SiC
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12-Zoll-Siliciumcarbid-Substrat, erstklassige Qualität, Durchmesser 300 mm, große Abmessungen, 4H-N, geeignet für die Wärmeableitung von Hochleistungsgeräten
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8-Zoll-SiC-Siliziumkarbid-Wafer, Typ 4H-N, 0,5 mm, Produktionsqualität, Forschungsqualität, kundenspezifisch poliertes Substrat
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HPSI-SiC-Wafer, Durchmesser: 3 Zoll, Dicke: 350 µm ± 25 µm für Leistungselektronik
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3-Zoll-SiC-Wafer (350 µm) mit hoher Reinheit, halbisolierend (HPSI), Dummy-Qualität, Prime-Qualität
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P-Typ SiC-Substrat, SiC-Wafer, Durchmesser 2 Zoll, neues Produkt
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8 Zoll (200 mm) Siliziumkarbid-Wafer (SiC) Typ 4H-N, Produktionsqualität, 500 µm Dicke
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2-Zoll-6H-N-Siliziumkarbid-Substrat-Siliziumkarbid-Wafer, doppelt poliert, leitfähig, Prime Grade, Mos Grade
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12-Zoll-4H-SiC-Wafer für AR-Brillen
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HPSI SiC-Wafer ≥90% Transmission Optische Qualität für KI/AR-Brillen
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Hochreines, halbisolierendes Siliziumkarbid (SiC)-Substrat für Argongläser
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4H-SiC-Epitaxie-Wafer für Ultrahochspannungs-MOSFETs (100–500 μm, 6 Zoll)
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SICOI (Siliziumkarbid auf Isolator) Wafer SiC-Film auf Silizium