6 Zoll 150 mm Siliziumkarbid-SiC-Wafer vom Typ 4H-N für MOS- oder SBD-Produktionsforschung und Dummy-Qualität

Kurzbeschreibung:

Das 6-Zoll-Siliziumkarbid-Einkristallsubstrat ist ein Hochleistungsmaterial mit hervorragenden physikalischen und chemischen Eigenschaften. Es besteht aus hochreinem Siliziumkarbid-Einkristallmaterial und weist eine hervorragende Wärmeleitfähigkeit, mechanische Stabilität und Hochtemperaturbeständigkeit auf. Dieses mit Präzisionsfertigungsprozessen und hochwertigen Materialien hergestellte Substrat ist zum bevorzugten Material für die Herstellung hocheffizienter elektronischer Geräte in verschiedenen Bereichen geworden.

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Produktdetails

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Anwendungsfelder

Das 6-Zoll-Siliziumkarbid-Einkristallsubstrat spielt in zahlreichen Branchen eine entscheidende Rolle. Erstens wird es in der Halbleiterindustrie häufig für die Herstellung elektronischer Hochleistungsgeräte wie Leistungstransistoren, integrierte Schaltkreise und Leistungsmodule verwendet. Seine hohe Wärmeleitfähigkeit und Hochtemperaturbeständigkeit ermöglichen eine bessere Wärmeableitung, was zu einer verbesserten Effizienz und Zuverlässigkeit führt. Zweitens sind Siliziumkarbid-Wafer in Forschungsfeldern für die Entwicklung neuer Materialien und Geräte von wesentlicher Bedeutung. Darüber hinaus findet der Siliziumkarbid-Wafer umfangreiche Anwendungen im Bereich der Optoelektronik, einschließlich der Herstellung von LEDs und Laserdioden.

Produktspezifikationen

Das 6-Zoll-Siliziumkarbid-Einkristallsubstrat hat einen Durchmesser von 6 Zoll (ungefähr 152,4 mm). Die Oberflächenrauheit beträgt Ra < 0,5 nm und die Dicke beträgt 600 ± 25 μm. Das Substrat kann je nach Kundenwunsch entweder mit N-Typ- oder P-Typ-Leitfähigkeit angepasst werden. Darüber hinaus weist es eine außergewöhnliche mechanische Stabilität auf und hält Druck und Vibrationen stand.

Durchmesser		150 ± 2,0 mm (6 Zoll)
Dicke		350 μm ± 25 μm
Orientierung		Auf der Achse: <0001>±0,5°		Außerhalb der Achse: 4,0° in Richtung 1120 ± 0,5°
Polytypie		4H
Spezifischer Widerstand (Ω·cm)	4H-N	0,015~0,028 Ω·cm/0,015~0,025 Ohm·cm
	4/6H-SI	>1E5
Primäre flache Ausrichtung		{10-10}±5,0°
Primärflachlänge (mm)		47,5 mm ± 2,5 mm
Rand		Fase
TTV/Bogen/Warp (um)		≤15 /≤40 /≤60
AFM-Vorderseite (Si-Fläche)		Polnisch Ra≤1 nm
		CMP Ra≤0,5 nm
LTV		≤3μm(10mm*10mm)	≤5μm (10mm*10mm)		≤10μm (10mm*10mm)
TTV		≤5μm	≤10μm		≤15μm
Orangenschale/Kerne/Risse/Verunreinigung/Flecken/Streifen		Keiner	Keiner		Keiner
Einrückungen		Keiner	Keiner		Keiner

Das 6-Zoll-Siliziumkarbid-Einkristallsubstrat ist ein Hochleistungsmaterial, das in der Halbleiter-, Forschungs- und Optoelektronikindustrie weit verbreitet ist. Es bietet eine hervorragende Wärmeleitfähigkeit, mechanische Stabilität und Hochtemperaturbeständigkeit und eignet sich daher für die Herstellung elektronischer Hochleistungsgeräte und die Erforschung neuer Materialien. Wir bieten verschiedene Spezifikationen und Anpassungsoptionen, um den unterschiedlichen Kundenanforderungen gerecht zu werden.Kontaktieren Sie uns für weitere Informationen zu Siliziumkarbid-Wafern!