SiC-Substrat 3 Zoll, 350 µm Dicke, HPSI-Typ, Prime Grade, Dummy Grade
Eigenschaften
| Parameter | Produktionsqualität | Forschungsqualität | Dummy-Klasse | Einheit |
| Grad | Produktionsqualität | Forschungsqualität | Dummy-Klasse | |
| Durchmesser | 76,2 ± 0,5 | 76,2 ± 0,5 | 76,2 ± 0,5 | mm |
| Dicke | 500 ± 25 | 500 ± 25 | 500 ± 25 | µm |
| Waferorientierung | Auf der Achse: <0001> ± 0,5° | Auf der Achse: <0001> ± 2,0° | Auf der Achse: <0001> ± 2,0° | Grad |
| Mikrorohrdichte (MPD) | ≤ 1 | ≤ 5 | ≤ 10 | cm−2^-2−2 |
| Elektrischer Widerstand | ≥ 1E10 | ≥ 1E5 | ≥ 1E5 | Ω·cm |
| Dotierstoff | Undotiert | Undotiert | Undotiert | |
| Primäre flache Ausrichtung | {1-100} ± 5,0° | {1-100} ± 5,0° | {1-100} ± 5,0° | Grad |
| Primäre flache Länge | 32,5 ± 3,0 | 32,5 ± 3,0 | 32,5 ± 3,0 | mm |
| Sekundäre flache Länge | 18,0 ± 2,0 | 18,0 ± 2,0 | 18,0 ± 2,0 | mm |
| Sekundäre flache Ausrichtung | 90° im Uhrzeigersinn von der Primärebene ± 5,0° | 90° im Uhrzeigersinn von der Primärebene ± 5,0° | 90° im Uhrzeigersinn von der Primärebene ± 5,0° | Grad |
| Kantenausschluss | 3 | 3 | 3 | mm |
| LTV/TTV/Bug/Kette | 3 / 10 / ±30 / 40 | 3 / 10 / ±30 / 40 | 5 / 15 / ±40 / 45 | µm |
| Oberflächenrauheit | Si-Fläche: CMP, C-Fläche: Poliert | Si-Fläche: CMP, C-Fläche: Poliert | Si-Fläche: CMP, C-Fläche: Poliert | |
| Risse (Hochintensitätslicht) | Keiner | Keiner | Keiner | |
| Sechskantplatten (Hochintensitätslicht) | Keiner | Keiner | Kumulative Fläche 10 % | % |
| Polytypiebereiche (Hochintensitätslicht) | Kumulative Fläche 5 % | Kumulative Fläche 20 % | Kumulative Fläche 30 % | % |
| Kratzer (Hochintensitätslicht) | ≤ 5 Kratzer, Gesamtlänge ≤ 150 | ≤ 10 Kratzer, Gesamtlänge ≤ 200 | ≤ 10 Kratzer, Gesamtlänge ≤ 200 | mm |
| Kantenabsplitterung | Keine ≥ 0,5 mm Breite/Tiefe | 2 zulässig ≤ 1 mm Breite/Tiefe | 5 zulässig ≤ 5 mm Breite/Tiefe | mm |
| Oberflächenkontamination | Keiner | Keiner | Keiner |
Anwendungen
1. Hochleistungselektronik
Aufgrund ihrer überlegenen Wärmeleitfähigkeit und großen Bandlücke eignen sich SiC-Wafer ideal für Hochleistungs- und Hochfrequenzgeräte:
●MOSFETs und IGBTs zur Leistungsumwandlung.
● Fortschrittliche Stromversorgungssysteme für Elektrofahrzeuge, einschließlich Wechselrichter und Ladegeräte.
●Smart-Grid-Infrastruktur und Systeme für erneuerbare Energien.
2. HF- und Mikrowellensysteme
SiC-Substrate ermöglichen Hochfrequenz-HF- und Mikrowellenanwendungen mit minimalem Signalverlust:
●Telekommunikations- und Satellitensysteme.
●Radarsysteme für die Luft- und Raumfahrt.
●Erweiterte 5G-Netzwerkkomponenten.
3. Optoelektronik und Sensoren
Die einzigartigen Eigenschaften von SiC unterstützen eine Vielzahl optoelektronischer Anwendungen:
●UV-Detektoren für Umweltüberwachung und industrielle Sensorik.
●LED- und Lasersubstrate für Festkörperbeleuchtung und Präzisionsinstrumente.
●Hochtemperatursensoren für die Luft- und Raumfahrt- und Automobilindustrie.
4. Forschung und Entwicklung
Die Vielfalt der Stufen (Produktion, Forschung, Dummy) ermöglicht hochmoderne Experimente und Geräteprototypenentwicklung in Wissenschaft und Industrie.
Vorteile
●Zuverlässigkeit:Hervorragender Widerstand und Stabilität über alle Qualitäten hinweg.
●Anpassung:Maßgeschneiderte Ausrichtungen und Dicken für unterschiedliche Anforderungen.
●Hohe Reinheit:Die undotierte Zusammensetzung gewährleistet minimale, verunreinigungsbedingte Schwankungen.
●Skalierbarkeit:Erfüllt sowohl die Anforderungen der Massenproduktion als auch der experimentellen Forschung.
Die 3-Zoll-SiC-Wafer mit hoher Reinheit eröffnen Ihnen leistungsstarke Geräte und innovative technologische Fortschritte. Für Anfragen und detaillierte Spezifikationen kontaktieren Sie uns noch heute.
Zusammenfassung
Die 3-Zoll-Wafer aus hochreinem Siliziumkarbid (SiC), erhältlich in den Qualitäten Produktion, Forschung und Dummy, sind Premium-Substrate für Hochleistungselektronik, HF-/Mikrowellensysteme, Optoelektronik und fortschrittliche Forschung und Entwicklung. Diese Wafer zeichnen sich durch undotierte, halbisolierende Eigenschaften mit exzellentem Widerstand (≥1E10 Ω·cm in der Produktionsqualität), geringer Mikroröhrendichte (≤1 cm−2^-2−2) und außergewöhnlicher Oberflächenqualität aus. Sie sind für Hochleistungsanwendungen optimiert, darunter Energieumwandlung, Telekommunikation, UV-Sensorik und LED-Technologien. Dank anpassbarer Ausrichtung, überlegener Wärmeleitfähigkeit und robuster mechanischer Eigenschaften ermöglichen diese SiC-Wafer eine effiziente und zuverlässige Geräteherstellung und bahnbrechende Innovationen in allen Branchen.
Detailliertes Diagramm
