Substrat
-
Saphir-Wafer-Rohling, hochreines Rohsaphirsubstrat zur Verarbeitung
-
Quadratischer Saphir-Keimkristall – präzisionsorientiertes Substrat für das Wachstum synthetischen Saphirs
-
Siliziumkarbid (SiC)-Einkristallsubstrat – 10×10-mm-Wafer
-
4H-N HPSI SiC-Wafer 6H-N 6H-P 3C-N SiC Epitaxie-Wafer für MOS oder SBD
-
SiC-Epitaxie-Wafer für Leistungsgeräte – 4H-SiC, N-Typ, geringe Defektdichte
-
4H-N Typ SiC Epitaxial Wafer Hochspannung Hochfrequenz
-
8-Zoll-LNOI-Wafer (LiNbO3 auf Isolator) für optische Modulatoren, Wellenleiter, integrierte Schaltkreise
-
LNOI-Wafer (Lithiumniobat auf Isolator) Telekommunikation Sensorik Hochelektrooptisch
-
3 Zoll hochreine (undotierte) Siliziumkarbid-Wafer, halbisolierende SiC-Substrate (HPSl)
-
4H-N 8 Zoll SiC-Substrat-Wafer Siliziumkarbid-Dummy Forschungsqualität 500 µm Dicke
-
Saphir-Einzelkristall, hohe Härte Morhs 9, kratzfest, anpassbar
-
Gemustertes Saphirsubstrat PSS 2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll ICP-Trockenätzen kann für LED-Chips verwendet werden