SiC
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2 Zoll Sic-Siliziumkarbid-Substrat 6H-N Typ 0,33 mm 0,43 mm doppelseitiges Polieren Hohe Wärmeleitfähigkeit geringer Stromverbrauch
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SiC-Substrat 3 Zoll, 350 µm Dicke, HPSI-Typ, Prime Grade, Dummy Grade
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Siliziumkarbid-SiC-Ingot 6 Zoll N-Typ Dummy/Prime-Grade-Dicke kann individuell angepasst werden
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6 Zoll Siliziumkarbid 4H-SiC halbisolierender Barren, Dummy-Qualität
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SiC-Barren Typ 4H, Durchmesser 4 Zoll, 6 Zoll, Dicke 5–10 mm, Forschungs-/Dummy-Qualität
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Sic-Substrat Siliziumkarbid-Wafer Typ 4H-N Hohe Härte Korrosionsbeständigkeit Erstklassiges Polieren
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2-Zoll-Siliziumkarbid-Wafer 6H-N Typ Prime Grade Research Grade Dummy Grade 330μm 430μm Dicke
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2 Zoll Siliziumkarbidsubstrat 6H-N, doppelseitig poliert, Durchmesser 50,8 mm, Produktionsqualität, Forschungsqualität
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N-Typ-SiC-Verbundsubstrate, Durchmesser 6 Zoll, hochwertiges monokristallines und minderwertiges Substrat
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Halbisolierende SiC-Verbundsubstrate Dia2inch 4inch 6inch 8inch HPSI
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N-Typ SiC auf Si-Verbundsubstraten, Durchmesser 6 Zoll
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SiC-Substrat Dia200mm 4H-N und HPSI Siliziumkarbid