Substrat
-
SiC-Wafer 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C Typ 2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll
-
Saphirbarren 3 Zoll 4 Zoll 6 Zoll Monokristall CZ KY-Methode Anpassbar
-
2 Zoll Sic-Siliziumkarbid-Substrat 6H-N Typ 0,33 mm 0,43 mm doppelseitiges Polieren Hohe Wärmeleitfähigkeit geringer Stromverbrauch
-
GaAs-Hochleistungs-Epitaxie-Wafersubstrat, Galliumarsenid-Wafer, Leistungslaserwellenlänge 905 nm für die medizinische Laserbehandlung
-
GaAs-Laser-Epitaxie-Wafer, 4 Zoll, 6 Zoll, VCSEL, vertikale Kavität, Oberflächenemission, Laserwellenlänge 940 nm, Einzelverbindung
-
2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll InP-Epitaxial-Wafersubstrat APD-Lichtdetektor für Glasfaserkommunikation oder LiDAR
-
Saphirring aus synthetischem Saphirmaterial Transparent und anpassbar Mohshärte von 9
-
Saphirprisma Saphirlinse Hohe Transparenz Al2O3 BK7 JGS1 JGS2 Material Optisches Instrument
-
Saphirring, vollständig aus Saphir gefertigter Saphirring, transparentes, im Labor hergestelltes Saphirmaterial
-
Saphirbarren Durchmesser 4 Zoll × 80 mm monokristallin Al2O3 99,999 % Einkristall
-
SiC-Substrat 3 Zoll, 350 µm Dicke, HPSI-Typ, Prime Grade, Dummy Grade
-
Siliziumkarbid-SiC-Ingot 6 Zoll N-Typ Dummy/Prime-Grade-Dicke kann individuell angepasst werden