Produkte
-
vergoldete Siliziumscheibe (Si-Wafer) 10 nm 50 nm 100 nm 500 nm Au Ausgezeichnete Leitfähigkeit für LED
-
Goldbeschichtete Silizium-Wafer 2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll Dicke der Goldschicht: 50 nm (± 5 nm) oder individuell anpassbar Beschichtungsfilm Au, 99,999 % Reinheit
-
GaN auf Glas, 4 Zoll: Anpassbare Glasoptionen, einschließlich JGS1, JGS2, BF33 und gewöhnlichem Quarz
-
AlN-auf-NPSS-Wafer: Hochleistungs-Aluminiumnitridschicht auf unpoliertem Saphirsubstrat für Hochtemperatur-, Hochleistungs- und HF-Anwendungen
-
AlN auf FSS 2 Zoll 4 Zoll NPSS/FSS AlN-Vorlage für den Halbleiterbereich
-
Galliumnitrid (GaN), epitaktisch auf Saphir-Wafer 4 Zoll und 6 Zoll für MEMS gewachsen
-
Galliumnitrid auf Silizium-Wafer 4 Zoll 6 Zoll Maßgeschneiderte Si-Substratausrichtung, Widerstand und N-Typ/P-Typ-Optionen
-
Kundenspezifische GaN-auf-SiC-Epitaxie-Wafer (100 mm, 150 mm) – Mehrere SiC-Substratoptionen (4H-N, HPSI, 4H/6H-P)
-
GaN-auf-Diamant-Wafer 4 Zoll 6 Zoll Gesamtepi-Dicke (Mikron) 0,6 ~ 2,5 oder kundenspezifisch für Hochfrequenzanwendungen
-
FOSB-Waferträgerbox, 25 Steckplätze für 12-Zoll-Wafer, präziser Abstand für automatisierte Vorgänge, ultrareine Materialien
-
12 Zoll (300 mm) Versandbox mit Frontöffnung, FOSB-Wafer-Trägerbox, Kapazität 25 Stück, für Wafer-Handhabung und Versand, automatisierte Abläufe
-
Präzisionslinsen aus monokristallinem Silizium (Si) – kundenspezifische Größen und Beschichtungen für Optoelektronik und Infrarotbildgebung