LiNbO₃-Wafer 2 Zoll – 8 Zoll Dicke 0,1 – 0,5 mm TTV 3 µm Benutzerdefiniert

Kurze Beschreibung:

LiNbO₃-Wafer stellen den Goldstandard in der integrierten Photonik und Präzisionsakustik dar und bieten in modernen optoelektronischen Systemen eine unübertroffene Leistung. Als führender Hersteller haben wir die Herstellung dieser technischen Substrate durch fortschrittliche Dampftransport-Äquilibrierungstechniken perfektioniert und erreichen branchenführende kristalline Perfektion mit Defektdichten unter 50/cm².

Die Produktionskapazitäten von XKH umfassen Durchmesser von 75 mm bis 150 mm, mit präziser Orientierungskontrolle (X/Y/Z-Schnitt ±0,3°) und speziellen Dotierungsoptionen, einschließlich Seltenerdelementen. Die einzigartige Kombination von Eigenschaften der LiNbO₃-Wafer – einschließlich ihres bemerkenswerten r₃₃-Koeffizienten (32±2 pm/V) und ihrer breiten Transparenz vom nahen UV- bis zum mittleren IR-Bereich – macht sie unverzichtbar für photonische Schaltkreise und hochfrequente akustische Geräte der nächsten Generation.

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Merkmale

Technische Parameter

Material	Optische LiNbO3-Wafes
Curie-Temperatur	1142 ± 2,0 °C
Schnittwinkel	X/Y/Z usw.
Durchmesser/Größe	2"/3"/4"/6"/8"
Tol(±)	<0,20 mm
Dicke	0,1 ~ 0,5 mm oder mehr
Primärwohnung	16 mm/22 mm/32 mm
TTV	<3µm
Bogen	-30
Kette	<40µm
Orientierung Wohnung	Alle verfügbar
Oberflächentyp	Einseitig poliert / Doppelseitig poliert
Polierte Seite Ra	<0,5 nm
S/D	20/10
Kantenkriterien	R = 0,2 mm oder Bullnose
Optisch dotiert	Fe/Zn/MgO usw. für LN<-Wafer optischer Qualität
Waferoberflächenkriterien	Brechungsindex	No=2,2878/Ne=2,2033 @632nm Wellenlänge
	Kontamination,	Keiner
	Partikel ￠>0,3 µm	<= 30
	Kratzer, Absplitterungen	Keiner
	Defekt	Keine Kantenrisse, Kratzer, Sägespuren, Flecken
Verpackung	Menge/Waferbox	25 Stück pro Karton

Kerneigenschaften unserer LiNbO₃-Wafer

1.Photonische Leistungsmerkmale

Unsere LiNbO₃-Wafer zeichnen sich durch außergewöhnliche Licht-Materie-Wechselwirkungen aus. Nichtlineare optische Koeffizienten erreichen 42 pm/V und ermöglichen so effiziente Wellenlängenkonvertierungsprozesse, die für die Quantenphotonik entscheidend sind. Die Substrate weisen eine Transmission von >72 % im Bereich von 320–5200 nm auf. Speziell entwickelte Versionen erreichen bei Telekommunikationswellenlängen einen Ausbreitungsverlust von <0,2 dB/cm.

2. Akustische Wellentechnik

Die kristalline Struktur unserer LiNbO₃-Wafer unterstützt Oberflächenwellengeschwindigkeiten von über 3800 m/s und ermöglicht so den Resonatorbetrieb bis 12 GHz. Unsere proprietären Polierverfahren ermöglichen Oberflächenwellenbauelemente (SAW) mit Einfügungsverlusten unter 1,2 dB bei gleichzeitiger Temperaturstabilität von ±15 ppm/°C.

3. Umweltresilienz

Unsere LiNbO₃-Wafer sind für extreme Bedingungen ausgelegt und behalten ihre Funktionalität von kryogenen Temperaturen bis zu 500 °C. Das Material zeichnet sich durch eine außergewöhnliche Strahlungshärte aus und hält einer ionisierenden Gesamtdosis von >1 Mrad ohne nennenswerte Leistungseinbußen stand.

4.Anwendungsspezifische Konfigurationen

Wir bieten domänenspezifische Varianten an, darunter:
Periodisch gepolte Strukturen mit 5-50μm Domänenperioden
Ionengeschnittene Dünnschichten für die Hybridintegration
Metamaterial-erweiterte Versionen für spezielle Anwendungen

Implementierungsszenarien für LiNbO₃-Wafer

1. Optische Netzwerke der nächsten Generation
LiNbO₃-Wafer bilden das Rückgrat optischer Transceiver im Terabit-Bereich und ermöglichen durch fortschrittliche verschachtelte Modulatordesigns eine kohärente Übertragung von 800 Gbit/s. Unsere Substrate werden zunehmend für Co-Packaged-Optik-Implementierungen in KI/ML-Beschleunigersystemen eingesetzt.
2,6G HF-Frontends
Die neueste Generation von LiNbO₃-Wafern unterstützt Ultrabreitbandfilterung bis 20 GHz und erfüllt damit die Spektrumanforderungen der neuen 6G-Standards. Unsere Materialien ermöglichen neuartige akustische Resonatorarchitekturen mit Gütefaktoren über 2000.
3. Quanteninformationssysteme
Präzisionsgepolte LiNbO₃-Wafer bilden die Grundlage für verschränkte Photonenquellen mit einer Paarbildungseffizienz von über 90 %. Unsere Substrate ermöglichen Durchbrüche im photonischen Quantencomputing und in sicheren Kommunikationsnetzwerken.
4. Fortschrittliche Sensorlösungen
Von LiDAR-Sensoren für die Automobilindustrie mit 1550 nm bis hin zu hochempfindlichen gravimetrischen Sensoren bilden LiNbO₃-Wafer die entscheidende Übertragungsplattform. Unsere Materialien ermöglichen Sensorauflösungen bis hinunter zur Einzelmolekül-Erkennungsebene.

Hauptvorteile von LiNbO₃-Wafern

1. Unübertroffene elektrooptische Leistung
Außergewöhnlich hoher elektrooptischer Koeffizient (r₃₃~30-32 pm/V): Stellt den Branchenmaßstab für kommerzielle Lithiumniobat-Wafer dar und ermöglicht optische Hochgeschwindigkeitsmodulatoren mit über 200 Gbit/s, die die Leistungsgrenzen von Lösungen auf Silizium- oder Polymerbasis weit übertreffen.

Extrem niedriger Einfügungsverlust (<0,1 dB/cm): Erreicht durch Nanopolitur (Ra <0,3 nm) und Antireflexbeschichtungen (AR), wodurch die Energieeffizienz optischer Kommunikationsmodule deutlich verbessert wird.

2. Überlegene piezoelektrische und akustische Eigenschaften
Ideal für Hochfrequenz-SAW/BAW-Geräte: Mit Schallgeschwindigkeiten von 3500–3800 m/s unterstützen diese Wafer 6G-mmWave-Filterdesigns (24–100 GHz) mit Einfügungsverlusten <1,0 dB.

Hoher elektromechanischer Kopplungskoeffizient (K²~0,25 %): Verbessert die Bandbreite und Signalselektivität in HF-Frontend-Komponenten und macht sie für 5G/6G-Basisstationen und Satellitenkommunikation geeignet.

3. Breitbandtransparenz und nichtlineare optische Effekte
Ultraweites optisches Transmissionsfenster (350–5000 nm): Deckt UV- bis mittlere IR-Spektren ab und ermöglicht Anwendungen wie:

Quantenoptik: Periodisch gepolte (PPLN) Konfigurationen erreichen eine Effizienz von über 90 % bei der Erzeugung verschränkter Photonenpaare.

Lasersysteme: Optische parametrische Oszillation (OPO) liefert eine abstimmbare Wellenlängenausgabe (1–10 μm).

Außergewöhnliche Laserzerstörschwelle (>1 GW/cm²): Erfüllt strenge Anforderungen für Hochleistungslaseranwendungen.

4. Extreme Umweltstabilität
Hohe Temperaturbeständigkeit (Curiepunkt: 1140 °C): Behält die stabile Leistung bei Temperaturen von -200 °C bis +500 °C bei, ideal für:

Automobilelektronik (Motorraumsensoren)

Raumfahrzeug (optische Komponenten für den Weltraum)

Strahlungshärte (>1 Mrad TID): Entspricht den Standards MIL-STD-883, geeignet für Nuklear- und Verteidigungselektronik.

5. Anpassung und Integrationsflexibilität
Kristallorientierung und Dotierungsoptimierung:

X/Y/Z-geschnittene Wafer (±0,3° Präzision)

MgO-Dotierung (5 Mol-%) für verbesserte optische Schadensresistenz

Unterstützung heterogener Integration:

Kompatibel mit Dünnschicht-LiNbO₃-on-Insulator (LNOI) für die Hybridintegration mit Siliziumphotonik (SiPh)

Ermöglicht Wafer-Level-Bonding für Co-Packaged Optics (CPO)

6. Skalierbare Produktion und Kosteneffizienz
Massenproduktion von 6-Zoll-Wafern (150 mm): Reduziert die Stückkosten um 30 % im Vergleich zu herkömmlichen 4-Zoll-Prozessen.

Schnelle Lieferung: Standardprodukte werden in 3 Wochen versendet; Prototypen in kleinen Chargen (mindestens 5 Wafer) werden in 10 Tagen geliefert.

XKH-Dienste

1. Materialinnovationslabor
Unsere Experten für Kristallwachstum arbeiten mit Kunden zusammen, um anwendungsspezifische LiNbO₃-Wafer-Formulierungen zu entwickeln, darunter:

Varianten mit geringem optischen Verlust (<0,05 dB/cm)

Konfigurationen für die Hochleistungsverarbeitung

Strahlungstolerante Zusammensetzungen

2. Rapid-Prototyping-Pipeline
Vom Entwurf bis zur Lieferung in 10 Werktagen für:

Wafer mit benutzerdefinierter Ausrichtung

Gemusterte Elektroden

Vorcharakterisierte Proben

3. Leistungszertifizierung
Jede LiNbO₃-Waferlieferung enthält:

Vollständige spektroskopische Charakterisierung

Überprüfung der kristallographischen Orientierung

Zertifizierung der Oberflächenqualität

4. Lieferkettensicherung