Substrat
-
6 Zoll Siliziumkarbid 4H-SiC halbisolierender Barren, Dummy-Qualität
-
SiC-Barren Typ 4H, Durchmesser 4 Zoll, 6 Zoll, Dicke 5–10 mm, Forschungs-/Dummy-Qualität
-
6-Zoll-Saphir-Boule, Saphir-Rohling, Einkristall Al2O3 99,999 %
-
Sic-Substrat Siliziumkarbid-Wafer Typ 4H-N Hohe Härte Korrosionsbeständigkeit Erstklassiges Polieren
-
2-Zoll-Siliziumkarbid-Wafer 6H-N Typ Prime Grade Research Grade Dummy Grade 330μm 430μm Dicke
-
2 Zoll Siliziumkarbidsubstrat 6H-N, doppelseitig poliert, Durchmesser 50,8 mm, Produktionsqualität, Forschungsqualität
-
p-Typ 4H/6H-P 3C-N TYP SIC-Substrat 4 Zoll 〈111〉± 0,5° Null MPD
-
SiC-Substrat P-Typ 4H/6H-P 3C-N 4 Zoll mit einer Dicke von 350 µm Produktionsqualität Dummy-Qualität
-
4H/6H-P 6-Zoll-SiC-Wafer Null-MPD-Klasse Produktionsklasse Dummy-Klasse
-
P-Typ-SiC-Wafer 4H/6H-P 3C-N 6 Zoll Dicke 350 μm mit primärer flacher Ausrichtung
-
TVG-Prozess auf Quarz-Saphir-BF33-Wafer Glas-Wafer-Stanzen
-
Einkristalliner Siliziumwafer Si-Substrattyp N/P Optionaler Siliziumkarbidwafer