GaN auf Glas, 4 Zoll: Anpassbare Glasoptionen, einschließlich JGS1, JGS2, BF33 und gewöhnlichem Quarz
Merkmale
●Große Bandlücke:GaN hat eine Bandlücke von 3,4 eV, was im Vergleich zu herkömmlichen Halbleitermaterialien wie Silizium eine höhere Effizienz und längere Haltbarkeit unter Hochspannungs- und Hochtemperaturbedingungen ermöglicht.
●Anpassbare Glassubstrate:Erhältlich mit den Glasoptionen JGS1, JGS2, BF33 und gewöhnlichem Quarzglas, um verschiedenen thermischen, mechanischen und optischen Leistungsanforderungen gerecht zu werden.
●Hohe Wärmeleitfähigkeit:Die hohe Wärmeleitfähigkeit von GaN gewährleistet eine effektive Wärmeableitung, wodurch diese Wafer ideal für Energieanwendungen und Geräte geeignet sind, die viel Wärme erzeugen.
●Hohe Durchschlagspannung:Aufgrund der Fähigkeit von GaN, hohen Spannungen standzuhalten, eignen sich diese Wafer für Leistungstransistoren und Hochfrequenzanwendungen.
●Hervorragende mechanische Festigkeit:Die Glassubstrate sorgen in Kombination mit den Eigenschaften von GaN für robuste mechanische Festigkeit und verbessern die Haltbarkeit des Wafers in anspruchsvollen Umgebungen.
●Reduzierte Herstellungskosten:Im Vergleich zu herkömmlichen GaN-auf-Silizium- oder GaN-auf-Saphir-Wafern ist GaN-auf-Glas eine kostengünstigere Lösung für die Massenproduktion von Hochleistungsgeräten.
● Maßgeschneiderte optische Eigenschaften:Verschiedene Glasoptionen ermöglichen die individuelle Anpassung der optischen Eigenschaften des Wafers und machen ihn für Anwendungen in der Optoelektronik und Photonik geeignet.
Technische Spezifikationen
| Parameter | Wert |
| Wafergröße | 4 Zoll |
| Glassubstratoptionen | JGS1, JGS2, BF33, gewöhnlicher Quarz |
| GaN-Schichtdicke | 100 nm – 5000 nm (anpassbar) |
| GaN-Bandlücke | 3,4 eV (große Bandlücke) |
| Durchbruchspannung | Bis zu 1200 V |
| Wärmeleitfähigkeit | 1,3 – 2,1 W/cm·K |
| Elektronenmobilität | 2000 cm²/V·s |
| Waferoberflächenrauheit | RMS ~0,25 nm (AFM) |
| GaN-Schichtwiderstand | 437,9 Ω·cm² |
| Spezifischer Widerstand | Halbisolierend, N-Typ, P-Typ (anpassbar) |
| Optische Übertragung | >80 % für sichtbare und UV-Wellenlängen |
| Waferverzug | < 25 µm (maximal) |
| Oberflächenbeschaffenheit | SSP (einseitig poliert) |
Anwendungen
Optoelektronik:
GaN-auf-Glas-Wafer werden häufig verwendet inLEDsUndLaserdiodenaufgrund der hohen Effizienz und optischen Leistung von GaN. Die Möglichkeit, Glassubstrate wieJGS1UndJGS2ermöglicht die Anpassung der optischen Transparenz und ist daher ideal für Hochleistungs- und Hochleistungs-blaue/grüne LEDsUndUV-Laser.
Photonik:
GaN-auf-Glas-Wafer sind ideal fürFotodetektoren, photonische integrierte Schaltkreise (PICs), Undoptische Sensoren. Ihre hervorragenden Lichtdurchlässigkeitseigenschaften und hohe Stabilität bei Hochfrequenzanwendungen machen sie geeignet fürKommunikationUndSensortechnologien.
Leistungselektronik:
Aufgrund ihrer großen Bandlücke und hohen Durchbruchspannung werden GaN-auf-Glas-Wafer inHochleistungstransistorenUndHochfrequenz-Leistungsumwandlung. Die Fähigkeit von GaN, hohe Spannungen und Wärmeableitung zu bewältigen, macht es perfekt fürLeistungsverstärker, HF-Leistungstransistoren, UndLeistungselektronikin Industrie- und Verbraucheranwendungen.
Hochfrequenzanwendungen:
GaN-auf-Glas-Wafer weisen eine hervorragendeElektronenmobilitätund können mit hohen Schaltgeschwindigkeiten betrieben werden, was sie ideal macht fürHochfrequenz-Leistungsgeräte, Mikrowellengeräte, UndHF-Verstärker. Dies sind entscheidende Komponenten in5G-Kommunikationssysteme, Radarsysteme, UndSatellitenkommunikation.
Automobilanwendungen:
GaN-auf-Glas-Wafer werden auch in Automobil-Stromversorgungssystemen verwendet, insbesondere inOn-Board-Ladegeräte (OBCs)UndDC-DC-Wandlerfür Elektrofahrzeuge (EVs). Die Fähigkeit der Wafer, hohen Temperaturen und Spannungen standzuhalten, ermöglicht ihren Einsatz in der Leistungselektronik von Elektrofahrzeugen und bietet so höhere Effizienz und Zuverlässigkeit.
Medizinische Geräte:
Die Eigenschaften von GaN machen es auch zu einem attraktiven Material für den Einsatz inmedizinische BildgebungUndbiomedizinische Sensoren. Seine Fähigkeit, bei hohen Spannungen zu arbeiten und seine Beständigkeit gegen Strahlung machen es ideal für Anwendungen inDiagnosegeräteUndmedizinische Laser.
Fragen und Antworten
F1: Warum ist GaN-auf-Glas im Vergleich zu GaN-auf-Silizium oder GaN-auf-Saphir eine gute Option?
A1:GaN-auf-Glas bietet mehrere Vorteile, darunterKosteneffizienzUndbesseres WärmemanagementWährend GaN-auf-Silizium und GaN-auf-Saphir hervorragende Leistungen bieten, sind Glassubstrate günstiger, leichter verfügbar und hinsichtlich optischer und mechanischer Eigenschaften anpassbar. Darüber hinaus bieten GaN-auf-Glas-Wafer hervorragende Leistung in beidenoptischUndHochleistungselektronikanwendungen.
F2: Was ist der Unterschied zwischen den Glasoptionen JGS1, JGS2, BF33 und gewöhnlichem Quarzglas?
A2:
- JGS1UndJGS2sind hochwertige optische Glassubstrate, bekannt für ihrehohe optische TransparenzUndgeringe Wärmeausdehnung, was sie ideal für photonische und optoelektronische Geräte macht.
- BF33Glasangebotehöherer Brechungsindexund ist ideal für Anwendungen, die eine verbesserte optische Leistung erfordern, wie zum BeispielLaserdioden.
- Gewöhnlicher Quarzbietet hohethermische StabilitätUndStrahlungsbeständigkeit, wodurch es für Anwendungen bei hohen Temperaturen und rauen Umgebungen geeignet ist.
F3: Kann ich den spezifischen Widerstand und die Dotierungsart für GaN-auf-Glas-Wafer anpassen?
A3:Ja, wir bietenanpassbarer spezifischer WiderstandUndDopingarten(N-Typ oder P-Typ) für GaN-auf-Glas-Wafer. Diese Flexibilität ermöglicht die Anpassung der Wafer an spezifische Anwendungen, darunter Leistungsbauelemente, LEDs und photonische Systeme.
F4: Was sind die typischen Anwendungen für GaN-auf-Glas in der Optoelektronik?
A4:In der Optoelektronik werden GaN-auf-Glas-Wafer häufig verwendet fürblaue und grüne LEDs, UV-Laser, UndFotodetektorenDie anpassbaren optischen Eigenschaften des Glases ermöglichen Geräte mit hoherLichtdurchlässigkeit, wodurch sie ideal für Anwendungen inDisplaytechnologien, Beleuchtung, Undoptische Kommunikationssysteme.
F5: Wie verhält sich GaN-auf-Glas in Hochfrequenzanwendungen?
A5:GaN-auf-Glas-Wafer bietenausgezeichnete Elektronenmobilität, was ihnen eine gute Leistung inHochfrequenzanwendungenwie zum BeispielHF-Verstärker, Mikrowellengeräte, Und5G-Kommunikationssysteme. Ihre hohe Durchbruchspannung und geringen Schaltverluste machen sie geeignet fürHochleistungs-HF-Geräte.
F6: Wie hoch ist die typische Durchbruchspannung von GaN-auf-Glas-Wafern?
A6:GaN-auf-Glas-Wafer unterstützen typischerweise Durchbruchspannungen bis zu1200 V, wodurch sie geeignet sind fürhohe LeistungUndHochspannungAnwendungen. Ihre große Bandlücke ermöglicht es ihnen, höhere Spannungen zu verarbeiten als herkömmliche Halbleitermaterialien wie Silizium.
F7: Können GaN-auf-Glas-Wafer in Automobilanwendungen eingesetzt werden?
A7:Ja, GaN-auf-Glas-Wafer werden verwendet inAutomobil-Leistungselektronik, einschließlichDC-DC-WandlerUndOn-Board-Ladegeräte(OBCs) für Elektrofahrzeuge. Ihre Fähigkeit, bei hohen Temperaturen zu arbeiten und hohe Spannungen zu verarbeiten, macht sie ideal für diese anspruchsvollen Anwendungen.
Abschluss
Unsere 4-Zoll-GaN-auf-Glas-Wafer bieten eine einzigartige und anpassbare Lösung für eine Vielzahl von Anwendungen in der Optoelektronik, Leistungselektronik und Photonik. Mit Glassubstratoptionen wie JGS1, JGS2, BF33 und gewöhnlichem Quarz bieten diese Wafer Vielseitigkeit in mechanischen und optischen Eigenschaften und ermöglichen maßgeschneiderte Lösungen für Hochleistungs- und Hochfrequenzgeräte. Ob für LEDs, Laserdioden oder HF-Anwendungen – GaN-auf-Glas-Wafer
Detailliertes Diagramm
