4H-semi-HPSI-2-Zoll-SiC-Substratwafer-Produktionsdummy-Forschungsqualität

Siliziumkarbid-Substrate werden hauptsächlich in leitende und halbisolierende Typen unterteilt. Leitfähige Siliziumkarbid-Substrate bis n-Typ-Substrat werden hauptsächlich für epitaktische GaN-basierte LEDs und andere optoelektronische Geräte, SiC-basierte leistungselektronische Geräte usw. sowie halb-isolierende Substrate verwendet. Das isolierende SiC-Siliziumkarbidsubstrat wird hauptsächlich für die epitaktische Herstellung von GaN-Hochleistungs-Hochfrequenzgeräten verwendet.Darüber hinaus ist die hochreine Halbisolierung HPSI und die SI-Halbisolierung unterschiedlich, die Trägerkonzentration der hochreinen Halbisolierung liegt im Bereich von 3,5 * 1013 ~ 8 * 1015/cm3, mit hoher Elektronenmobilität;Bei der Halbisolierung handelt es sich um ein Material mit hohem Widerstand und einem sehr hohen spezifischen Widerstand. Es wird im Allgemeinen für Substrate von Mikrowellengeräten verwendet und ist nicht leitend.

Halbisolierende Siliziumkarbid-Substratplatte SiC-Wafer

Die Kristallstruktur von SiC bestimmt seine physikalischen Eigenschaften. Im Vergleich zu Si und GaAs weist SiC physikalische Eigenschaften auf;Die verbotene Bandbreite ist groß, fast dreimal so groß wie die von Si, um sicherzustellen, dass das Gerät bei hohen Temperaturen unter langfristiger Zuverlässigkeit funktioniert.Die Durchschlagsfeldstärke ist hoch und beträgt das 10-fache der von Si, um sicherzustellen, dass die Spannungskapazität des Geräts verbessert wird und der Spannungswert des Geräts verbessert wird.Die Sättigungselektronenrate ist groß und beträgt das Zweifache von Si, um die Frequenz und Leistungsdichte des Geräts zu erhöhen.Die Wärmeleitfähigkeit ist hoch, mehr als Si, die Wärmeleitfähigkeit ist hoch, die Wärmeleitfähigkeit ist hoch, die Wärmeleitfähigkeit ist hoch, die Wärmeleitfähigkeit ist hoch, mehr als das Si, die Wärmeleitfähigkeit ist hoch, die Wärmeleitfähigkeit ist hoch.Hohe Wärmeleitfähigkeit, mehr als dreimal so hoch wie die von Si, wodurch die Wärmeableitungskapazität des Geräts erhöht und die Miniaturisierung des Geräts realisiert wird.