4-Zoll-SiC-Wafer, halbisolierende 6H-SiC-Substrate, erstklassige, Forschungs- und Dummy-Qualität

Kurze Beschreibung:

Halbisoliertes Siliziumkarbidsubstrat wird durch Schneiden, Schleifen, Polieren, Reinigen und andere Verarbeitungstechnologien nach dem Wachstum des halbisolierten Siliziumkarbidkristalls gebildet.Auf dem Substrat wird eine Schicht oder eine mehrschichtige Kristallschicht gezüchtet, die den Qualitätsanforderungen einer Epitaxie entspricht. Anschließend wird das Mikrowellen-HF-Gerät durch Kombination von Schaltungsdesign und Verpackung hergestellt.Erhältlich als 2 Zoll, 3 Zoll, 4 Zoll, 6 Zoll und 8 Zoll, halbisolierte Siliziumkarbid-Einkristallsubstrate in Industrie-, Forschungs- und Testqualität.

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Produktdetail

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Produktspezifikation

Grad			Zero MPD Production Grade (Z-Grade)			Standardproduktionsklasse (P-Klasse)		Dummy-Klasse (D-Klasse)
Durchmesser			99,5 mm ~ 100,0 mm
	4H-SI		500 μm ± 20 μm			500 μm ± 25 μm
Waferausrichtung			Außerhalb der Achse: 4,0° in Richtung < 1120 > ±0,5° für 4H-N, Auf der Achse: <0001>±0,5° für 4H-SI
	4H-SI		≤1cm^-2			≤5 cm^-2		≤15 cm^-2
	4H-SI		≥1E9 Ω·cm					≥1E5 Ω·cm
Primäre flache Ausrichtung		{10-10} ±5,0°
Primäre flache Länge		32,5 mm ± 2,0 mm
Sekundäre flache Länge		18,0 mm ± 2,0 mm
Sekundäre flache Ausrichtung		Silikonseite nach oben: 90° CW.von Prime Flat ±5,0°
Kantenausschluss		3 mm
LTV/TTV/Bogen/Warp		≤3 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm						≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm
Rauheit			C-Gesicht				Polieren		Ra≤1 nm
			Si Gesicht	CMP	Ra≤0,2 nm					Ra≤0,5 nm
Kantenrisse durch hochintensives Licht		Keiner						Gesamtlänge ≤ 10 mm, einzeln Länge ≤ 2 mm
Sechskantplatten durch hochintensives Licht		Kumulierte Fläche ≤0,05 %						Kumulierte Fläche ≤0,1 %
Polytype Bereiche durch hochintensives Licht		Keiner						Kumulierte Fläche ≤ 3 %
Visuelle Kohlenstoffeinschlüsse		Kumulierte Fläche ≤0,05 %						Kumulierte Fläche ≤3 %
Kratzer auf der Siliziumoberfläche durch hochintensives Licht		Keiner						Gesamtlänge ≤ 1 × Waferdurchmesser
Kantensplitter mit hoher Lichtintensität		Nicht zulässig ≥0,2 mm Breite und Tiefe						5 zulässig, jeweils ≤1 mm
Kontamination der Siliziumoberfläche durch hohe Intensität		Keiner
Verpackung		Multi-Wafer-Kassette oder Einzelwafer-Behälter