12 Zoll Durchmesser 300 x 1,0 mm Saphir-Wafer-Substrat C-Plane SSP/DSP

Kurze Beschreibung:

Mit der Entwicklung von Wissenschaft und Technologie wurden neue Anforderungen an die Größe und Qualität von Saphirkristallmaterialien gestellt.Mit der rasanten Entwicklung der Halbleiterbeleuchtung und anderer neuer Anwendungen wächst der Markt für kostengünstige, qualitativ hochwertige und großformatige Saphirkristalle dramatisch.

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Marktsituation für 12-Zoll-Saphirsubstrate

Derzeit hat Saphir zwei Hauptverwendungszwecke: Zum einen als Substratmaterial, bei dem es sich hauptsächlich um LED-Substratmaterial handelt, und zum anderen um das Zifferblatt von Uhren, die Luft- und Raumfahrt sowie spezielle Fenstermaterialien für die Herstellung.

Obwohl neben Saphir auch Siliziumkarbid, Silizium und Galliumnitrid als Substrate für LEDs verfügbar sind, ist eine Massenproduktion aufgrund der Kosten und einiger ungelöster technischer Engpässe immer noch nicht möglich.Durch die technische Entwicklung des Saphirsubstrats in den letzten Jahren wurden seine Gitteranpassung, seine elektrische Leitfähigkeit, seine mechanischen Eigenschaften, seine Wärmeleitfähigkeit und andere Eigenschaften erheblich verbessert und gefördert. Der Kosteneffektivitätsvorteil ist erheblich, sodass Saphir zum ausgereiftesten und stabilsten Substratmaterial geworden ist In der LED-Industrie ist es auf dem Markt weit verbreitet und der Marktanteil beträgt bis zu 90 %.

Charakteristik des 12-Zoll-Saphir-Wafer-Substrats

1. Saphirsubstratoberflächen weisen eine extrem niedrige Partikelanzahl auf, mit weniger als 50 Partikeln von 0,3 Mikrometern oder mehr pro 2 Zoll im Größenbereich von 2 bis 8 Zoll, und Hauptmetalle (K, Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Ni). , Cu, Zn) unter 2E10/cm2.Auch das 12-Zoll-Basismaterial soll diesen Grad erreichen.
2. Kann als Trägerwafer für den 12-Zoll-Halbleiterherstellungsprozess (In-Device-Transportpaletten) und als Substrat für das Bonden verwendet werden.
3. Kann die Form der konkaven und konvexen Oberfläche steuern.
Material: Hochreiner Einkristall Al2O3, Saphirwafer.
LED-Qualität, keine Blasen, Risse, Zwillinge, Abstammung, keine Farbe usw.

12-Zoll-Saphirwafer

Orientierung	C-Ebene<0001> +/- 1 Grad.
Durchmesser	300,0 +/-0,25 mm
Dicke	1,0 +/-25 um
Einkerbung	Kerbe oder flach
TTV	<50 um
BOGEN	<50 um
Kanten	Proaktive Fase
Vorderseite – 80/50 poliert
Lasermarkierung	Keiner
Verpackung	Einzelwafer-Trägerbox
Vorderseite Epi fertig poliert (Ra <0,3nm)
Rückseite Epi fertig poliert (Ra <0,3nm)