Substrat
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Silicon-On-Insulator-Substrat (SOI) mit drei Schichten für Mikroelektronik und Hochfrequenz
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12-Zoll-Saphir-Wafer C-Plane SSP/DSP
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SOI-Wafer-Isolator auf 8-Zoll- und 6-Zoll-SOI-Wafer (Silicon-On-Insulator)
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200 kg C-Plane Saphire Boule 99,999 % 99,999 % monokristallin KY-Methode
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99,999 % Al2O3 Saphir-Boule, einkristallines, transparentes Material
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Aluminiumoxid-Keramik-Wafer, 4 Zoll, Reinheit 99 %, polykristallin, verschleißfest, 1 mm Dicke
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Siliziumdioxid-Wafer SiO2-Wafer dick poliert, Prime und Test Grade
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200 mm SiC-Substrat, Dummy-Klasse 4H-N, 8 Zoll SiC-Wafer
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4-Zoll-SiC-Wafer 6H Halbisolierende SiC-Substrate in Prime-, Forschungs- und Dummy-Qualität
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6-Zoll-HPSI-SiC-Substratwafer. Halbisolierende SiC-Wafer aus Siliziumkarbid
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4-Zoll-Halbisolierende SiC-Wafer HPSI-SiC-Substrat Prime Production-Qualität
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3 Zoll 76,2 mm 4H-Semi-SiC-Substrat-Wafer. Halbisolierende SiC-Wafer aus Siliziumkarbid