LiTaO3-Wafer 2 Zoll – 8 Zoll 10 x 10 x 0,5 mm 1sp 2sp für 5G/6G-Kommunikation
Technische Parameter
| Name | Optisches LiTaO3 | Schalltischpegel LiTaO3 |
| Axial | Z-Schnitt +/- 0,2 ° | 36° Y-Schnitt / 42° Y-Schnitt / X-Schnitt (+ / - 0,2 °) |
| Durchmesser | 76,2 mm + / - 0,3 mm/ 100 ± 0,2 mm | 76,2 mm +/- 0,3 mm 100 mm +/- 0,3 mm oder 150 ± 0,5 mm |
| Bezugsebene | 22 mm +/- 2 mm | 22 mm +/- 2 mm 32 mm +/- 2 mm |
| Dicke | 500 um +/- 5 mm 1000 µm +/- 5 mm | 500 um +/-20 mm 350 um +/-20 mm |
| TTV | ≤ 10 µm | ≤ 10 µm |
| Curietemperatur | 605 °C + / - 0,7 °C (DTA-Methode) | 605 °C + / -3 °C (DTA-Methode |
| Oberflächenqualität | Doppelseitiges Polieren | Doppelseitiges Polieren |
| Abgeschrägte Kanten | Kantenverrundung | Kantenverrundung |
Hauptmerkmale
1. Elektrische und optische Leistung
· Elektrooptischer Koeffizient: r33 erreicht 30 pm/V (X-Schnitt), 1,5-mal höher als LiNbO3, und ermöglicht eine ultrabreitbandige elektrooptische Modulation (> 40 GHz Bandbreite).
· Breite spektrale Empfindlichkeit: Übertragungsbereich 0,4–5,0 μm (8 mm Dicke), mit einer Ultraviolett-Absorptionskante von nur 280 nm, ideal für UV-Laser und Quantenpunktgeräte.
· Niedriger pyroelektrischer Koeffizient: dP/dT = 3,5×10⁻⁴ C/(m²·K), gewährleistet Stabilität in Hochtemperatur-Infrarotsensoren.
2.Thermische und mechanische Eigenschaften
· Hohe Wärmeleitfähigkeit: 4,6 W/m·K (X-Schnitt), das Vierfache von Quarz, hält Temperaturzyklen von -200–500 °C stand.
· Niedriger Wärmeausdehnungskoeffizient: CTE = 4,1×10⁻⁶/K (25–1000 °C), kompatibel mit Siliziumgehäusen zur Minimierung der thermischen Belastung.
3. Fehlerkontrolle und Verarbeitungspräzision
· Mikrorohrdichte: <0,1 cm⁻² (8-Zoll-Wafer), Versetzungsdichte <500 cm⁻² (überprüft durch KOH-Ätzen).
· Oberflächenqualität: CMP-poliert auf Ra <0,5 nm, erfüllt die Ebenheitsanforderungen der EUV-Lithografie.
Wichtige Anwendungen
| Domain | Anwendungsszenarien | Technische Vorteile |
| Optische Kommunikation | 100G/400G DWDM-Laser, Silizium-Photonik-Hybridmodule | Die breite spektrale Transmission und der geringe Wellenleiterverlust (α <0,1 dB/cm) des LiTaO3-Wafers ermöglichen eine C-Band-Erweiterung. |
| 5G/6G-Kommunikation | SAW-Filter (1,8–3,5 GHz), BAW-SMR-Filter | 42°Y-geschnittene Wafer erreichen einen Kt²-Wert von >15 % und bieten eine geringe Einfügungsdämpfung (<1,5 dB) und einen hohen Roll-off (>30 dB). |
| Quantentechnologien | Einzelphotonendetektoren, parametrische Down-Conversion-Quellen | Ein hoher nichtlinearer Koeffizient (χ(2)=40 pm/V) und eine niedrige Dunkelzählrate (<100 Zählimpulse/s) verbessern die Quantentreue. |
| Industrielle Sensorik | Hochtemperatur-Drucksensoren, Stromwandler | Die piezoelektrische Reaktion (g33 >20 mV/m) und die hohe Temperaturtoleranz (>400 °C) des LiTaO3-Wafers eignen sich für extreme Umgebungen. |
XKH-Dienste
1. Kundenspezifische Waferherstellung
· Größe und Schnitt: 2–8-Zoll-Wafer mit X/Y/Z-Schnitt, 42°-Y-Schnitt und benutzerdefinierten Winkelschnitten (±0,01° Toleranz).
· Dotierungskontrolle: Fe-, Mg-Dotierung mittels Czochralski-Methode (Konzentrationsbereich 10¹⁶–10¹⁹ cm⁻³) zur Optimierung der elektrooptischen Koeffizienten und der thermischen Stabilität.
2. Fortschrittliche Prozesstechnologien
· Periodische Polung (PPLT): Smart-Cut-Technologie für LTOI-Wafer, die eine Domänenperiodenpräzision von ±10 nm und eine quasi-phasenangepasste (QPM) Frequenzumwandlung erreicht.
· Heterogene Integration: Si-basierte LiTaO3-Verbundwafer (POI) mit Dickenkontrolle (300–600 nm) und Wärmeleitfähigkeit bis zu 8,78 W/m·K für Hochfrequenz-SAW-Filter.
3.Qualitätsmanagementsysteme
· End-to-End-Tests: Raman-Spektroskopie (Polytyp-Verifizierung), XRD (Kristallinität), AFM (Oberflächenmorphologie) und Prüfung der optischen Gleichmäßigkeit (Δn <5×10⁻⁵).
4. Globale Lieferkettenunterstützung
· Produktionskapazität: Monatliche Produktion >5.000 Wafer (8 Zoll: 70 %), mit 48-Stunden-Notfalllieferung.
· Logistiknetzwerk: Abdeckung in Europa, Nordamerika und im asiatisch-pazifischen Raum per Luft-/Seefracht mit temperaturkontrollierter Verpackung.
