SiC-Substrat, 3 Zoll, 350 µm Dicke, HPSI-Typ, Prime-Qualität, Dummy-Qualität
Eigenschaften
| Parameter | Produktionsqualität | Forschungsqualität | Dummy-Note | Einheit |
| Grad | Produktionsqualität | Forschungsqualität | Dummy-Note | |
| Durchmesser | 76,2 ± 0,5 | 76,2 ± 0,5 | 76,2 ± 0,5 | mm |
| Dicke | 500 ± 25 | 500 ± 25 | 500 ± 25 | µm |
| Wafer-Ausrichtung | Auf der Achse: <0001> ± 0,5° | Auf der Achse: <0001> ± 2,0° | Auf der Achse: <0001> ± 2,0° | Grad |
| Mikrorohrdichte (MPD) | ≤ 1 | ≤ 5 | ≤ 10 | cm−2^-2−2 |
| Elektrischer Widerstand | ≥ 1E10 | ≥ 1E5 | ≥ 1E5 | Ω·cm |
| Dopant | Undotiert | Undotiert | Undotiert | |
| Primäre flache Ausrichtung | {1-100} ± 5,0° | {1-100} ± 5,0° | {1-100} ± 5,0° | Grad |
| Primäre Flachlänge | 32,5 ± 3,0 | 32,5 ± 3,0 | 32,5 ± 3,0 | mm |
| Sekundäre Flachlänge | 18,0 ± 2,0 | 18,0 ± 2,0 | 18,0 ± 2,0 | mm |
| Sekundäre flache Ausrichtung | 90° im Uhrzeigersinn von der primären Ebene ± 5,0° | 90° im Uhrzeigersinn von der primären Ebene ± 5,0° | 90° im Uhrzeigersinn von der primären Ebene ± 5,0° | Grad |
| Kantenausschluss | 3 | 3 | 3 | mm |
| LTV/TTV/Bogen/Warp | 3 / 10 / ±30 / 40 | 3 / 10 / ±30 / 40 | 5 / 15 / ±40 / 45 | µm |
| Oberflächenrauheit | Si-Seite: CMP, C-Seite: Poliert | Si-Seite: CMP, C-Seite: Poliert | Si-Seite: CMP, C-Seite: Poliert | |
| Risse (Hochintensives Licht) | Keiner | Keiner | Keiner | |
| Sechseckige Platten (Hochleistungslicht) | Keiner | Keiner | Kumulierte Fläche 10% | % |
| Polytypbereiche (Hochintensives Licht) | Kumulative Fläche 5% | Kumulierte Fläche 20% | Kumulierte Fläche 30% | % |
| Kratzer (Hochintensives Licht) | ≤ 5 Kratzer, Gesamtlänge ≤ 150 | ≤ 10 Kratzer, Gesamtlänge ≤ 200 | ≤ 10 Kratzer, Gesamtlänge ≤ 200 | mm |
| Kantenabsplitterung | Keine ≥ 0,5 mm Breite/Tiefe | 2 zulässige Breite/Tiefe ≤ 1 mm | 5 zulässige ≤ 5 mm Breite/Tiefe | mm |
| Oberflächenverunreinigung | Keiner | Keiner | Keiner |
Anwendungen
1. Hochleistungselektronik
Die überlegene Wärmeleitfähigkeit und die große Bandlücke von SiC-Wafern machen sie ideal für Hochleistungs- und Hochfrequenzbauelemente:
●MOSFETs und IGBTs zur Leistungswandlung.
●Fortschrittliche Stromversorgungssysteme für Elektrofahrzeuge, einschließlich Wechselrichter und Ladegeräte.
●Intelligente Stromnetzinfrastruktur und Systeme für erneuerbare Energien.
2. HF- und Mikrowellensysteme
SiC-Substrate ermöglichen Hochfrequenz-HF- und Mikrowellenanwendungen mit minimalem Signalverlust:
●Telekommunikations- und Satellitensysteme.
●Radarsysteme für die Luft- und Raumfahrt.
●Fortschrittliche 5G-Netzwerkkomponenten.
3. Optoelektronik und Sensoren
Die einzigartigen Eigenschaften von SiC unterstützen eine Vielzahl optoelektronischer Anwendungen:
●UV-Detektoren für Umweltüberwachung und industrielle Sensorik.
●LED- und Lasersubstrate für Festkörperbeleuchtung und Präzisionsinstrumente.
●Hochtemperatursensoren für die Luft- und Raumfahrt- sowie die Automobilindustrie.
4. Forschung und Entwicklung
Die Vielfalt der Ausführungsstufen (Produktion, Forschung, Dummy) ermöglicht innovative Experimente und die Entwicklung von Geräteprototypen in Wissenschaft und Industrie.
Vorteile
●Zuverlässigkeit:Ausgezeichnete Widerstandsfähigkeit und Stabilität über alle Sorten hinweg.
●Anpassung:Maßgeschneiderte Ausrichtungen und Stärken für unterschiedliche Bedürfnisse.
●Hohe Reinheit:Die undotierte Zusammensetzung gewährleistet minimale, durch Verunreinigungen bedingte Schwankungen.
●Skalierbarkeit:Erfüllt die Anforderungen sowohl der Massenproduktion als auch der experimentellen Forschung.
Die 3-Zoll-SiC-Wafer mit hoher Reinheit sind Ihr Schlüssel zu Hochleistungsbauelementen und innovativen technologischen Entwicklungen. Für Anfragen und detaillierte Spezifikationen kontaktieren Sie uns noch heute.
Zusammenfassung
Die 3-Zoll-Siliziumkarbid-Wafer (SiC) mit hoher Reinheit sind in den Qualitätsstufen Produktion, Forschung und Dummy erhältlich und stellen Premium-Substrate für Hochleistungselektronik, HF-/Mikrowellensysteme, Optoelektronik und fortschrittliche Forschung und Entwicklung dar. Diese Wafer zeichnen sich durch undotierte, halbisolierende Eigenschaften mit exzellentem spezifischem Widerstand (≥ 1E10 Ω·cm für die Produktionsqualität), geringer Mikroporendichte (≤ 1 cm−2^-2−2) und außergewöhnlicher Oberflächenqualität aus. Sie sind optimiert für Hochleistungsanwendungen wie Leistungsumwandlung, Telekommunikation, UV-Sensorik und LED-Technologien. Dank anpassbarer Ausrichtung, überlegener Wärmeleitfähigkeit und robuster mechanischer Eigenschaften ermöglichen diese SiC-Wafer eine effiziente und zuverlässige Gerätefertigung sowie bahnbrechende Innovationen in verschiedenen Branchen.
Detailliertes Diagramm
