Substrat
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N-Typ-SiC-Verbundsubstrate, Durchmesser 6 Zoll, hochwertiges monokristallines und minderwertiges Substrat
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Halbisolierendes SiC auf Si-Verbundsubstraten
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Halbisolierende SiC-Verbundsubstrate Dia2inch 4inch 6inch 8inch HPSI
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Synthetischer Saphir-Boule, monokristalliner Saphir-Rohling, Durchmesser und Dicke können individuell angepasst werden
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N-Typ SiC auf Si-Verbundsubstraten, Durchmesser 6 Zoll
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SiC-Substrat Dia200mm 4H-N und HPSI Siliziumkarbid
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3-Zoll-SiC-Substrat-Produktionsdurchmesser 76,2 mm 4H-N
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SiC-Substrat P und D-Klasse Dia50mm 4H-N 2 Zoll
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TGV Glassubstrate 12-Zoll-Wafer Glasstanzen
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SiC-Ingot 4H-N Typ Dummy-Qualität 2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll 6 Zoll Dicke: >10 mm
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SOI-Wafer-Isolator auf 8-Zoll- und 6-Zoll-SOI-Wafer (Silicon-On-Insulator)
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12-Zoll-Saphir-Wafer C-Plane SSP/DSP