LiNbO₃-Wafer, 2–8 Zoll, Dicke 0,1–0,5 mm, TTV 3 µm, kundenspezifisch

Kurzbeschreibung:

LiNbO₃-Wafer gelten als Goldstandard in der integrierten Photonik und Präzisionsakustik und bieten unübertroffene Leistung in modernen optoelektronischen Systemen. Als führender Hersteller haben wir die Herstellung dieser maßgeschneiderten Substrate durch fortschrittliche Dampftransport- und Ausgleichstechniken perfektioniert und erreichen branchenführende Kristallperfektion mit Defektdichten unter 50/cm².

Die Produktionskapazitäten von XKH umfassen Durchmesser von 75 mm bis 150 mm mit präziser Orientierungskontrolle (X/Y/Z-Schnitt ±0,3°) und speziellen Dotierungsoptionen, einschließlich Seltenerdelementen. Die einzigartige Kombination der Eigenschaften von LiNbO₃-Wafern – darunter ihr bemerkenswerter r₃₃-Koeffizient (32 ± 2 pm/V) und ihre breite Transparenz vom nahen UV- bis zum mittleren IR-Bereich – macht sie unverzichtbar für photonische Schaltungen der nächsten Generation und Hochfrequenz-Akustikbauelemente.

Senden Sie uns eine E-Mail.

Merkmale

Technische Parameter

Material	LiNbO3-Wafes in optischer Qualität
Curie-Temperatur	1142±2,0℃
Schnittwinkel	X/Y/Z usw.
Durchmesser/Größe	2"/3"/4"/6"/8"
Tol(±)	<0,20 mm
Dicke	0,1 bis 0,5 mm oder mehr
Hauptwohnung	16 mm / 22 mm / 32 mm
TTV	<3µm
Bogen	-30
Kette	<40µm
Ausrichtung: Flach	Alle verfügbaren
Oberflächenart	Einseitig poliert / Beidseitig poliert
Polierte Seite Ra	<0,5 nm
S/D	20/10
Randkriterien	R=0,2 mm oder Bullnose
Optisch dotiert	Fe/Zn/MgO usw. für optische LN-Wafer
Wafer-Oberflächenkriterien	Brechungsindex	No = 2,2878 / Ne = 2,2033 bei einer Wellenlänge von 632 nm
	Kontamination,	Keiner
	Partikel ￠>0,3 µ m	<= 30
	Kratzer, Absplitterungen	Keiner
	Defekt	Keine Kantenrisse, Kratzer, Sägespuren, Flecken.
Verpackung	Menge/Waferbox	25 Stück pro Schachtel

Kernmerkmale unserer LiNbO₃-Wafer

1. Photonische Leistungsmerkmale

Unsere LiNbO₃-Wafer weisen außergewöhnliche Licht-Materie-Wechselwirkungseigenschaften auf, mit nichtlinearen optischen Koeffizienten von bis zu 42 pm/V. Dies ermöglicht effiziente Wellenlängenkonvertierungsprozesse, die für die Quantenphotonik unerlässlich sind. Die Substrate weisen eine Transmission von über 72 % im Bereich von 320–5200 nm auf, wobei speziell entwickelte Varianten bei Telekommunikationswellenlängen eine Dämpfung von unter 0,2 dB/cm erreichen.

2. Akustische Wellentechnik

Die Kristallstruktur unserer LiNbO₃-Wafer ermöglicht Oberflächenwellengeschwindigkeiten von über 3800 m/s und damit den Resonatorbetrieb bis zu 12 GHz. Unsere firmeneigenen Polierverfahren führen zu Oberflächenwellenbauelementen (SAW) mit Einfügungsdämpfungen unter 1,2 dB bei gleichzeitiger Temperaturstabilität innerhalb von ±15 ppm/°C.

3. Umweltresilienz

Unsere LiNbO₃-Wafer wurden für extreme Bedingungen entwickelt und behalten ihre Funktionalität von kryogenen Temperaturen bis hin zu Betriebstemperaturen von 500 °C. Das Material zeichnet sich durch außergewöhnliche Strahlungsbeständigkeit aus und übersteht eine ionisierende Gesamtdosis von >1 Mrad ohne signifikante Leistungseinbußen.

4. Anwendungsspezifische Konfigurationen

Wir bieten domänenspezifische Varianten an, darunter:
Periodisch gepolte Strukturen mit Domänenperioden von 5–50 μm.
Ionengeschnittene Dünnschichten für die Hybridintegration
Metamaterialverstärkte Versionen für Spezialanwendungen

Implementierungsszenarien für LiNbO₃-Wafer

1. Optische Netzwerke der nächsten Generation
LiNbO₃-Wafer bilden das Rückgrat optischer Transceiver im Terabit-Bereich und ermöglichen kohärente 800-Gbit/s-Übertragung durch fortschrittliche, verschachtelte Modulatordesigns. Unsere Substrate werden zunehmend für integrierte Optik-Implementierungen in KI/ML-Beschleunigersystemen eingesetzt.
2,6-GHz-RF-Frontends
Die neueste Generation von LiNbO₃-Wafern unterstützt Ultrabreitbandfilterung bis zu 20 GHz und erfüllt damit die Spektrumanforderungen der neuen 6G-Standards. Unsere Materialien ermöglichen neuartige akustische Resonatorarchitekturen mit Q-Faktoren von über 2000.
3. Quanteninformationssysteme
Präzisionsgepolte LiNbO₃-Wafer bilden die Grundlage für verschränkte Photonenquellen mit einer Paarerzeugungseffizienz von über 90 %. Unsere Substrate ermöglichen bahnbrechende Fortschritte im Bereich des photonischen Quantencomputings und sicherer Kommunikationsnetze.
4. Fortschrittliche Sensorlösungen
Von LiDAR-Systemen für die Automobilindustrie, die mit 1550 nm arbeiten, bis hin zu hochempfindlichen gravimetrischen Sensoren bilden LiNbO₃-Wafer die entscheidende Plattform für die Signaltransduktion. Unsere Materialien ermöglichen Sensorauflösungen bis hin zur Einzelmoleküldetektion.

Hauptvorteile von LiNbO₃-Wafern

1. Unübertroffene elektrooptische Leistung
Außergewöhnlich hoher elektrooptischer Koeffizient (r₃₃~30-32 pm/V): Stellt den Branchenmaßstab für kommerzielle Lithiumniobat-Wafer dar und ermöglicht optische Hochgeschwindigkeitsmodulatoren mit über 200 Gbit/s, die die Leistungsgrenzen von Silizium- oder Polymerlösungen bei weitem übertreffen.

Extrem niedrige Einfügedämpfung (<0,1 dB/cm): Erreicht durch Nanopolitur (Ra<0,3 nm) und Antireflexionsbeschichtungen (AR), wodurch die Energieeffizienz optischer Kommunikationsmodule deutlich gesteigert wird.

2. Überlegene piezoelektrische und akustische Eigenschaften
Ideal für Hochfrequenz-SAW/BAW-Bauelemente: Mit Schallgeschwindigkeiten von 3500-3800 m/s unterstützen diese Wafer 6G mmWave (24-100 GHz) Filterdesigns mit Einfügungsdämpfungen von <1,0 dB.

Hoher elektromechanischer Kopplungskoeffizient (K²~0,25%): Verbessert die Bandbreite und Signalselektivität in HF-Frontend-Komponenten und macht diese somit geeignet für 5G/6G-Basisstationen und Satellitenkommunikation.

3. Breitbandtransparenz und nichtlineare optische Effekte
Ultraweites optisches Transmissionsfenster (350–5000 nm): Deckt den UV- bis mittleren Infrarotbereich ab und ermöglicht Anwendungen wie:

Quantenoptik: Periodisch gepolte (PPLN) Konfigurationen erreichen eine Effizienz von >90% bei der Erzeugung verschränkter Photonenpaare.

Lasersysteme: Optische parametrische Oszillation (OPO) liefert eine abstimmbare Wellenlänge (1-10 μm).

Außergewöhnlich niedrige Laser-Schadensschwelle (>1 GW/cm²): Erfüllt die strengen Anforderungen für Hochleistungslaseranwendungen.

4. Extreme Umweltstabilität
Hochtemperaturbeständigkeit (Curie-Punkt: 1140 °C): Gewährleistet stabile Leistung im Bereich von -200 °C bis +500 °C, ideal für:

Automobilelektronik (Motorraumsensoren)

Raumfahrzeug (optische Komponenten für den Tiefraum)

Strahlungshärte (>1 Mrad TID): Entspricht den MIL-STD-883-Standards, geeignet für Elektronik in der Nuklear- und Verteidigungsindustrie.

5. Anpassungs- und Integrationsflexibilität
Kristallorientierung & Dotierungsoptimierung:

X/Y/Z-geschnittene Wafer (±0,3° Präzision)

MgO-Dotierung (5 Mol-%) zur Verbesserung der optischen Schadensresistenz

Unterstützung der heterogenen Integration:

Kompatibel mit Dünnschicht-LiNbO₃-auf-Isolator (LNOI) für die hybride Integration mit Siliziumphotonik (SiPh)

Ermöglicht das Bonden auf Wafer-Ebene für gemeinsam verpackte Optiken (CPO).

6. Skalierbare Produktion und Kosteneffizienz
6-Zoll (150 mm) Wafer-Massenproduktion: Reduziert die Stückkosten um 30 % im Vergleich zu herkömmlichen 4-Zoll-Verfahren.

Schnelle Lieferung: Standardprodukte werden innerhalb von 3 Wochen versandt; Prototypen in Kleinserien (mindestens 5 Wafer) werden innerhalb von 10 Tagen geliefert.

XKH-Dienstleistungen

1. Materialinnovationslabor
Unsere Experten für Kristallwachstum arbeiten mit Kunden zusammen, um anwendungsspezifische LiNbO₃-Wafer-Formulierungen zu entwickeln, darunter:

Varianten mit geringen optischen Verlusten (<0,05dB/cm)

Hochleistungskonfigurationen

Strahlungstolerante Zusammensetzungen

2. Rapid-Prototyping-Pipeline
Von der Konzeption bis zur Lieferung in 10 Werktagen für:

Wafer mit kundenspezifischer Ausrichtung

Strukturierte Elektroden

Vorcharakterisierte Proben

3. Leistungszertifizierung
Jede Lieferung von LiNbO₃-Wafern enthält:

Vollständige spektroskopische Charakterisierung

Überprüfung der kristallographischen Orientierung

Oberflächenqualitätszertifizierung

4. Sicherstellung der Lieferkette