Substrat
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Silizium-auf-Isolator-Substrat (SOI-Wafer) mit drei Schichten für Mikroelektronik und Hochfrequenztechnik
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SOI-Waferisolator auf Silizium 8-Zoll- und 6-Zoll-SOI-Wafer (Silicon-On-Insulator)
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6-Zoll-SiC-Epitaxie-Wafer, Typ N/P, kundenspezifische Anpassung möglich
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Aluminiumoxid-Keramikscheibe, 4 Zoll, Reinheit 99 %, polykristallin, verschleißfest, 1 mm Dicke
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200-mm-SiC-Substrat, Dummy-Qualität 4H-N, 8-Zoll-SiC-Wafer
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Siliziumdioxid-Wafer (SiO2), dick, poliert, Prime- und Testqualität
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4H-N Dia205mm SiC-Impfkristalle aus China, monokristallin, P- und D-Qualität
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FZ CZ Si-Wafer auf Lager, 12-Zoll-Siliziumwafer, Prime oder Test
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Dia150mm 4H-N 6inch SiC-Substrat Produktions- und Dummyqualität
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3-Zoll-Saphirwafer, Durchmesser 76,2 mm, 0,5 mm Dicke, C-Ebene, SSP
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8-Zoll-Siliziumwafer P/N-Typ (100) 1-100Ω Dummy-Rückgewinnungssubstrat
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4-Zoll-SiC-Epi-Wafer für MOS oder SBD