Substrat
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8 Zoll 200 mm Siliziumkarbid-SiC-Wafer Typ 4H-N, Produktionsqualität, 500 µm Dicke
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2 Zoll 6H-N Siliziumkarbidsubstrat Sic Wafer doppelt poliert leitfähig Prime Grade Mos Grade
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3 Zoll hochreine (undotiert) Siliziumkarbid-Wafer, halbisolierende SiC-Substrate (HPSl)
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Saphir-Einzelkristall, hohe Härte Morhs 9, kratzfest, anpassbar
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Gemustertes Saphirsubstrat PSS 2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll ICP-Trockenätzen kann für LED-Chips verwendet werden
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2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll Gemustertes Saphirsubstrat (PSS), auf dem GaN-Material gezüchtet wird, kann für LED-Beleuchtung verwendet werden
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Au-beschichteter Wafer, Saphir-Wafer, Silizium-Wafer, SiC-Wafer, 2 Zoll, 4 Zoll, 6 Zoll, Goldbeschichtung, Dicke 10 nm, 50 nm, 100 nm
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vergoldete Siliziumscheibe (Si-Wafer) 10 nm 50 nm 100 nm 500 nm Au Ausgezeichnete Leitfähigkeit für LED
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Goldbeschichtete Silizium-Wafer 2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll Dicke der Goldschicht: 50 nm (± 5 nm) oder individuell anpassbar Beschichtungsfilm Au, 99,999 % Reinheit
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AlN-auf-NPSS-Wafer: Hochleistungs-Aluminiumnitridschicht auf unpoliertem Saphirsubstrat für Hochtemperatur-, Hochleistungs- und HF-Anwendungen
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AlN auf FSS 2 Zoll 4 Zoll NPSS/FSS AlN-Vorlage für den Halbleiterbereich
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Galliumnitrid (GaN), epitaktisch auf Saphir-Wafer 4 Zoll und 6 Zoll für MEMS gewachsen