Strukturiertes Saphirsubstrat (PSS) 2 Zoll, 4 Zoll, 6 Zoll, ICP-Trockenätzen kann für LED-Chips verwendet werden.

Kurzbeschreibung:

Strukturiertes Saphirsubstrat (PSS) ist ein Substrat, auf dem mittels Lithographie und Ätzverfahren Mikro- und Nanostrukturen erzeugt werden. Es wird hauptsächlich in der LED-Herstellung (Leuchtdioden) eingesetzt, um die Lichtausbeute durch Oberflächenstrukturierung zu verbessern und dadurch die Helligkeit und Leistung der LEDs zu steigern.


Merkmale

Kerncharakteristik

1. Materialeigenschaften: Das Substratmaterial ist ein einkristalliner Saphir (Al₂O₃) mit hoher Härte, hoher Hitzebeständigkeit und chemischer Stabilität.

2. Oberflächenstruktur: Die Oberfläche wird durch Fotolithografie und Ätzen in periodische Mikro-Nano-Strukturen, wie Kegel, Pyramiden oder hexagonale Anordnungen, geformt.

3. Optische Leistung: Durch die Oberflächenstrukturierung wird die Totalreflexion des Lichts an der Grenzfläche reduziert und die Lichtausbeute verbessert.

4. Thermische Leistung: Das Saphirsubstrat besitzt eine ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit und eignet sich daher für Hochleistungs-LED-Anwendungen.

5. Größenangaben: Gängige Größen sind 2 Zoll (50,8 mm), 4 Zoll (100 mm) und 6 Zoll (150 mm).

Hauptanwendungsgebiete

1. LED-Herstellung:
Verbesserte Lichtausbeute: PSS reduziert den Lichtverlust durch ein spezielles Musterdesign und verbessert so die Helligkeit und Lichtausbeute der LEDs deutlich.

Verbesserte Qualität des Epitaxiewachstums: Die strukturierte Oberfläche bietet eine bessere Wachstumsgrundlage für GaN-Epitaxieschichten und verbessert die LED-Leistung.

2. Laserdiode (LD):
Hochleistungslaser: Die hohe Wärmeleitfähigkeit und Stabilität von PSS eignen sich für Hochleistungslaserdioden und verbessern die Wärmeableitung und Zuverlässigkeit.

Niedriger Schwellenstrom: Durch Optimierung des epitaxialen Wachstums wird der Schwellenstrom der Laserdiode reduziert und die Effizienz verbessert.

3. Fotodetektor:
Hohe Empfindlichkeit: Die hohe Lichtdurchlässigkeit und die geringe Defektdichte des PSS verbessern die Empfindlichkeit und die Ansprechgeschwindigkeit des Fotodetektors.

Breites spektrales Ansprechverhalten: geeignet für die photoelektrische Detektion im ultravioletten bis sichtbaren Bereich.

4. Leistungselektronik:
Hohe Spannungsfestigkeit: Saphir eignet sich aufgrund seiner hohen Isolationsfähigkeit und thermischen Stabilität für Hochspannungsgeräte.

Effiziente Wärmeableitung: Eine hohe Wärmeleitfähigkeit verbessert die Wärmeableitungsleistung von Leistungshalbleitern und verlängert deren Lebensdauer.

5. HF-Geräte:
Hochfrequenzleistung: Die geringen dielektrischen Verluste und die hohe thermische Stabilität von PSS machen es für Hochfrequenz-HF-Geräte geeignet.

Geringes Rauschen: Hohe Planarität und geringe Defektdichte reduzieren das Geräterauschen und verbessern die Signalqualität.

6. Biosensoren:
Hochempfindliche Detektion: Die hohe Lichtdurchlässigkeit und chemische Stabilität von PSS eignen sich für hochempfindliche Biosensoren.

Biokompatibilität: Aufgrund seiner Biokompatibilität eignet sich Saphir für medizinische Anwendungen und Anwendungen im Bereich der Biodetektion.
Strukturiertes Saphirsubstrat (PSS) mit GaN-Epitaxiematerial:

Strukturierte Saphirsubstrate (PSS) eignen sich ideal für das epitaktische Wachstum von Galliumnitrid (GaN). Die Gitterkonstante von Saphir ist der von GaN sehr ähnlich, wodurch Gitterfehlanpassungen und Defekte beim epitaktischen Wachstum reduziert werden. Die Mikro-Nanostruktur der PSS-Oberfläche verbessert nicht nur die Lichtausbeute, sondern auch die Kristallqualität der GaN-Epitaxieschicht und somit die Leistung und Zuverlässigkeit der LED.

Technische Parameter

Artikel Gemustertes Saphirsubstrat (2~6 Zoll)
Durchmesser 50,8 ± 0,1 mm 100,0 ± 0,2 mm 150,0 ± 0,3 mm
Dicke 430 ± 25 μm 650 ± 25 μm 1000 ± 25 μm
Oberflächenorientierung C-Ebene (0001) Abweichung von der M-Achse (10-10) 0,2 ± 0,1°
C-Ebene (0001) Abweichung von der A-Achse (11-20) 0 ± 0,1°
Primäre flache Ausrichtung A-Ebene (11-20) ± 1,0°
Primäre Flachlänge 16,0 ± 1,0 mm 30,0 ± 1,0 mm 47,5 ± 2,0 mm
R-Ebene 9 Uhr
Oberflächenbeschaffenheit der Vorderseite Gemustert
Oberflächenbeschaffenheit der Rückseite SSP: Feingeschliffen, Ra = 0,8–1,2 µm; DSP: Epi-poliert, Ra < 0,3 nm
Lasermarkierung Rückseite
TTV ≤8μm ≤10μm ≤20μm
BOGEN ≤10μm ≤15μm ≤25μm
KETTE ≤12μm ≤20μm ≤30μm
Kantenausschluss ≤2 mm
Musterspezifikation Formstruktur Kuppel, Kegel, Pyramide
Musterhöhe 1,6–1,8 μm
Musterdurchmesser 2,75–2,85 μm
Musterraum 0,1–0,3 μm

 XKH ist spezialisiert auf die Bereitstellung hochwertiger, kundenspezifischer strukturierter Saphirsubstrate (PSS) mit technischem Support und Kundendienst, um Kunden dabei zu helfen, effiziente Innovationen im Bereich LED, Displays und Optoelektronik zu realisieren.

1. Hochwertige PSS-Lieferung: Strukturierte Saphirsubstrate in verschiedenen Größen (2", 4", 6"), um den Anforderungen von LED-, Display- und optoelektronischen Geräten gerecht zu werden.

2. Kundenspezifisches Design: Anpassung der Oberflächenmikro-Nanostruktur (z. B. Kegel-, Pyramiden- oder Sechseckanordnung) an die Kundenbedürfnisse zur Optimierung der Lichtausbeute.

3. Technischer Support: Bereitstellung von PSS-Anwendungsdesign, Prozessoptimierung und technischer Beratung, um Kunden bei der Verbesserung der Produktleistung zu unterstützen.

4. Epitaxiales Wachstumsstützmaterial: Zur Sicherstellung einer hohen Qualität des Epitaxialschichtwachstums wird PSS bereitgestellt, das auf das GaN-Epitaxialmaterial abgestimmt ist.

5. Prüfung und Zertifizierung: Bereitstellung eines PSS-Qualitätsinspektionsberichts, um sicherzustellen, dass die Produkte den Branchenstandards entsprechen.

Detailliertes Diagramm

Strukturiertes Saphirsubstrat (PSS) 4
Strukturiertes Saphirsubstrat (PSS) 5
Strukturiertes Saphirsubstrat (PSS) 6

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