SiC
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2-Zoll-SiC-Block, Durchmesser 50,8 mm x 10 mm, 4H-N-Monokristall
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4-Zoll-SiC-Wafer 6H Halbisolierende SiC-Substrate in Prime-, Forschungs- und Dummy-Qualität
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6-Zoll-HPSI-SiC-Substratwafer. Halbisolierende SiC-Wafer aus Siliziumkarbid
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4-Zoll-Halbisolierende SiC-Wafer HPSI-SiC-Substrat Prime Production-Qualität
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3 Zoll 76,2 mm 4H-Semi-SiC-Substrat-Wafer. Halbisolierende SiC-Wafer aus Siliziumkarbid
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3 Zoll Durchmesser 76,2 mm SiC-Substrate HPSI Prime Research und Dummy-Qualität
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4H-semi HPSI 2-Zoll-SiC-Substrat-Wafer Produktions-Dummy Forschungsqualität
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2-Zoll-SiC-Wafer 6H oder 4H halbisolierende SiC-Substrate, Durchmesser 50,8 mm
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6 Zoll 150 mm Siliziumkarbid-SiC-Wafer Typ 4H-N für MOS- oder SBD-Produktionsforschung und Dummy-Qualität
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2-Zoll-Siliziumkarbid-Wafer 6H oder 4H N-Typ oder halbisolierende SiC-Substrate
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4H-N 4 Zoll SiC-Substrat-Wafer Siliziumkarbid-Produktions-Dummy Forschungsqualität
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8 Zoll 200 mm 4H-N SiC-Wafer, leitfähiger Dummy, Forschungsqualität