Substrat
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SiC-Substrate mit 3 Zoll Durchmesser und 76,2 mm HPSI Prime Research und Dummy-Qualität
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4H-semi-HPSI-2-Zoll-SiC-Substratwafer-Produktionsdummy-Forschungsqualität
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2-Zoll-SiC-Wafer, halbisolierende 6H- oder 4H-SiC-Substrate, Durchmesser 50,8 mm
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8 Zoll 200 mm Saphirsubstrat, Saphirwafer, dünne Dicke 1SP 2SP 0,5 mm 0,75 mm
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Einkristall-Al2O3-Saphirwafer mit 99,999 % Durchmesser, 200 mm, 1,0 mm, 0,75 mm Dicke
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Elektroden-Saphirsubstrat und Wafer-C-Plane-LED-Substrate
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156 mm 159 mm 6 Zoll Saphirwafer für CarrierC-Plane DSP TTV
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Durchmesser 101,6 mm, 4 Zoll M-Plane-Saphirsubstrate, Wafer-LED-Substrate, Dicke 500 µm
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C/A/M-Achse 4-Zoll-Saphirwafer, einkristallines Al2O3, SSP DSP-Saphirsubstrat mit hoher Härte
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Dia50,8×0,1/0,17/0,2/0,25/0,3 mm Saphir-Wafer-Substrat Epi-ready DSP SSP
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4H-N 8-Zoll-SiC-Substratwafer, Siliziumkarbid-Dummy, Forschungsqualität, 500 µm Dicke
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8 Zoll 200 mm Siliziumkarbid-SiC-Wafer 4H-N-Typ, Produktionsqualität, 500 µm Dicke