SiC-Wafer 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C Typ 2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll

Kurzbeschreibung:

Wir bieten eine vielfältige Auswahl an hochwertigen SiC-Wafern (Siliziumkarbid), insbesondere N-leitende 4H-N- und 6H-N-Wafer. Diese eignen sich ideal für Anwendungen in der modernen Optoelektronik, Leistungselektronik und Hochtemperaturumgebungen. N-leitende Wafer zeichnen sich durch ihre außergewöhnliche Wärmeleitfähigkeit, hervorragende elektrische Stabilität und bemerkenswerte Langlebigkeit aus und sind daher perfekt für Hochleistungsanwendungen wie Leistungselektronik, Antriebssysteme für Elektrofahrzeuge, Wechselrichter für erneuerbare Energien und industrielle Stromversorgungen geeignet. Zusätzlich zu unseren N-leitenden Wafern bieten wir auch P-leitende 4H/6H-P- und 3C-SiC-Wafer für spezielle Anforderungen an, darunter Hochfrequenz- und HF-Bauelemente sowie photonische Anwendungen. Unsere Wafer sind in Größen von 2 bis 8 Zoll erhältlich, und wir bieten maßgeschneiderte Lösungen, um die spezifischen Anforderungen verschiedener Industriezweige zu erfüllen. Für weitere Informationen oder Anfragen kontaktieren Sie uns bitte.

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Merkmale

Eigenschaften

4H-N und 6H-N (N-Typ SiC-Wafer)

Anwendung:Hauptsächlich eingesetzt in der Leistungselektronik, Optoelektronik und bei Hochtemperaturanwendungen.

Durchmesserbereich:50,8 mm bis 200 mm.

Dicke:350 μm ± 25 μm, mit optionalen Dicken von 500 μm ± 25 μm.

Spezifischer Widerstand:N-Typ 4H/6H-P: ≤ 0,1 Ω·cm (Z-Qualität), ≤ 0,3 Ω·cm (P-Qualität); N-Typ 3C-N: ≤ 0,8 mΩ·cm (Z-Qualität), ≤ 1 mΩ·cm (P-Qualität).

Rauheit:Ra ≤ 0,2 nm (CMP oder MP).

Mikrorohrdichte (MPD):< 1 Stück/cm².

TTV: ≤ 10 μm für alle Durchmesser.

Kette: ≤ 30 μm (≤ 45 μm für 8-Zoll-Wafer).

Randausschluss:3 mm bis 6 mm, abhängig vom Wafertyp.

Verpackung:Mehrfachwaferkassette oder Einzelwaferbehälter.

Weitere verfügbare Größen: 3 Zoll, 4 Zoll, 6 Zoll, 8 Zoll

HPSI (Hochreine, halbisolierende SiC-Wafer)

Anwendung:Wird für Geräte verwendet, die einen hohen Widerstand und eine stabile Leistung erfordern, wie z. B. HF-Geräte, photonische Anwendungen und Sensoren.

Durchmesserbereich:50,8 mm bis 200 mm.

Dicke:Standarddicke von 350 μm ± 25 μm, optional auch für dickere Wafer bis zu 500 μm.

Rauheit:Ra ≤ 0,2 nm.

Mikrorohrdichte (MPD): ≤ 1 Stück/cm².

Spezifischer Widerstand:Hoher Widerstand, typischerweise verwendet in halbisolierenden Anwendungen.

Kette: ≤ 30 μm (für kleinere Größen), ≤ 45 μm für größere Durchmesser.

TTV: ≤ 10 μm.

Weitere verfügbare Größen: 3 Zoll, 4 Zoll, 6 Zoll, 8 Zoll

4H-P、6H-P&3C SiC-Wafer(P-Typ-SiC-Wafer)

Anwendung:Vorwiegend für Leistungselektronik und Hochfrequenzgeräte.

Durchmesserbereich:50,8 mm bis 200 mm.

Dicke:350 μm ± 25 μm oder kundenspezifische Optionen.

Spezifischer Widerstand:P-Typ 4H/6H-P: ≤ 0,1 Ω·cm (Z-Qualität), ≤ 0,3 Ω·cm (P-Qualität).

Rauheit:Ra ≤ 0,2 nm (CMP oder MP).

Mikrorohrdichte (MPD):< 1 Stück/cm².

TTV: ≤ 10 μm.

Randausschluss:3 mm bis 6 mm.

Kette: ≤ 30 μm für kleinere Größen, ≤ 45 μm für größere Größen.

Weitere verfügbare Größen: 3 Zoll, 4 Zoll, 6 Zoll5×5 10×10

Tabelle der Teildatenparameter

Eigentum	2 Zoll		3 Zoll		4 Zoll	6 Zoll	8 Zoll
Typ	4H-N/HPSI/ 6H-N/4H/6H-P/3C;		4H-N/HPSI/ 6H-N/4H/6H-P/3C;		4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;	4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;	4H-N/HPSI/4H-SEMI
Durchmesser	50,8 ± 0,3 mm		76,2 ± 0,3 mm		100±0,3 mm	150±0,3 mm	200 ± 0,3 mm
Dicke	330 ± 25 µm		350 ±25 µm		350 ±25 µm	350 ±25 µm	350 ±25 µm
	350±25µm;		500±25µm		500±25µm	500±25µm	500±25µm
	oder individuell angepasst		oder individuell angepasst		oder individuell angepasst	oder individuell angepasst	oder individuell angepasst
Rauheit	Ra ≤ 0,2 nm		Ra ≤ 0,2 nm		Ra ≤ 0,2 nm	Ra ≤ 0,2 nm	Ra ≤ 0,2 nm
Kette	≤ 30 µm		≤ 30 µm		≤ 30 µm	≤ 30 µm	≤45µm
TTV	≤ 10 µm		≤ 10 µm		≤ 10 µm	≤ 10 µm	≤ 10 µm
Kratzen/Graben	CMP/MP
MPD	<1 Stück/cm-2	<1 Stück/cm-2		<1 Stück/cm-2		<1 Stück/cm-2		<1 Stück/cm-2
Form	Rund, Flach 16 mm; OF-Länge 22 mm; OF-Länge 30/32,5 mm; OF-Länge 47,5 mm; Kerbe; Kerbe;
Fase	45°, SEMI-Spezifikation; C-Form
Grad	Produktionsqualität für MOS & SBD; Forschungsqualität; Dummy-Qualität, Seed-Wafer-Qualität
Anmerkungen	Durchmesser, Dicke, Ausrichtung – die oben genannten Spezifikationen können auf Anfrage angepasst werden.

Anwendungen

·Leistungselektronik

N-dotierte SiC-Wafer sind aufgrund ihrer Fähigkeit, hohe Spannungen und Ströme zu verarbeiten, für leistungselektronische Bauelemente unerlässlich. Sie werden häufig in Stromrichtern, Wechselrichtern und Motorantrieben für Branchen wie erneuerbare Energien, Elektromobilität und industrielle Automatisierung eingesetzt.

• Optoelektronik
N-leitende SiC-Materialien werden insbesondere für optoelektronische Anwendungen in Bauelementen wie Leuchtdioden (LEDs) und Laserdioden eingesetzt. Ihre hohe Wärmeleitfähigkeit und große Bandlücke machen sie ideal für leistungsstarke optoelektronische Bauelemente.

·Hochtemperaturanwendungen
4H-N 6H-N SiC-Wafer eignen sich gut für Hochtemperaturumgebungen, wie sie beispielsweise in Sensoren und Leistungsbauelementen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie und in industriellen Anwendungen eingesetzt werden, wo Wärmeableitung und Stabilität bei erhöhten Temperaturen von entscheidender Bedeutung sind.

·HF-Geräte
4H-N- und 6H-N-SiC-Wafer werden in Hochfrequenzgeräten (HF-Geräten) eingesetzt, die im Hochfrequenzbereich arbeiten. Sie finden Anwendung in Kommunikationssystemen, Radartechnik und Satellitenkommunikation, wo hohe Energieeffizienz und Leistungsfähigkeit gefordert sind.

·Photonische Anwendungen
In der Photonik werden SiC-Wafer für Bauelemente wie Fotodetektoren und Modulatoren verwendet. Die einzigartigen Eigenschaften des Materials ermöglichen seinen effektiven Einsatz bei der Lichterzeugung, -modulation und -detektion in optischen Kommunikationssystemen und Bildgebungsgeräten.

·Sensoren
SiC-Wafer werden in einer Vielzahl von Sensoranwendungen eingesetzt, insbesondere in rauen Umgebungen, in denen andere Materialien versagen könnten. Dazu gehören Temperatur-, Druck- und chemische Sensoren, die in Bereichen wie der Automobilindustrie, der Öl- und Gasindustrie sowie der Umweltüberwachung unerlässlich sind.

·Antriebssysteme für elektrische Fahrzeuge
Die SiC-Technologie spielt eine wichtige Rolle bei Elektrofahrzeugen, indem sie die Effizienz und Leistung der Antriebssysteme verbessert. Mit SiC-Leistungshalbleitern erreichen Elektrofahrzeuge eine längere Batterielebensdauer, kürzere Ladezeiten und eine höhere Energieeffizienz.

·Fortschrittliche Sensoren und photonische Konverter
In fortschrittlichen Sensortechnologien werden SiC-Wafer zur Herstellung hochpräziser Sensoren für Anwendungen in der Robotik, Medizintechnik und Umweltüberwachung eingesetzt. In photonischen Wandlern werden die Eigenschaften von SiC genutzt, um eine effiziente Umwandlung elektrischer Energie in optische Signale zu ermöglichen, was für die Telekommunikation und die Hochgeschwindigkeits-Internetinfrastruktur unerlässlich ist.

Fragen und Antworten

QWas ist 4H in 4H SiC?
ADie Bezeichnung „4H“ in 4H SiC bezieht sich auf die Kristallstruktur von Siliciumcarbid, genauer gesagt auf eine hexagonale Form mit vier Schichten (H). Das „H“ kennzeichnet den hexagonalen Polytyp und unterscheidet ihn von anderen SiC-Polytypen wie 6H oder 3C.

Q：Wie hoch ist die Wärmeleitfähigkeit von 4H-SiC?
ADie Wärmeleitfähigkeit von 4H-SiC (Siliziumkarbid) beträgt bei Raumtemperatur etwa 490–500 W/m·K. Aufgrund dieser hohen Wärmeleitfähigkeit eignet es sich ideal für Anwendungen in der Leistungselektronik und in Hochtemperaturumgebungen, wo eine effiziente Wärmeableitung von entscheidender Bedeutung ist.

Vorherige: Saphirglasröhre, Präzisionsfertigung, transparente Röhre, Al2O3-Kristall, verschleißfest, hohe Härte, EFG/KY, verschiedene Durchmesser, poliert, kundenspezifisch

Nächste: 2-Zoll-Einzelwafer-Kassette, Waferbox aus PP oder PC. Verwendung in Wafer-Coin-Lösungen. Erhältlich in den Größen 1 Zoll, 3 Zoll, 4 Zoll, 5 Zoll, 6 Zoll und 12 Zoll.