Substrat
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200 mm SiC-Substrat, Dummy-Klasse 4H-N, 8 Zoll SiC-Wafer
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99,999 % Al2O3 Saphir-Boule, einkristallines, transparentes Material
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SiO2-Dünnschicht-Thermooxid-Siliziumwafer 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll 12 Zoll
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4H-N Dia205mm SiC-Seed aus China, monokristallin, Klasse P und D
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Silicon-On-Insulator-Substrat (SOI) mit drei Schichten für Mikroelektronik und Hochfrequenz
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Dia150mm 4H-N 6 Zoll SiC-Substrat Produktion und Dummy-Qualität
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3 Zoll Durchmesser 76,2 mm Saphir-Wafer, 0,5 mm Dicke, C-Plane SSP
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SOI-Wafer-Isolator auf 8-Zoll- und 6-Zoll-SOI-Wafern (Silicon-On-Insulator) aus Silizium
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4-Zoll-SiC-Epi-Wafer für MOS oder SBD
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2-Zoll-SiC-Barren, Durchmesser 50,8 mm x 10 mm, 4H-N-Monokristall
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6-Zoll-SiC-Epitaxie-Wafer vom Typ N/P, kundenspezifisch
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Siliziumdioxid-Wafer, SiO2-Wafer, dick, poliert, Prime- und Testqualität