4H-N/6H-N SiC Wafer Forschungsproduktion Dummy-Qualität Dia150mm Siliziumkarbidsubstrat

Kurze Beschreibung:

Wir können hochtemperatursupraleitende Dünnschichtsubstrate, magnetische Dünnschichten und ferroelektrische Dünnschichtsubstrate, Halbleiterkristalle, optische Kristalle und Laserkristallmaterialien bereitstellen und gleichzeitig Ausrichtung, Kristallschneiden, Schleifen, Polieren und andere Verarbeitungsdienstleistungen anbieten.Unsere SiC-Substrate stammen aus der Tankeblue-Fabrik in China.


Produktdetail

Produkt Tags

Spezifikation für Siliziumkarbid (SiC)-Substrat mit 6 Zoll Durchmesser

Grad

Null MPD

Produktion

Forschungsgrad

Dummy-Note

Durchmesser

150,0 mm ± 0,25 mm

Dicke

4H-N

350 um ± 25 um

4H-SI

500 um ± 25 um

Waferausrichtung

Auf der Achse:<0001>±0,5° für 4H-SI
Außerhalb der Achse: 4,0° in Richtung <1120> ±0,5° für 4H-N

Hauptwohnung

{10-10}±5,0°

Primäre flache Länge

47,5 mm ± 2,5 mm

Kantenausschluss

3mm

TTV/Bogen/Warp

≤15um/≤40um/≤60um

Mikrorohrdichte

≤1cm-2

≤5cm-2

≤15cm-2

≤50cm-2

Widerstand 4H-N 4H-SI

0,015~0,028Ω!cm

≥1E5Ω!cm

Rauheit

Polnisch Ra ≤1 nm CMP Ra ≤0,5 nm

#Risse durch hochintensives Licht

Keiner

1 erlaubt, ≤2mm

Gesamtlänge ≤10 mm, Einzellänge ≤2 mm

*Hex-Platten durch hochintensives Licht

Kumulierte Fläche ≤1 %

Kumulierte Fläche ≤ 2 %

Kumulierte Fläche ≤ 5 %

*Polytypiebereiche durch hochintensives Licht

Keiner

Kumulierte Fläche ≤ 2 %

Kumulierte Fläche ≤ 5 %

*&Kratzer durch hochintensives Licht

3 Kratzer bis 1 x Waferdurchmesser Gesamtlänge

5 Kratzer bis 1 x Waferdurchmesser Gesamtlänge

5 Kratzer auf 1 x Wafer-Durchmesser Gesamtlänge

Randchip

Keiner

3 zulässig, jeweils ≤ 0,5 mm

5 zulässig, jeweils ≤ 1 mm

Kontamination durch hochintensives Licht

Keiner

Vertrieb und Kundenservice

Materialeinkauf

Die Materialeinkaufsabteilung ist dafür verantwortlich, alle für die Herstellung Ihres Produkts erforderlichen Rohstoffe zu sammeln.Eine vollständige Rückverfolgbarkeit aller Produkte und Materialien, einschließlich chemischer und physikalischer Analysen, ist jederzeit verfügbar.

Qualität

Während und nach der Herstellung oder Bearbeitung Ihrer Produkte ist die Qualitätskontrollabteilung daran beteiligt, sicherzustellen, dass alle Materialien und Toleranzen Ihre Spezifikationen erfüllen oder übertreffen.

Service

Wir sind stolz darauf, über Vertriebsingenieure mit mehr als 5 Jahren Erfahrung in der Halbleiterindustrie zu verfügen.Sie sind darin geschult, technische Fragen zu beantworten und zeitnahe Angebote für Ihre Bedürfnisse zu erstellen.

Wir stehen Ihnen jederzeit zur Seite, wenn Sie ein Problem haben, und lösen es innerhalb von 10 Stunden.

Detailliertes Diagramm

Siliziumkarbid-Substrat (1)
Siliziumkarbid-Substrat (2)

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