6 Zoll 150 mm Siliziumkarbid-SiC-Wafer Typ 4H-N für MOS- oder SBD-Produktionsforschung und Dummy-Qualität
Anwendungsfelder
Das 6-Zoll-Siliziumkarbid-Einkristallsubstrat spielt in zahlreichen Branchen eine entscheidende Rolle. Es wird beispielsweise in der Halbleiterindustrie häufig zur Herstellung von Hochleistungselektronik wie Leistungstransistoren, integrierten Schaltkreisen und Leistungsmodulen eingesetzt. Seine hohe Wärmeleitfähigkeit und Temperaturbeständigkeit ermöglichen eine bessere Wärmeableitung und damit höhere Effizienz und Zuverlässigkeit. Siliziumkarbid-Wafer sind zudem in der Forschung für die Entwicklung neuer Materialien und Geräte unverzichtbar. Darüber hinaus finden Siliziumkarbid-Wafer breite Anwendung in der Optoelektronik, beispielsweise bei der Herstellung von LEDs und Laserdioden.
Produktspezifikationen
Das 6-Zoll-Siliziumkarbid-Einkristallsubstrat hat einen Durchmesser von 6 Zoll (ca. 152,4 mm). Die Oberflächenrauheit beträgt Ra < 0,5 nm, die Dicke 600 ± 25 μm. Das Substrat kann je nach Kundenwunsch mit N-Typ- oder P-Typ-Leitfähigkeit angepasst werden. Darüber hinaus weist es eine außergewöhnliche mechanische Stabilität auf und hält Druck und Vibrationen stand.
| Durchmesser | 150 ± 2,0 mm (6 Zoll) | ||||
| Dicke | 350 μm ± 25 μm | ||||
| Orientierung | Auf der Achse: <0001>±0,5° | Außerhalb der Achse: 4,0° in Richtung 1120±0,5° | |||
| Polytypie | 4H | ||||
| Spezifischer Widerstand (Ω·cm) | 4H-N | 0,015~0,028 Ω·cm/0,015~0,025 Ohm·cm | |||
| 4/6H-SI | >1E5 | ||||
| Primäre flache Ausrichtung | {10-10}±5,0° | ||||
| Primäre Flachlänge (mm) | 47,5 mm ± 2,5 mm | ||||
| Rand | Fase | ||||
| TTV/Bogen/Kette (um) | ≤15 /≤40 /≤60 | ||||
| AFM-Vorderseite (Si-Fläche) | Polieren Ra≤1 nm | ||||
| CMP Ra ≤ 0,5 nm | |||||
| LTV | ≤3μm (10mm x 10mm) | ≤5μm (10mm x 10mm) | ≤10μm (10mm*10mm) | ||
| TTV | ≤5μm | ≤10μm | ≤15μm | ||
| Orangenhaut/Grubben/Risse/Verunreinigungen/Flecken/Streifen | Keiner | Keiner | Keiner | ||
| Einrückungen | Keiner | Keiner | Keiner | ||
Das 6-Zoll-Siliziumkarbid-Einkristallsubstrat ist ein Hochleistungsmaterial, das in der Halbleiter-, Forschungs- und Optoelektronikindustrie weit verbreitet ist. Es bietet hervorragende Wärmeleitfähigkeit, mechanische Stabilität und hohe Temperaturbeständigkeit und eignet sich daher für die Herstellung von Hochleistungselektronikgeräten und die Forschung an neuen Materialien. Wir bieten verschiedene Spezifikationen und Anpassungsmöglichkeiten, um den unterschiedlichen Kundenanforderungen gerecht zu werden.Kontaktieren Sie uns für weitere Informationen zu Siliziumkarbid-Wafern!
Detailliertes Diagramm
