Substrat
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3 Zoll Durchmesser 76,2 mm Saphir-Wafer, 0,5 mm Dicke, C-Plane SSP
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4-Zoll-SiC-Epi-Wafer für MOS oder SBD
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SiO2-Dünnschicht-Thermooxid-Silizium-Wafer 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll 12 Zoll
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2-Zoll-SiC-Block, Durchmesser 50,8 mm x 10 mm, 4H-N-Monokristall
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Silicon-On-Insulator-Substrat (SOI) mit drei Schichten für Mikroelektronik und Hochfrequenz
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SOI-Wafer-Isolator auf 8-Zoll- und 6-Zoll-SOI-Wafer (Silicon-On-Insulator)
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4-Zoll-SiC-Wafer 6H Halbisolierende SiC-Substrate in Prime-, Forschungs- und Dummy-Qualität
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6-Zoll-HPSI-SiC-Substratwafer. Halbisolierende SiC-Wafer aus Siliziumkarbid
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4-Zoll-Halbisolierende SiC-Wafer HPSI-SiC-Substrat Prime Production-Qualität
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3 Zoll 76,2 mm 4H-Semi-SiC-Substrat-Wafer. Halbisolierende SiC-Wafer aus Siliziumkarbid
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3 Zoll Durchmesser 76,2 mm SiC-Substrate HPSI Prime Research und Dummy-Qualität
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4H-semi HPSI 2-Zoll-SiC-Substrat-Wafer Produktions-Dummy Forschungsqualität