SiC
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SiC-Substrat Dia200mm 4H-N und HPSI Siliziumkarbid
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3-Zoll-SiC-Substratproduktionsdurchmesser 76,2 mm 4H-N
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SiC-Substrat P- und D-Qualität, Durchmesser 50 mm, 4H-N 2 Zoll
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4H-N/6H-N SiC Wafer Forschungsproduktion Dummy-Qualität Dia150mm Siliziumkarbidsubstrat
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2-Zoll-SiC-Barren, Durchmesser 50,8 mm x 10 mm, 4H-N-Einkristall
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200 mm SiC-Substrat-Dummy-Qualität 4H-N 8-Zoll-SiC-Wafer
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4H-N Dia205mm SiC-Samen aus monokristallinem P- und D-Qualität aus China
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6-Zoll-SiC-Epitaxie-Wafer N/P-Typ akzeptieren kundenspezifische Anpassungen
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Durchmesser 150 mm 4H-N 6 Zoll SiC-Substrat Produktion und Dummy-Qualität
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4-Zoll-SiC-Epi-Wafer für MOS oder SBD
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4-Zoll-SiC-Wafer, halbisolierende 6H-SiC-Substrate, erstklassige, Forschungs- und Dummy-Qualität
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6-Zoll-HPSI-SiC-Substratwafer, halbisolierende Siliziumkarbid-SiC-Wafer