SiC-Siliziumkarbid-Wafer SiC-Wafer 4H-N 6H-N HPSI (hochreine halbisolierende Waffe) 4H/6H-P 3C -n Typ 2 3 4 6 8 Zoll verfügbar

Kurzbeschreibung:

Wir bieten eine vielfältige Auswahl an hochwertigen SiC-Wafern (Siliziumkarbid) mit besonderem Schwerpunkt auf N-Typ-4H-N- und 6H-N-Wafern, die sich ideal für Anwendungen in der fortschrittlichen Optoelektronik, Leistungsgeräten und Hochtemperaturumgebungen eignen . Diese N-Typ-Wafer sind für ihre außergewöhnliche Wärmeleitfähigkeit, hervorragende elektrische Stabilität und bemerkenswerte Haltbarkeit bekannt und eignen sich daher perfekt für Hochleistungsanwendungen wie Leistungselektronik, Antriebssysteme für Elektrofahrzeuge, Wechselrichter für erneuerbare Energien und industrielle Stromversorgungen. Zusätzlich zu unserem N-Typ-Angebot bieten wir auch P-Typ-4H/6H-P- und 3C-SiC-Wafer für spezielle Anforderungen an, darunter Hochfrequenz- und HF-Geräte sowie photonische Anwendungen. Unsere Wafer sind in Größen von 2 Zoll bis 8 Zoll erhältlich und wir bieten maßgeschneiderte Lösungen, um den spezifischen Anforderungen verschiedener Industriezweige gerecht zu werden. Für weitere Details oder Anfragen können Sie uns gerne kontaktieren.

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Produktdetails

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Eigenschaften

4H-N und 6H-N (SiC-Wafer vom N-Typ)

Anwendung:Wird hauptsächlich in der Leistungselektronik, Optoelektronik und Hochtemperaturanwendungen eingesetzt.

Durchmesserbereich:50,8 mm bis 200 mm.

Dicke:350 μm ± 25 μm, mit optionalen Dicken von 500 μm ± 25 μm.

Widerstand:N-Typ 4H/6H-P: ≤ 0,1 Ω·cm (Z-Klasse), ≤ 0,3 Ω·cm (P-Klasse); N-Typ 3C-N: ≤ 0,8 mΩ·cm (Z-Klasse), ≤ 1 mΩ·cm (P-Klasse).

Rauheit:Ra ≤ 0,2 nm (CMP oder MP).

Mikrorohrdichte (MPD):< 1 Stück/cm².

TTV: ≤ 10 μm für alle Durchmesser.

Kette: ≤ 30 μm (≤ 45 μm für 8-Zoll-Wafer).

Kantenausschluss:3 mm bis 6 mm je nach Wafertyp.

Verpackung:Multi-Wafer-Kassette oder Einzelwafer-Behälter.

Andere verfügbare Größen: 3 Zoll, 4 Zoll, 6 Zoll, 8 Zoll

HPSI (Hochreine halbisolierende SiC-Wafer)

Anwendung:Wird für Geräte verwendet, die einen hohen Widerstand und eine stabile Leistung erfordern, wie z. B. HF-Geräte, photonische Anwendungen und Sensoren.

Durchmesserbereich:50,8 mm bis 200 mm.

Dicke:Standarddicke von 350 μm ± 25 μm mit Optionen für dickere Wafer bis zu 500 μm.

Rauheit:Ra ≤ 0,2 nm.

Mikrorohrdichte (MPD): ≤ 1 Stück/cm².

Widerstand:Hoher Widerstand, wird typischerweise in halbisolierenden Anwendungen verwendet.

Kette: ≤ 30 μm (für kleinere Größen), ≤ 45 μm für größere Durchmesser.

TTV: ≤ 10 μm.

Andere verfügbare Größen: 3 Zoll, 4 Zoll, 6 Zoll, 8 Zoll

4H-P、6H-P&3C SiC-Wafer(SiC-Wafer vom P-Typ)

Anwendung:Hauptsächlich für Leistungs- und Hochfrequenzgeräte.

Durchmesserbereich:50,8 mm bis 200 mm.

Dicke:350 μm ± 25 μm oder kundenspezifische Optionen.

Widerstand:P-Typ 4H/6H-P: ≤ 0,1 Ω·cm (Z-Klasse), ≤ 0,3 Ω·cm (P-Klasse).

Rauheit:Ra ≤ 0,2 nm (CMP oder MP).

Mikrorohrdichte (MPD):< 1 Stück/cm².

TTV: ≤ 10 μm.

Kantenausschluss:3 mm bis 6 mm.

Kette: ≤ 30 μm für kleinere Größen, ≤ 45 μm für größere Größen.

Andere verfügbare Größen: 3 Zoll, 4 Zoll, 6 Zoll5×5 10×10

Tabelle mit Teildatenparametern

Eigentum	2 Zoll		3 Zoll		4 Zoll	6 Zoll	8 Zoll
Typ	4H-N/HPSI/ 6H-N/4H/6H-P/3C;		4H-N/HPSI/ 6H-N/4H/6H-P/3C;		4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;	4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;	4H-N/HPSI/4H-SEMI
Durchmesser	50,8 ± 0,3 mm		76,2 ± 0,3 mm		100 ± 0,3 mm	150 ± 0,3 mm	200 ± 0,3 mm
Dicke	330 ± 25 um		350 ±25 um		350 ±25 um	350 ±25 um	350 ±25 um
	350 ± 25 um;		500 ± 25 um		500 ± 25 um	500 ± 25 um	500 ± 25 um
	oder individuell angepasst		oder individuell angepasst		oder individuell angepasst	oder individuell angepasst	oder individuell angepasst
Rauheit	Ra ≤ 0,2 nm		Ra ≤ 0,2 nm		Ra ≤ 0,2 nm	Ra ≤ 0,2 nm	Ra ≤ 0,2 nm
Kette	≤ 30 um		≤ 30 um		≤ 30 um	≤ 30 um	≤45um
TTV	≤ 10 um		≤ 10 um		≤ 10 um	≤ 10 um	≤ 10 um
Kratzen/Graben	CMP/MP
MPD	<1ea/cm-2	<1ea/cm-2		<1ea/cm-2		<1ea/cm-2		<1ea/cm-2
Form	Rund, flach 16 mm; OF-Länge 22 mm; OF-Länge 30/32,5 mm; OF Länge47,5mm; KERBE; KERBE;
Fase	45°, SEMI Spec; C-Form
Grad	Produktionsqualität für MOS&SBD; Forschungsgrad; Dummy-Qualität, Seed-Wafer-Qualität
Bemerkungen	Durchmesser, Dicke, Ausrichtung und die oben genannten Spezifikationen können auf Anfrage angepasst werden

Anwendungen

·Leistungselektronik

SiC-Wafer vom Typ N sind in leistungselektronischen Geräten von entscheidender Bedeutung, da sie hohe Spannungen und hohe Ströme verarbeiten können. Sie werden häufig in Stromrichtern, Wechselrichtern und Motorantrieben für Branchen wie erneuerbare Energien, Elektrofahrzeuge und Industrieautomation eingesetzt.

· Optoelektronik
SiC-Materialien vom Typ N, insbesondere für optoelektronische Anwendungen, werden in Geräten wie Leuchtdioden (LEDs) und Laserdioden eingesetzt. Ihre hohe Wärmeleitfähigkeit und große Bandlücke machen sie ideal für leistungsstarke optoelektronische Geräte.

·Hochtemperaturanwendungen
4H-N 6H-N SiC-Wafer eignen sich gut für Umgebungen mit hohen Temperaturen, beispielsweise in Sensoren und Leistungsgeräten für Luft- und Raumfahrt-, Automobil- und Industrieanwendungen, bei denen Wärmeableitung und Stabilität bei erhöhten Temperaturen von entscheidender Bedeutung sind.

·HF-Geräte
4H-N 6H-N SiC-Wafer werden in Hochfrequenzgeräten (RF) verwendet, die in Hochfrequenzbereichen arbeiten. Sie werden in Kommunikationssystemen, Radartechnik und Satellitenkommunikation eingesetzt, wo hohe Energieeffizienz und Leistung erforderlich sind.

·Photonische Anwendungen
In der Photonik werden SiC-Wafer für Geräte wie Fotodetektoren und Modulatoren verwendet. Die einzigartigen Eigenschaften des Materials ermöglichen eine effektive Lichterzeugung, -modulation und -erkennung in optischen Kommunikationssystemen und Bildgebungsgeräten.

·Sensoren
SiC-Wafer werden in einer Vielzahl von Sensoranwendungen eingesetzt, insbesondere in rauen Umgebungen, in denen andere Materialien versagen könnten. Dazu gehören Temperatur-, Druck- und chemische Sensoren, die in Bereichen wie der Automobilindustrie, der Öl- und Gasindustrie sowie der Umweltüberwachung unverzichtbar sind.

·Antriebssysteme für Elektrofahrzeuge
Die SiC-Technologie spielt in Elektrofahrzeugen eine bedeutende Rolle, indem sie die Effizienz und Leistung der Antriebssysteme verbessert. Mit SiC-Leistungshalbleitern können Elektrofahrzeuge eine längere Batterielebensdauer, schnellere Ladezeiten und eine höhere Energieeffizienz erreichen.

·Fortschrittliche Sensoren und photonische Wandler
In fortschrittlichen Sensortechnologien werden SiC-Wafer zur Herstellung hochpräziser Sensoren für Anwendungen in der Robotik, medizinischen Geräten und der Umweltüberwachung verwendet. In photonischen Konvertern werden die Eigenschaften von SiC genutzt, um eine effiziente Umwandlung elektrischer Energie in optische Signale zu ermöglichen, was für die Telekommunikation und die Hochgeschwindigkeits-Internetinfrastruktur von entscheidender Bedeutung ist.

Fragen und Antworten

Q：Was ist 4H in 4H SiC?
A： „4H“ in 4H SiC bezieht sich auf die Kristallstruktur von Siliziumkarbid, insbesondere eine hexagonale Form mit vier Schichten (H). Das „H“ gibt den Typ des hexagonalen Polytyps an und unterscheidet ihn von anderen SiC-Polytypen wie 6H oder 3C.

Q：Wie hoch ist die Wärmeleitfähigkeit von 4H-SiC?
A:Die Wärmeleitfähigkeit von 4H-SiC (Siliziumkarbid) beträgt etwa 490–500 W/m·K bei Raumtemperatur. Diese hohe Wärmeleitfähigkeit macht es ideal für Anwendungen in der Leistungselektronik und Hochtemperaturumgebungen, in denen eine effiziente Wärmeableitung entscheidend ist.

Vorherige: Saphirrohr, Präzisionsfertigung, transparentes Rohr, Al2O3-Kristall, verschleißfest, hohe Härte, EFG/KY, verschiedene Durchmesser, Polieren nach Maß

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