SiC
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4H-N 8 Zoll SiC-Substrat-Wafer Siliziumkarbid-Dummy Forschungsqualität 500 µm Dicke
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4H-N/6H-N SiC-Wafer, Forschungsproduktion, Dummy-Qualität, Durchmesser 150 mm, Siliziumkarbid-Substrat
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Au-beschichteter Wafer, Saphir-Wafer, Silizium-Wafer, SiC-Wafer, 2 Zoll, 4 Zoll, 6 Zoll, Goldbeschichtung, Dicke 10 nm, 50 nm, 100 nm
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SiC-Wafer 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C Typ 2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll
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2 Zoll Sic-Siliziumkarbid-Substrat 6H-N Typ 0,33 mm 0,43 mm doppelseitiges Polieren Hohe Wärmeleitfähigkeit geringer Stromverbrauch
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SiC-Substrat 3 Zoll, 350 µm Dicke, HPSI-Typ, Prime Grade, Dummy Grade
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Siliziumkarbid-SiC-Ingot 6 Zoll N-Typ Dummy/Prime-Grade-Dicke kann individuell angepasst werden
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6 Zoll Siliziumkarbid 4H-SiC halbisolierender Barren, Dummy-Qualität
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SiC-Barren Typ 4H, Durchmesser 4 Zoll, 6 Zoll, Dicke 5–10 mm, Forschungs-/Dummy-Qualität
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Sic-Substrat Siliziumkarbid-Wafer Typ 4H-N Hohe Härte Korrosionsbeständigkeit Erstklassiges Polieren
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2-Zoll-Siliziumkarbid-Wafer 6H-N Typ Prime Grade Research Grade Dummy Grade 330μm 430μm Dicke
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2 Zoll Siliziumkarbidsubstrat 6H-N, doppelseitig poliert, Durchmesser 50,8 mm, Produktionsqualität, Forschungsqualität