SiC
-
6 Zoll halbisolierender Siliziumkarbid-4H-SiC-Barren, Dummy-Qualität
-
SiC-Barren, Typ 4H, Durchmesser 4 Zoll, 6 Zoll, Dicke 5–10 mm, Forschungs-/Dummy-Qualität
-
3 Zoll hochreine (undotierte) Siliziumkarbidwafer halbisolierende Sic-Substrate (HPSl)
-
Sic-Substrat-Siliziumkarbid-Wafer 4H-N-Typ, hohe Härte, Korrosionsbeständigkeit, erstklassiges Polieren
-
2-Zoll-Siliziumkarbidwafer 6H-N-Typ Prime Grade Research Grade Dummy Grade 330 μm 430 μm Dicke
-
2-Zoll-Siliziumkarbidsubstrat 6H-N, doppelseitig poliert, Durchmesser 50,8 mm, Produktionsqualität, Forschungsqualität
-
N-Typ-SiC-Verbundsubstrate mit einem Durchmesser von 6 Zoll. Hochwertiges monokristallines und minderwertiges Substrat
-
Halbisolierende SiC-Verbundsubstrate Dia2inch 4inch 6inch 8inch HPSI
-
SiC vom N-Typ auf Si-Verbundsubstraten mit einem Durchmesser von 6 Zoll
-
SiC-Substrat Dia200mm 4H-N und HPSI-Siliziumkarbid
-
3-Zoll-SiC-Substratproduktionsdurchmesser 76,2 mm 4H-N
-
SiC-Substrat P- und D-Qualität, Durchmesser 50 mm, 4H-N 2 Zoll