Substrat
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Indiumantimonid (InSb)-Wafer, N-Typ, P-Typ, Epi-fertig, undotiert, Te-dotiert oder Ge-dotiert, 2 Zoll, 3 Zoll, 4 Zoll Dicke
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SiC-Wafer 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C Typ 2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll
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Saphirbarren 3 Zoll, 4 Zoll, 6 Zoll, Monokristall, Zirkonia, KY-Verfahren, individuell anpassbar
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Hochleistungs-Epitaxie-Wafer aus GaAs (Galliumarsenid) für Laserbehandlungen mit einer Wellenlänge von 905 nm.
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GaAs-Laser-Epitaxie-Wafer 4 Zoll 6 Zoll VCSEL-Laser mit vertikaler Oberflächenemission (VCSEL), Wellenlänge 940 nm, Einzelübergang
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2-Zoll-, 3-Zoll- und 4-Zoll-InP-Epitaxie-Wafer-Substrat für APD-Lichtdetektoren für Glasfaserkommunikation oder LiDAR
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Saphirring aus synthetischem Saphirmaterial. Transparent und individualisierbar. Mohshärte 9.
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2-Zoll-Siliciumcarbid-Substrat, Typ 6H-N, 0,33 mm x 0,43 mm, beidseitig poliert, hohe Wärmeleitfähigkeit, geringer Stromverbrauch
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Saphirring – Komplett aus Saphir gefertigt. Transparentes, im Labor hergestelltes Saphirmaterial.
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Saphirbarren, Durchmesser 4 Zoll × 80 mm, monokristallines Al₂O₃, 99,999 % Reinheit, Einkristall
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Saphirprisma Saphirlinse Hochtransparentes Al2O3 BK7 JGS1 JGS2 Material Optisches Instrument
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SiC-Substrat, 3 Zoll, 350 µm Dicke, HPSI-Typ, Prime-Qualität, Dummy-Qualität