SiC
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4H-semi-HPSI-2-Zoll-SiC-Substratwafer-Produktionsdummy-Forschungsqualität
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2-Zoll-SiC-Wafer, halbisolierende 6H- oder 4H-SiC-Substrate, Durchmesser 50,8 mm
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2-Zoll-Siliziumkarbid-Wafer 6H oder 4H N-Typ oder halbisolierende SiC-Substrate
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4H-N 4-Zoll-SiC-Substratwafer Siliziumkarbid-Produktionsdummy Forschungsqualität
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6 Zoll 150 mm Siliziumkarbid-SiC-Wafer vom Typ 4H-N für MOS- oder SBD-Produktionsforschung und Dummy-Qualität
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8 Zoll 200 mm 4H-N SiC Wafer Leitfähiger Dummy in Forschungsqualität
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2-Zoll-Siliziumkarbid-Wafer 6H oder 4H N-Typ oder halbisolierende SiC-Substrate