Substrat
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SiC-Substrat SiC Epi-Wafer leitfähig/halbleitend Typ 4 6 8 Zoll
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SiC-Epitaxie-Wafer für Leistungsgeräte – 4H-SiC, N-Typ, geringe Defektdichte
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4H-N Typ SiC Epitaxie-Wafer Hochspannung Hochfrequenz
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8-Zoll-LNOI-Wafer (LiNbO3 auf Isolator) für optische Modulatoren, Wellenleiter, integrierte Schaltkreise
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LNOI-Wafer (Lithiumniobat auf Isolator) Telekommunikation Sensorik Hochelektrooptisch
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3 Zoll hochreine (undotiert) Siliziumkarbid-Wafer, halbisolierende SiC-Substrate (HPSl)
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4H-N 8 Zoll SiC-Substrat-Wafer Siliziumkarbid-Dummy Forschungsqualität 500 µm Dicke
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Saphir-Einzelkristall, hohe Härte Morhs 9, kratzfest, anpassbar
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Gemustertes Saphirsubstrat PSS 2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll ICP-Trockenätzen kann für LED-Chips verwendet werden
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2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll Gemustertes Saphirsubstrat (PSS), auf dem GaN-Material gezüchtet wird, kann für LED-Beleuchtung verwendet werden
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4H-N/6H-N SiC-Wafer, Forschungsproduktion, Dummy-Qualität, Durchmesser 150 mm, Siliziumkarbid-Substrat
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Au-beschichteter Wafer, Saphir-Wafer, Silizium-Wafer, SiC-Wafer, 2 Zoll, 4 Zoll, 6 Zoll, Goldbeschichtung, Dicke 10 nm, 50 nm, 100 nm