Substrat
-
2-Zoll-6H-N-Siliziumkarbid-Substrat Sic-Wafer, doppelt poliert, leitend, erstklassige Mos-Qualität
-
SiC-Siliziumkarbid-Wafer SiC-Wafer 4H-N 6H-N HPSI (hochreine halbisolierende Waffe) 4H/6H-P 3C -n Typ 2 3 4 6 8 Zoll verfügbar
-
Saphirbarren 3 Zoll 4 Zoll 6 Zoll Monokristall CZ KY-Methode Anpassbar
-
Saphirring aus synthetischem Saphirmaterial. Transparent und anpassbar, Mohshärte 9
-
2-Zoll-Sic-Siliziumkarbid-Substrat 6H-N Typ 0,33 mm 0,43 mm doppelseitiges Polieren. Hohe Wärmeleitfähigkeit, geringer Stromverbrauch
-
GaAs-Hochleistungs-Epitaxie-Wafersubstrat Galliumarsenid-Wafer-Leistungslaserwellenlänge 905 nm für die medizinische Laserbehandlung
-
GaAs-Laser-Epitaxie-Wafer, 4 Zoll, 6 Zoll, VCSEL, vertikaler Hohlraum, Oberflächenemissionslaser, Wellenlänge 940 nm, Einzelverbindung
-
2-Zoll-3-Zoll-4-Zoll-InP-Epitaxie-Wafer-Substrat-APD-Lichtdetektor für Glasfaserkommunikation oder LiDAR
-
Saphirring, vollständig aus Saphir gefertigt. Transparentes, im Labor hergestelltes Saphirmaterial
-
Saphirbarren, Durchmesser 4 Zoll × 80 mm, monokristallines Al2O3, 99,999 % Einkristall
-
Saphirprisma, Saphirlinse, hohe Transparenz, Al2O3, BK7, JGS1, JGS2, Material, optisches Instrument
-
SiC-Substrat 3 Zoll 350 µm Dicke HPSI-Typ Prime Grade Dummy-Qualität