Substrat
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4H-N Dia205mm SiC-Samen aus monokristallinem P- und D-Qualität aus China
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4-Zoll-Siliziumwafer FZ CZ N-Typ DSP oder SSP Testqualität
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Durchmesser 150 mm 4H-N 6 Zoll SiC-Substrat Produktion und Dummy-Qualität
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6-Zoll-SiC-Epitaxie-Wafer N/P-Typ akzeptieren kundenspezifische Anpassungen
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3 Zoll Durchmesser 76,2 mm Saphirwafer 0,5 mm Dicke C-Ebene SSP
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6-Zoll-N-Typ- oder P-Typ-Siliziumwafer CZ Si-Wafer
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4-Zoll-SiC-Epi-Wafer für MOS oder SBD
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SiO2-Dünnfilm-Thermaloxid-Siliziumwafer 4 Zoll, 6 Zoll, 8 Zoll, 12 Zoll
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2-Zoll-SiC-Barren, Durchmesser 50,8 mm x 10 mm, 4H-N-Einkristall
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Silizium-auf-Isolator-Substrat-SOI-Wafer mit drei Schichten für Mikroelektronik und Hochfrequenz
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SOI-Wafer-Isolator auf 8-Zoll- und 6-Zoll-SOI-Wafern (Silicon-On-Insulator) aus Silizium
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Siliziumdioxid-Wafer SiO2-Wafer dick poliert, Prime und Test Grade