Gemustertes Saphir -Substrat PSS 2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll ICP -Trockenätzchen können für LED -Chips verwendet werden
Kerncharakteristik
1. Materialmerkmale: Das Substratmaterial ist ein einzelner Kristallsaphir (al₂o₃) mit hoher Härte, hoher Wärmebeständigkeit und chemischer Stabilität.
2. Oberflächenstruktur: Die Oberfläche wird durch Photolithographie und Ätzen in periodische Mikro-Nano-Strukturen wie Zapfen, Pyramiden oder sechseckige Arrays gebildet.
3. OPTISCHE Leistung: Durch das Design der Oberflächenmuster wird die Gesamtreflexion von Licht an der Grenzfläche verringert und die Lichtextraktionseffizienz verbessert.
4. Thermische Leistung: Das Saphir -Substrat weist eine ausgezeichnete thermische Leitfähigkeit auf, die für leitende LED -Anwendungen geeignet ist.
5. Größenspezifikationen: Häufige Größen betragen 2 Zoll (50,8 mm), 4 Zoll (100 mm) und 6 Zoll (150 mm).
Hauptantragsbereiche
1. LED -Herstellung:
Verbesserte Lichtextraktionseffizienz: PSS reduziert den Lichtverlust durch das Strukturierungsdesign und verbessert die LED -Helligkeit und die leuchtende Effizienz erheblich.
Verbesserte epitaxiale Wachstumsqualität: Die gemusterte Struktur bietet eine bessere Wachstumsbasis für Gan -epitaxiale Schichten und verbessert die LED -Leistung.
2. Laserdiode (LD):
Hochleistungslaser: Die hohe thermische Leitfähigkeit und Stabilität von PSS eignet sich für Hochleistungslaserdioden und verbessert die Leistung und Zuverlässigkeit der Wärmeableitung.
Niedriger Schwellenwert: Optimieren Sie das Epitaxialwachstum, verringern Sie den Schwellenstrom der Laserdiode und verbessern Sie die Effizienz.
3. Fotodetektor:
Hohe Empfindlichkeit: Die hohe Lichtübertragung und die niedrige Defektdichte der PSS verbessern die Empfindlichkeit und Reaktionsgeschwindigkeit des Fotodetektors.
Breite spektrale Reaktion: Geeignet für den photoelektrischen Nachweis im ultravioletten bis sichtbaren Bereich.
4. Leistungselektronik:
Hochspannungswiderstand: Die hohe Isolierung und die thermische Stabilität des Saphirs sind für Hochspannungsstromgeräte geeignet.
Effiziente Wärmeableitung: Eine hohe thermische Leitfähigkeit verbessert die Leistung der Wärmeableitungen von Leistungsgeräten und verlängert die Lebensdauer.
5. RF -Geräte:
Hochfrequenzleistung: Der niedrige dielektrische Verlust und die hohe thermische Stabilität von PSS sind für hochfrequente HF -Geräte geeignet.
Niedriges Rauschen: hohe Flachheit und niedrige Defektdichte verringern das Gerätegeräusch und verbessert die Signalqualität.
6. Biosensoren:
Erkennung mit hoher Empfindlichkeit: Die hohe Lichtübertragung und die chemische Stabilität von PSS sind für Biosensoren mit hoher Empfindlichkeit geeignet.
Biokompatibilität: Die Biokompatibilität von Sapphire macht es für medizinische und biologische Anwendungen geeignet.
Strukturiertes Saphir -Substrat (PSS) mit GaN -Epitaxialmaterial:
Das strukturierte Saphir -Substrat (PSS) ist ein ideales Substrat für GaN (Gallium -Nitrid) epitaxiale Wachstum. Die Gitterkonstante des Saphirs liegt in der Nähe von GaN, was die Nichtübereinstimmung und Defekte des epitaxialen Wachstums von Gitter verringern kann. Die Mikro-Nano-Struktur der PSS-Oberfläche verbessert nicht nur die Lichtextraktionseffizienz, sondern verbessert auch die Kristallqualität der GaN-epitaxialen Schicht, wodurch die Leistung und Zuverlässigkeit der LED verbessert wird.
Technische Parameter
| Artikel | Strukturierter Saphir -Substrat (2 ~ 6 Zoll) | ||
| Durchmesser | 50,8 ± 0,1 mm | 100,0 ± 0,2 mm | 150,0 ± 0,3 mm |
| Dicke | 430 ± 25 μm | 650 ± 25 μm | 1000 ± 25 μm |
| Oberflächenorientierung | C-Ebene (0001) außerhalb des Winkels in Richtung M-Achse (10-10) 0,2 ± 0,1 ° | ||
| C-Ebene (0001) außerhalb des Winkels in Richtung A-Achse (11-20) 0 ± 0,1 ° | |||
| Primäre flache Orientierung | A-Ebene (11-20) ± 1,0 ° | ||
| Primäre flache Länge | 16,0 ± 1,0 mm | 30,0 ± 1,0 mm | 47,5 ± 2,0 mm |
| R-Ebene | 9-o'clock | ||
| Vorderoberfläche | Gemustert | ||
| Hinterfläche Oberfläche | SSP: Fine-Ground, Ra = 0,8-1,2um; DSP: EPI-Polished, Ra <0,3 nm | ||
| Lasermarke | Rückseite | ||
| Ttv | ≤ 8 μm | ≤ 10 μm | ≤ 20 μm |
| BOGEN | ≤ 10 μm | ≤ 15 μm | ≤25 μm |
| KETTE | ≤ 12 μm | ≤ 20 μm | ≤ 30 μm |
| Randausschluss | ≤ 2 mm | ||
| Musterspezifikation | Formstruktur | Kuppel, Kegel, Pyramide | |
| Musterhöhe | 1,6 ~ 1,8 μm | ||
| Musterdurchmesser | 2,75 ~ 2,85 μm | ||
| Musterraum | 0,1 ~ 0,3 μm | ||
XKH ist auf die Bereitstellung hochwertiger, maßgeschneiderter strukturierter Sapphire-Substrate (PSS) mit technischem Support- und After-Sales-Service spezialisiert, um Kunden dabei zu helfen, im Bereich LED-, Display- und Optoelektronik effiziente Innovationen zu erreichen.
1. PSS -Versorgung mit hoher Qualität: Strukturierte Saphir -Substrate in verschiedenen Größen (2 ", 4", 6 "), um den Anforderungen von LED-, Display- und optoelektronischen Geräten gerecht zu werden.
2. Customized Design: Passen Sie die Oberflächenmikro-Nano-Struktur (wie Kegel, Pyramide oder sechseckige Array) nach Bedarf an, um die Effizienz der Lichtextraktion zu optimieren.
3. Technischer Support: Bereitstellung von PSS -Anwendungsdesign, Prozessoptimierung und technischer Beratung, um Kunden dabei zu helfen, die Produktleistung zu verbessern.
4. Epitaxiale Wachstumsunterstützung: PSS mit GaN-Epitaxialmaterial entspricht, um eine qualitativ hochwertige epitaxiale Schichtwachstum zu gewährleisten.
5. Test und Zertifizierung: Bereitstellung von PSS -Qualitätsinspektionsbericht, um sicherzustellen, dass die Produkte die Branchenstandards entsprechen.
Detailliertes Diagramm
