SiC
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4H-N HPSI SiC-Wafer, 6H-N 6H-P 3C-N SiC-Epitaxie-Wafer für MOS oder SBD
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SiC-Epitaxie-Wafer für Leistungshalbleiter – 4H-SiC, N-Typ, geringe Defektdichte
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4H-N-Typ SiC-Epitaxiewafer für Hochspannung und Hochfrequenz
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3-Zoll-Siliziumkarbid-Wafer (hochrein, undotiert) auf halbisolierenden SiC-Substraten (HPSl)
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4H-N 8-Zoll-SiC-Substratwafer, Siliziumkarbid-Dummy, Forschungsqualität, 500 µm Dicke
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4H-N/6H-N SiC-Wafer-Forschungsproduktion, Dummy-Qualität, Durchmesser 150 mm, Siliziumkarbid-Substrat
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Goldbeschichteter Wafer, Saphirwafer, Siliziumwafer, SiC-Wafer, 2 Zoll, 4 Zoll, 6 Zoll, Goldbeschichtungsdicke 10 nm, 50 nm, 100 nm
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SiC-Wafer 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C Typ 2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll
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2-Zoll-Siliciumcarbid-Substrat, Typ 6H-N, 0,33 mm x 0,43 mm, beidseitig poliert, hohe Wärmeleitfähigkeit, geringer Stromverbrauch
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SiC-Substrat, 3 Zoll, 350 µm Dicke, HPSI-Typ, Prime-Qualität, Dummy-Qualität
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Siliziumkarbid-Ingot (SiC), 6 Zoll, Typ N, Dummy-/Primärqualität, Dicke anpassbar
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6 Zoll Siliziumkarbid 4H-SiC halbisolierender Ingot, Dummy-Qualität