Durchmesser 50,8 mm, Saphir-Wafer, Saphir-Fenster, hohe optische Transmission, DSP/SSP

Kurze Beschreibung:

Aufgrund des geringeren Fehlanpassungsgitters und der stabilen chemischen und physikalischen Eigenschaften sind Saphir-(Al2O3)-Wafer beliebte Substrate für III-V-Nitride, Supraleiter und magnetische Epitaxialfilme. Sie finden breite Anwendung in der GaN- und Dünnschicht-Epitaxie, bei Silizium auf Saphir, im LED-Markt und in der Optikindustrie.

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Warum Saphir?

Merkmale von Saphir-Einkristall
1. Saphir verfügt über eine hohe optische Durchlässigkeit und wird daher häufig als dielektrisches Material für mikroelektronische Röhren, als Ultraschallleitungselement, als Wellenleiter für Laserkavitäten und andere optische Elemente sowie als Fenstermaterial für militärische Infrarotgeräte, Raumfahrzeuge, Hochleistungslaser und optische Kommunikationsmittel verwendet.

2. Saphir weist eine hohe Steifigkeit, hohe Festigkeit, hohe Betriebstemperatur, Abriebfestigkeit und Korrosionsbeständigkeit auf. Daher wird Saphirsubstrat häufig in rauen Umgebungen verwendet, beispielsweise in Kesselwasserstandsanzeigern (hohe Temperaturbeständigkeit), Barcode-Lesegeräten für Waren, Lagern und anderen Präzisionsfertigungsprodukten (Verschleißfestigkeit), Kohle-, Gas-, Bohrlocherkennungssensoren und Detektorfenstern (Korrosionsschutz).

3. Saphir verfügt über die Eigenschaften der elektrischen Isolierung, Transparenz, guten Wärmeleitfähigkeit und hohen Steifigkeit, sodass er als Substratmaterial für integrierte Schaltkreise wie LED- und Mikroelektronikschaltkreise sowie ultraschnelle integrierte Schaltkreise verwendet werden kann.

Spezifikation

Durchmesser	50,8 mm +/-0,1 mm oder +/-0,02 mm
Dicke	0,43 mm ± 0,1 mm oder +/- 0,02 mm
Orientierung	C-Ebene/A-Ebene/M-Ebene/R-Ebene
Oberflächenqualität (Kratzen und Graben)	60/40, 40/20 oder besser
Oberflächengenauigkeit	λ/10, λ/2, λ
Freie Blende	>85 %, >90 %
Parallelität	+/-3', +/-30''
Fase	0,1~0,3 mm × 45 Grad
Beschichtung	AR, BBAR oder auf Kundenwunsch (UV, VIS, IR)

NEIN	Eigenschaften	Ziel	Toleranz	Bemerkungen
1	Durchmesser	50,8 mm	± 0,1 mm
2	Dicke	430 μm	±15 μm
3	Oberflächenorientierung der C-Ebene	von der C-Achse bis M0,2°	± 0,1°
4	Primäre flache Länge	16 mm	±11 mm
5	Primäre flache Ausrichtung	A-Ebene (11-20)	±0,1°
6	Rauheit der Rückseite	0,8 bis 1,2 µm
7	Vorderseite Rauheit	<0,3 nm
8	Waffelrand	R-Typ
9	Gesamtdickenvariation, TTV	≤ 10 μm (LTV ≤ 5 μm, 5*5)
10	SORI	≤10μm
11	Bogen	-10 μm ≤ BOW ≤ 0
12	Lasermarkierung	N / A		nicht haben
	Paket	25 Wafer in einer Kassette
	Rückverfolgbarkeit	Wafer müssen anhand der Kassettennummer rückverfolgbar sein

Häufig gestellte Fragen

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