SiC
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4H-N 8-Zoll-SiC-Substratwafer, Siliziumkarbid-Dummy, Forschungsqualität, 500 µm Dicke
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4H-N/6H-N SiC Wafer Forschungsproduktion Dummy-Qualität Dia150mm Siliziumkarbidsubstrat
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8 Zoll 200 mm Siliziumkarbid-SiC-Wafer 4H-N-Typ, Produktionsqualität, 500 µm Dicke
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HPSI-SiC-Wafer-Durchmesser: 3 Zoll, Dicke: 350 µm ± 25 µm für die Leistungselektronik
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8-Zoll-SiC-Siliziumkarbid-Wafer vom Typ 4H-N, 0,5 mm, kundenspezifisch poliertes Substrat in Produktionsqualität, Forschungsqualität
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3 Zoll hochreiner, halbisolierender (HPSI) SiC-Wafer, 350 µm, Dummy-Qualität, erstklassige Qualität
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P-Typ SiC-Substrat SiC-Wafer Dia2inch neues Produkt
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2-Zoll-6H-N-Siliziumkarbid-Substrat Sic-Wafer, doppelt poliert, leitend, erstklassige Mos-Qualität
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SiC-Siliziumkarbid-Wafer SiC-Wafer 4H-N 6H-N HPSI (hochreine halbisolierende Waffe) 4H/6H-P 3C -n Typ 2 3 4 6 8 Zoll verfügbar
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2-Zoll-Sic-Siliziumkarbid-Substrat 6H-N Typ 0,33 mm 0,43 mm doppelseitiges Polieren. Hohe Wärmeleitfähigkeit, geringer Stromverbrauch
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SiC-Substrat 3 Zoll 350 µm Dicke HPSI-Typ Prime Grade Dummy-Qualität
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Siliziumkarbid-SiC-Barren 6 Zoll N Typ Dummy/Prime-Stärke kann individuell angepasst werden