4H-N/6H-N SiC-Wafer, Forschungsproduktion, Dummy-Qualität, Durchmesser 150 mm, Siliziumkarbid-Substrat

Kurze Beschreibung:

Wir liefern hochtemperatursupraleitende Dünnschichtsubstrate, magnetische Dünnschichten und ferroelektrische Dünnschichtsubstrate, Halbleiterkristalle, optische Kristalle und Laserkristallmaterialien und bieten gleichzeitig Orientierung, Kristallschneiden, Schleifen, Polieren und andere Verarbeitungsdienstleistungen an. Unsere SiC-Substrate stammen aus der Tankeblue-Fabrik in China.

Senden Sie uns eine E-Mail

Merkmale

Spezifikation für Siliziumkarbid-Substrat (SiC) mit 6 Zoll Durchmesser

Grad	Null MPD	Produktion	Forschungsqualität	Dummy-Klasse
Durchmesser	150,0 mm ± 0,25 mm
Dicke	4H-N	350 µm±25 µm
	4H-SI	500µm±25µm
Waferorientierung	Auf der Achse: <0001>±0,5° für 4H-SI Außerhalb der Achse: 4,0° in Richtung <1120>±0,5° für 4H-N
Primärwohnung	{10-10}±5,0°
Primäre flache Länge	47,5 mm ± 2,5 mm
Kantenausschluss	3 mm
TTV/Bogen/Kette	≤15 µm/≤40 µm/≤60 µm
Mikrorohrdichte	≤1cm-2	≤5cm-2	≤15cm-2	≤50cm-2
Spezifischer Widerstand 4H-N 4H-SI	0,015~0,028Ω!cm
	≥1E5Ω!cm
Rauheit	Poliert Ra ≤1 nm CMP Ra ≤0,5 nm
#Risse durch hochintensives Licht	Keiner		1 zulässig, ≤2 mm	Kumulative Länge ≤10 mm, Einzellänge ≤2 mm
* Sechskantplatten durch hochintensives Licht	Kumulative Fläche ≤1 %		Kumulative Fläche ≤ 2 %	Kumulative Fläche ≤ 5 %
*Polytypbereiche durch hochintensives Licht	Keiner		Kumulative Fläche ≤ 2 %	Kumulative Fläche ≤ 5 %
*&Kratzer durch hochintensives Licht	3 Kratzer auf 1 x Waferdurchmesser, kumulative Länge		5 Kratzer auf 1 x Waferdurchmesser, kumulative Länge	5 Kratzer auf 1 x Waferdurchmesser kumulative Länge
Randchip	Keiner		3 zulässig, jeweils ≤0,5 mm	5 zulässig, jeweils ≤1 mm
Kontamination durch hochintensives Licht	Keiner

Vertrieb & Kundenservice

Materialeinkauf

Die Materialeinkaufsabteilung ist für die Beschaffung aller Rohstoffe verantwortlich, die zur Herstellung Ihres Produkts benötigt werden. Eine lückenlose Rückverfolgbarkeit aller Produkte und Materialien, einschließlich chemischer und physikalischer Analysen, ist jederzeit gewährleistet.

Qualität

Während und nach der Herstellung oder Bearbeitung Ihrer Produkte ist die Qualitätskontrollabteilung damit beschäftigt, sicherzustellen, dass alle Materialien und Toleranzen Ihren Spezifikationen entsprechen oder diese übertreffen.

Service

Wir sind stolz auf unsere Vertriebsingenieure mit über 5 Jahren Erfahrung in der Halbleiterindustrie. Sie sind geschult, technische Fragen zu beantworten und Ihnen zeitnah Angebote für Ihre Bedürfnisse zu unterbreiten.

Wir stehen Ihnen jederzeit zur Seite, wenn Sie ein Problem haben, und lösen es innerhalb von 10 Stunden.