4H-N/6H-N SiC-Wafer, Forschungsproduktion, Dummy-Qualität, Durchmesser 150 mm, Siliziumkarbid-Substrat
Spezifikation für Siliziumkarbid-Substrat (SiC) mit 6 Zoll Durchmesser
| Grad | Null MPD | Produktion | Forschungsqualität | Dummy-Klasse |
| Durchmesser | 150,0 mm ± 0,25 mm | |||
| Dicke | 4H-N | 350 µm ± 25 µm | ||
| 4H-SI | 500 µm ± 25 µm | |||
| Waferorientierung | Auf der Achse: <0001>±0,5° für 4H-SI | |||
| Primärwohnung | {10-10}±5,0° | |||
| Primäre flache Länge | 47,5 mm ± 2,5 mm | |||
| Kantenausschluss | 3 mm | |||
| TTV/Bogen/Kette | ≤15 µm/≤40 µm/≤60 µm | |||
| Mikrorohrdichte | ≤1cm-2 | ≤5cm-2 | ≤15cm-2 | ≤50cm-2 |
| Spezifischer Widerstand 4H-N 4H-SI | 0,015 bis 0,028 Ω!cm | |||
| ≥1E5Ω!cm | ||||
| Rauheit | Poliert Ra ≤1 nm CMP Ra ≤0,5 nm | |||
| #Risse durch hochintensives Licht | Keiner | 1 zulässig, ≤2 mm | Kumulative Länge ≤10mm, Einzellänge ≤2mm | |
| * Sechskantplatten durch hochintensives Licht | Kumulative Fläche ≤1 % | Kumulative Fläche ≤ 2 % | Kumulative Fläche ≤ 5 % | |
| *Polytypiebereiche durch hochintensives Licht | Keiner | Kumulative Fläche ≤ 2 % | Kumulative Fläche ≤ 5 % | |
| *&Kratzer durch hochintensives Licht | 3 Kratzer auf 1 x Waferdurchmesser, kumulative Länge | 5 Kratzer auf 1 x Waferdurchmesser, Gesamtlänge | 5 Kratzer bis 1 x Waferdurchmesser kumulative Länge | |
| Randchip | Keiner | 3 zulässig, jeweils ≤0,5 mm | 5 zulässig, jeweils ≤1 mm | |
| Kontamination durch hochintensives Licht | Keiner
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Vertrieb & Kundenservice
Materialeinkauf
Die Materialeinkaufsabteilung ist für die Beschaffung aller Rohstoffe verantwortlich, die zur Herstellung Ihres Produkts benötigt werden. Die vollständige Rückverfolgbarkeit aller Produkte und Materialien, einschließlich chemischer und physikalischer Analysen, ist jederzeit gewährleistet.
Qualität
Während und nach der Herstellung oder Bearbeitung Ihrer Produkte sorgt die Qualitätskontrollabteilung dafür, dass alle Materialien und Toleranzen Ihren Spezifikationen entsprechen oder diese übertreffen.
Service
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