6-Zoll-Siliziumkarbid-Wafer (150 mm) vom Typ 4H-N für MOS- oder SBD-Produktion, Forschung und Dummy-Qualität
Anwendungsgebiete
Das 6-Zoll-Siliziumkarbid-Einkristallsubstrat spielt in zahlreichen Branchen eine entscheidende Rolle. Zum einen findet es breite Anwendung in der Halbleiterindustrie zur Herstellung von Hochleistungselektronikbauteilen wie Leistungstransistoren, integrierten Schaltungen und Leistungsmodulen. Seine hohe Wärmeleitfähigkeit und hohe Temperaturbeständigkeit ermöglichen eine bessere Wärmeableitung, was zu verbesserter Effizienz und Zuverlässigkeit führt. Zum anderen sind Siliziumkarbid-Wafer in der Forschung für die Entwicklung neuer Materialien und Bauelemente unerlässlich. Darüber hinaus finden Siliziumkarbid-Wafer vielfältige Anwendungen im Bereich der Optoelektronik, beispielsweise bei der Herstellung von LEDs und Laserdioden.
Produktspezifikationen
Das 6-Zoll-Siliziumkarbid-Einkristallsubstrat hat einen Durchmesser von 6 Zoll (ca. 152,4 mm). Die Oberflächenrauheit beträgt Ra < 0,5 nm, und die Dicke liegt bei 600 ± 25 μm. Das Substrat kann je nach Kundenwunsch mit N- oder P-Leitung ausgestattet werden. Darüber hinaus zeichnet es sich durch eine außergewöhnliche mechanische Stabilität aus und ist druck- und vibrationsbeständig.
| Durchmesser | 150±2,0 mm (6 Zoll) | ||||
| Dicke | 350 μm ± 25 μm | ||||
| Orientierung | Auf der Achse: <0001>±0,5° | Abweichung von der Achse: 4,0° in Richtung 1120±0,5° | |||
| Polytyp | 4H | ||||
| Spezifischer Widerstand (Ω·cm) | 4H-N | 0,015~0,028 Ω·cm/0,015~0,025 Ohm·cm | |||
| 4/6H-SI | >1E5 | ||||
| Primäre flache Ausrichtung | {10-10}±5,0° | ||||
| Primäre flache Länge (mm) | 47,5 mm ± 2,5 mm | ||||
| Rand | Fase | ||||
| TTV/Bow /Warp (um) | ≤15 /≤40 /≤60 | ||||
| AFM-Vorderseite (Si-Seite) | Polnische Ra≤1 nm | ||||
| CMP Ra≤0,5 nm | |||||
| LTV | ≤3μm (10 mm * 10 mm) | ≤5μm (10 mm * 10 mm) | ≤10μm (10 mm * 10 mm) | ||
| TTV | ≤5μm | ≤10μm | ≤15μm | ||
| Orangenschalen/Narben/Risse/Verunreinigungen/Flecken/Streifen | Keiner | Keiner | Keiner | ||
| Einzüge | Keiner | Keiner | Keiner | ||
Das 6-Zoll-Siliziumkarbid-Einkristallsubstrat ist ein Hochleistungsmaterial, das in der Halbleiter-, Forschungs- und Optoelektronikindustrie weit verbreitet ist. Es bietet hervorragende Wärmeleitfähigkeit, mechanische Stabilität und Hochtemperaturbeständigkeit und eignet sich daher für die Herstellung von Hochleistungselektronikbauteilen und die Materialforschung. Wir bieten verschiedene Spezifikationen und Anpassungsmöglichkeiten, um den unterschiedlichen Kundenanforderungen gerecht zu werden.Kontaktieren Sie uns für weitere Informationen zu Siliziumkarbid-Wafern!
Detailliertes Diagramm
