SiC
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6-Zoll-SiC-Epitaxie-Wafer, Typ N/P, kundenspezifische Anpassung möglich
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Dia150mm 4H-N 6inch SiC-Substrat Produktions- und Dummyqualität
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4-Zoll-SiC-Epi-Wafer für MOS oder SBD
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2-Zoll-SiC-Ingot, Durchmesser 50,8 mm x 10 mm, 4H-N-Einkristall
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200-mm-SiC-Substrat, Dummy-Qualität 4H-N, 8-Zoll-SiC-Wafer
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4-Zoll-SiC-Wafer, 6H-halbisolierende SiC-Substrate, Prime-, Forschungs- und Dummy-Qualität
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6-Zoll-HPSI-SiC-Substratwafer Siliziumkarbid-Halbisolierende SiC-Wafer
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4-Zoll-Halbisolierende SiC-Wafer HPSI-SiC-Substrat Prime-Produktionsqualität
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3 Zoll (76,2 mm) 4H-Semi-SiC-Substratwafer, Siliziumkarbid-Halbisolierende SiC-Wafer
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3-Zoll-SiC-Substrate mit 76,2 mm Durchmesser, HPSI Prime Research- und Dummy-Qualität
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4H-semi HPSI 2-Zoll-SiC-Substratwafer, Produktions-Dummy, Forschungsqualität
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2-Zoll-SiC-Wafer, 6H- oder 4H-halbisolierende SiC-Substrate, Durchmesser 50,8 mm