsubstrat 6H-N, doppelseitig poliert, Durchmesser 50,8 mm, Produktionsqualität, Forschungsqualität
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p-Typ 4H/6H-P 3C-N TYP SIC-Substrat 4 Zoll 〈111〉 ± 0,5°Null MPD
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SiC-Substrat P-Typ 4H/6H-P 3C-N 4 Zoll mit einer Dicke von 350 µm, Produktionsqualität, Dummy-Qualität
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4H/6H-P 6-Zoll-SiC-Wafer, Null-MPD-Qualität, Produktionsqualität, Dummy-Qualität
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P-Typ SiC-Wafer 4H/6H-P 3C-N 6 Zoll Dicke 350 μm mit primärer flacher Ausrichtung