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Anwendungen von leitfähigen und halbisolierenden Siliziumkarbidsubstraten
Siliziumkarbidsubstrate werden in halbisolierende und leitfähige Typen unterteilt. Derzeit ist die gängigste Spezifikation für halbisolierende Siliziumkarbidsubstrate 4 Zoll. Bei leitfähigen Siliziumkarbidsubstraten...Mehr lesen -
Gibt es auch Unterschiede in der Anwendung von Saphir-Wafern mit unterschiedlicher Kristallorientierung?
Saphir ist ein Aluminiumoxid-Einkristall, gehört zum dreiteiligen Kristallsystem und besitzt eine hexagonale Struktur. Seine Kristallstruktur besteht aus drei Sauerstoffatomen und zwei Aluminiumatomen, die kovalent gebunden und sehr dicht angeordnet sind. Dadurch entstehen starke Bindungsketten und eine hohe Gitterenergie.Mehr lesen -
Worin besteht der Unterschied zwischen einem leitfähigen SiC-Substrat und einem halbisolierenden Substrat?
SiC-Siliziumkarbidbauelemente sind Bauelemente, die aus Siliziumkarbid als Rohmaterial gefertigt sind. Je nach ihren Widerstandseigenschaften werden sie in leitfähige Siliziumkarbid-Leistungsbauelemente und halbisolierende Siliziumkarbid-HF-Bauelemente unterteilt. Hauptbauformen und...Mehr lesen -
Ein Artikel macht Sie zum TGV-Meister.
Was ist TGV? TGV (Through-Glass Via) ist eine Technologie zur Herstellung von Durchgangslöchern in einem Glassubstrat. Vereinfacht gesagt, ist TGV ein Hochhaus, das durch das Glas Löcher stanzt, füllt und Verbindungen von oben nach unten herstellt, um integrierte Schaltkreise auf der Glasfläche zu realisieren.Mehr lesen -
Welche Indikatoren dienen der Beurteilung der Wafer-Oberflächenqualität?
Mit der kontinuierlichen Weiterentwicklung der Halbleitertechnologie steigen die Anforderungen an die Oberflächenqualität von Wafer-Substraten und Epitaxieschichten sowohl in der Halbleiterindustrie als auch in der Photovoltaikbranche erheblich. Welche Qualitätsanforderungen gelten also für …?Mehr lesen -
Wie gut kennen Sie sich mit dem Züchtungsprozess von SiC-Einkristallen aus?
Siliziumkarbid (SiC) spielt als Halbleitermaterial mit großer Bandlücke eine zunehmend wichtige Rolle in modernen Wissenschafts- und Technologieanwendungen. Siliziumkarbid zeichnet sich durch hervorragende thermische Stabilität, hohe elektrische Feldbeständigkeit und gezielte Leitfähigkeit aus.Mehr lesen -
Der bahnbrechende Kampf der heimischen SiC-Substrate
In den letzten Jahren hat sich SiC als neues Halbleitermaterial aufgrund der zunehmenden Verbreitung von Anwendungen wie Elektrofahrzeugen, Photovoltaik und Energiespeicherung zu einem wichtigen Bestandteil dieser Bereiche entwickelt.Mehr lesen -
SiC-MOSFET, 2300 Volt.
Am 26. gab Power Cube Semi die erfolgreiche Entwicklung des ersten 2300-V-SiC-MOSFET-Halbleiters (Siliziumkarbid) in Südkorea bekannt. Im Vergleich zu bestehenden Silizium-basierten Halbleitern kann SiC (Siliziumkarbid) höheren Spannungen standhalten und gilt daher als vielversprechendes Material.Mehr lesen -
Ist die Halbleitererholung nur eine Illusion?
Von 2021 bis 2022 erlebte der globale Halbleitermarkt aufgrund der durch den COVID-19-Ausbruch ausgelösten Sondernachfrage ein rasantes Wachstum. Da diese Sondernachfrage jedoch in der zweiten Jahreshälfte 2022 abebbte und der Markt daraufhin stark zurückging, …Mehr lesen -
Im Jahr 2024 gingen die Investitionsausgaben für Halbleiter zurück.
Am Mittwoch gab Präsident Biden eine Vereinbarung bekannt, Intel im Rahmen des CHIPS- und Wissenschaftsgesetzes 8,5 Milliarden US-Dollar an direkten Fördermitteln und 11 Milliarden US-Dollar an Darlehen bereitzustellen. Intel wird diese Mittel für seine Waferfabriken in Arizona, Ohio, New Mexico und Oregon verwenden. Wie bereits berichtet…Mehr lesen -
Was ist ein SiC-Wafer?
SiC-Wafer sind Halbleiter aus Siliziumkarbid. Dieses Material wurde 1893 entwickelt und eignet sich ideal für eine Vielzahl von Anwendungen. Es ist besonders geeignet für Schottky-Dioden, Sperrschicht-Schottky-Dioden, Schalter und Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs).Mehr lesen -
Detaillierte Interpretation des Halbleiters der dritten Generation – Siliziumkarbid
Einführung in Siliciumcarbid Siliciumcarbid (SiC) ist ein Verbindungshalbleitermaterial aus Kohlenstoff und Silicium und zählt zu den idealen Werkstoffen für die Herstellung von Hochtemperatur-, Hochfrequenz-, Hochleistungs- und Hochspannungsbauteilen. Im Vergleich zu herkömmlichen ...Mehr lesen