Substrat
-
TVG-Prozess auf Quarz-Saphir-BF33-Wafer. Glas-Wafer-Stanzen
-
Einkristalliner Siliziumwafer Si-Substrattyp N/P Optionaler Siliziumkarbidwafer
-
N-Typ-SiC-Verbundsubstrate mit einem Durchmesser von 6 Zoll. Hochwertiges monokristallines und minderwertiges Substrat
-
Halbisolierendes SiC auf Si-Verbundsubstraten
-
Halbisolierende SiC-Verbundsubstrate Dia2inch 4inch 6inch 8inch HPSI
-
P-Typ SiC-Substrat SiC-Wafer Dia2inch neues Produkt
-
SiC vom N-Typ auf Si-Verbundsubstraten mit einem Durchmesser von 6 Zoll
-
SiC-Substrat Dia200mm 4H-N und HPSI Siliziumkarbid
-
3-Zoll-SiC-Substratproduktionsdurchmesser 76,2 mm 4H-N
-
SiC-Substrat P- und D-Qualität, Durchmesser 50 mm, 4H-N 2 Zoll
-
TGV-Glassubstrate 12-Zoll-Wafer-Glasstanzen
-
4H-N/6H-N SiC Wafer Forschungsproduktion Dummy-Qualität Dia150mm Siliziumkarbidsubstrat