SiC-Wafer 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C Typ 2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll

Kurze Beschreibung:

Wir bieten eine vielfältige Auswahl an hochwertigen SiC-Wafern (Siliziumkarbid), insbesondere N-Typ 4H-N und 6H-N Wafer, die sich ideal für Anwendungen in der fortschrittlichen Optoelektronik, in Leistungsbauelementen und in Hochtemperaturumgebungen eignen. Diese N-Typ Wafer zeichnen sich durch ihre außergewöhnliche Wärmeleitfähigkeit, hervorragende elektrische Stabilität und bemerkenswerte Haltbarkeit aus und eignen sich daher perfekt für Hochleistungsanwendungen wie Leistungselektronik, Antriebssysteme für Elektrofahrzeuge, Wechselrichter für erneuerbare Energien und industrielle Stromversorgungen. Zusätzlich zu unserem N-Typ-Angebot bieten wir auch P-Typ 4H/6H-P und 3C SiC-Wafer für spezielle Anwendungen, darunter Hochfrequenz- und HF-Bauelemente sowie photonische Anwendungen. Unsere Wafer sind in Größen von 2 bis 8 Zoll erhältlich, und wir bieten maßgeschneiderte Lösungen für die spezifischen Anforderungen verschiedener Industriezweige. Für weitere Informationen oder Anfragen kontaktieren Sie uns gerne.

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Produktdetail

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Eigenschaften

4H-N und 6H-N (N-Typ-SiC-Wafer)

Anwendung:Wird hauptsächlich in der Leistungselektronik, Optoelektronik und Hochtemperaturanwendungen verwendet.

Durchmesserbereich:50,8 mm bis 200 mm.

Dicke:350 μm ± 25 μm, mit optionalen Dicken von 500 μm ± 25 μm.

Spezifischer Widerstand:N-Typ 4H/6H-P: ≤ 0,1 Ω·cm (Z-Klasse), ≤ 0,3 Ω·cm (P-Klasse); N-Typ 3C-N: ≤ 0,8 mΩ·cm (Z-Klasse), ≤ 1 mΩ·cm (P-Klasse).

Rauheit:Ra ≤ 0,2 nm (CMP oder MP).

Mikrorohrdichte (MPD):< 1 Stück/cm².

TTV: ≤ 10 μm für alle Durchmesser.

Kette: ≤ 30 μm (≤ 45 μm für 8-Zoll-Wafer).

Kantenausschluss:3 mm bis 6 mm, je nach Wafertyp.

Verpackung:Mehrwaferkassette oder Einzelwaferbehälter.

Andere verfügbare Größen: 3 Zoll, 4 Zoll, 6 Zoll, 8 Zoll

HPSI (Hochreine halbisolierende SiC-Wafer)

Anwendung:Wird für Geräte verwendet, die einen hohen Widerstand und eine stabile Leistung erfordern, wie etwa HF-Geräte, photonische Anwendungen und Sensoren.

Durchmesserbereich:50,8 mm bis 200 mm.

Dicke:Standarddicke von 350 μm ± 25 μm mit Optionen für dickere Wafer bis zu 500 μm.

Rauheit:Ra ≤ 0,2 nm.

Mikrorohrdichte (MPD): ≤ 1 Stück/cm².

Spezifischer Widerstand:Hoher Widerstand, wird typischerweise in halbisolierenden Anwendungen verwendet.

Kette: ≤ 30 μm (für kleinere Größen), ≤ 45 μm für größere Durchmesser.

TTV: ≤ 10 μm.

Andere verfügbare Größen: 3 Zoll, 4 Zoll, 6 Zoll, 8 Zoll

4H-P、6H-Pund3C SiC-Wafer(P-Typ-SiC-Wafer)

Anwendung:Vorwiegend für Leistungs- und Hochfrequenzgeräte.

Durchmesserbereich:50,8 mm bis 200 mm.

Dicke:350 μm ± 25 μm oder kundenspezifische Optionen.

Spezifischer Widerstand:P-Typ 4H/6H-P: ≤ 0,1 Ω·cm (Z-Klasse), ≤ 0,3 Ω·cm (P-Klasse).

Rauheit:Ra ≤ 0,2 nm (CMP oder MP).

Mikrorohrdichte (MPD):< 1 Stück/cm².

TTV: ≤ 10 μm.

Kantenausschluss:3 mm bis 6 mm.

Kette: ≤ 30 μm für kleinere Größen, ≤ 45 μm für größere Größen.

Andere verfügbare Größen: 3 Zoll, 4 Zoll, 6 Zoll5×5 10×10

Tabelle mit partiellen Datenparametern

Eigentum	2 Zoll		3 Zoll		4 Zoll	6 Zoll	8 Zoll
Typ	4H-N/HPSI/ 6H-N/4H/6H-P/3C;		4H-N/HPSI/ 6H-N/4H/6H-P/3C;		4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;	4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;	4H-N/HPSI/4H-SEMI
Durchmesser	50,8 ± 0,3 mm		76,2 ± 0,3 mm		100 ± 0,3 mm	150 ± 0,3 mm	200 ± 0,3 mm
Dicke	330 ± 25 um		350 ±25 um		350 ±25 um	350 ±25 um	350 ±25 um
	350 ± 25 µm;		500 ± 25 µm		500 ± 25 µm	500 ± 25 µm	500 ± 25 µm
	oder individuell		oder individuell		oder individuell	oder individuell	oder individuell
Rauheit	Ra ≤ 0,2 nm		Ra ≤ 0,2 nm		Ra ≤ 0,2 nm	Ra ≤ 0,2 nm	Ra ≤ 0,2 nm
Kette	≤ 30 µm		≤ 30 µm		≤ 30 µm	≤ 30 µm	≤45 µm
TTV	≤ 10 µm		≤ 10 µm		≤ 10 µm	≤ 10 µm	≤ 10 µm
Kratzen/Graben	CMP/MP
MPD	<1ea/cm-2	<1ea/cm-2		<1ea/cm-2		<1ea/cm-2		<1ea/cm-2
Form	Rund, flach 16 mm; Länge 22 mm; Länge 30/32,5 mm; Länge 47,5 mm; KERBE; KERBE;
Fase	45°, SEMI-Spezifikation; C-Form
Grad	Produktionsqualität für MOS&SBD; Forschungsqualität; Dummy-Qualität, Saatwafer-Qualität
Bemerkungen	Durchmesser, Dicke, Ausrichtung und die oben genannten Spezifikationen können auf Anfrage angepasst werden.

Anwendungen

·Leistungselektronik

N-Typ-SiC-Wafer sind aufgrund ihrer Fähigkeit, hohe Spannungen und Ströme zu verarbeiten, für die Leistungselektronik unverzichtbar. Sie werden häufig in Stromrichtern, Wechselrichtern und Motorantrieben in Branchen wie erneuerbaren Energien, Elektrofahrzeugen und der industriellen Automatisierung eingesetzt.

· Optoelektronik
N-Typ-SiC-Materialien werden insbesondere für optoelektronische Anwendungen in Bauelementen wie Leuchtdioden (LEDs) und Laserdioden eingesetzt. Ihre hohe Wärmeleitfähigkeit und große Bandlücke machen sie ideal für leistungsstarke optoelektronische Bauelemente.

·Hochtemperaturanwendungen
4H-N 6H-N SiC-Wafer eignen sich gut für Hochtemperaturumgebungen, wie etwa in Sensoren und Leistungsgeräten in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie und in industriellen Anwendungen, bei denen Wärmeableitung und Stabilität bei erhöhten Temperaturen entscheidend sind.

·HF-Geräte
4H-N 6H-N SiC-Wafer werden in Hochfrequenzgeräten (RF) eingesetzt, die im Hochfrequenzbereich arbeiten. Sie kommen in Kommunikationssystemen, der Radartechnik und der Satellitenkommunikation zum Einsatz, wo hohe Energieeffizienz und Leistung erforderlich sind.

·Photonische Anwendungen
In der Photonik werden SiC-Wafer für Geräte wie Fotodetektoren und Modulatoren verwendet. Die einzigartigen Eigenschaften des Materials ermöglichen eine effektive Lichterzeugung, -modulation und -detektion in optischen Kommunikationssystemen und Bildgebungsgeräten.

·Sensoren
SiC-Wafer werden in einer Vielzahl von Sensoranwendungen eingesetzt, insbesondere in rauen Umgebungen, in denen andere Materialien versagen könnten. Dazu gehören Temperatur-, Druck- und Chemiesensoren, die in Bereichen wie der Automobilindustrie, der Öl- und Gasindustrie sowie der Umweltüberwachung unverzichtbar sind.

·Antriebssysteme für Elektrofahrzeuge
Die SiC-Technologie spielt in Elektrofahrzeugen eine wichtige Rolle, da sie die Effizienz und Leistung der Antriebssysteme verbessert. Mit SiC-Leistungshalbleitern erreichen Elektrofahrzeuge eine längere Batterielebensdauer, schnellere Ladezeiten und eine höhere Energieeffizienz.

·Fortschrittliche Sensoren und photonische Konverter
In der fortschrittlichen Sensortechnologie werden SiC-Wafer zur Herstellung hochpräziser Sensoren für Anwendungen in der Robotik, Medizintechnik und Umweltüberwachung eingesetzt. In photonischen Konvertern werden die Eigenschaften von SiC genutzt, um eine effiziente Umwandlung elektrischer Energie in optische Signale zu ermöglichen, was in der Telekommunikation und der Hochgeschwindigkeits-Internet-Infrastruktur von entscheidender Bedeutung ist.

Fragen und Antworten

Q：Was ist 4H in 4H SiC?
A：„4H“ in 4H SiC bezieht sich auf die Kristallstruktur von Siliziumkarbid, insbesondere auf eine hexagonale Form mit vier Schichten (H). Das „H“ bezeichnet den Typ des hexagonalen Polytyps und unterscheidet ihn von anderen SiC-Polytypen wie 6H oder 3C.

Q：Wie hoch ist die Wärmeleitfähigkeit von 4H-SiC?
ADie Wärmeleitfähigkeit von 4H-SiC (Siliziumkarbid) beträgt bei Raumtemperatur ca. 490–500 W/m·K. Diese hohe Wärmeleitfähigkeit macht es ideal für Anwendungen in der Leistungselektronik und in Hochtemperaturumgebungen, wo eine effiziente Wärmeableitung entscheidend ist.

Vorherige: Saphirrohr Präzisionsfertigung transparentes Rohr Al2O3-Kristall verschleißfest hohe Härte EFG/KY verschiedene Durchmesser Polieren benutzerdefinierte

Nächste: 2-Zoll-Einzelwaferkassette, Waferbox-Material PP oder PC. Wird in Wafer-Coin-Lösungen verwendet. 1 Zoll, 3 Zoll, 4 Zoll, 5 Zoll, 6 Zoll und 12 Zoll sind verfügbar.

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