SiC
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12 Zoll SIC-Substrat, Siliziumkarbid, erstklassige Qualität, Durchmesser 300 mm, große Größe 4H-N, geeignet für die Wärmeableitung von Hochleistungsgeräten
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8 Zoll SiC-Siliziumkarbid-Wafer 4H-N Typ 0,5 mm Produktionsqualität Forschungsqualität individuell poliertes Substrat
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HPSI SiC-Wafer, Durchmesser: 3 Zoll, Dicke: 350 µm ± 25 µm für Leistungselektronik
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3 Zoll hochreiner halbisolierender (HPSI) SiC-Wafer, 350 µm, Dummy-Qualität, Prime-Qualität
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P-Typ SiC-Substrat SiC-Wafer Dia2inch neues Produkt
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8 Zoll 200 mm Siliziumkarbid-SiC-Wafer Typ 4H-N, Produktionsqualität, 500 µm Dicke
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2 Zoll 6H-N Siliziumkarbidsubstrat Sic Wafer doppelt poliert leitfähig Prime Grade Mos Grade
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Siliziumkarbid (SiC)-Einkristallsubstrat – 10×10-mm-Wafer
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4H-N HPSI SiC-Wafer 6H-N 6H-P 3C-N SiC Epitaxie-Wafer für MOS oder SBD
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SiC-Epitaxie-Wafer für Leistungsgeräte – 4H-SiC, N-Typ, geringe Defektdichte
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4H-N Typ SiC Epitaxial Wafer Hochspannung Hochfrequenz
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3 Zoll hochreine (undotierte) Siliziumkarbid-Wafer, halbisolierende SiC-Substrate (HPSl)