Substrat
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TVG-Prozess auf Quarz-Saphir-BF33-Wafer. Glas-Wafer-Stanzen
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Einkristalliner Siliziumwafer Si-Substrattyp N/P Optionaler Siliziumkarbidwafer
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N-Typ-SiC-Verbundsubstrate mit einem Durchmesser von 6 Zoll. Hochwertiges monokristallines und minderwertiges Substrat
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Halbisolierendes SiC auf Si-Verbundsubstraten
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Halbisolierende SiC-Verbundsubstrate Dia2inch 4inch 6inch 8inch HPSI
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Synthetischer Saphir-Kugel, monokristalliner Saphir-Rohling. Durchmesser und Dicke können individuell angepasst werden
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SiC vom N-Typ auf Si-Verbundsubstraten mit einem Durchmesser von 6 Zoll
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SiC-Substrat Dia200mm 4H-N und HPSI-Siliziumkarbid
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3-Zoll-SiC-Substratproduktionsdurchmesser 76,2 mm 4H-N
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SiC-Substrat P- und D-Qualität, Durchmesser 50 mm, 4H-N 2 Zoll
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TGV-Glassubstrate 12-Zoll-Wafer-Glasstanzen
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SiC-Barren vom Typ 4H-N, Dummy-Qualität, 2 Zoll, 3 Zoll, 4 Zoll, 6 Zoll, Dicke: > 10 mm