Durchmesser: 50,8 mm, Saphirwafer, Saphirfenster, hohe optische Durchlässigkeit, DSP/SSP

Kurzbeschreibung:

Aufgrund des weniger unpassenden Gitters und der stabilen chemischen und physikalischen Eigenschaften sind Saphirwafer (Al2O3) beliebte Substrate für III-V-Nitride, Supraleiter und magnetische Epifilme. Sie werden häufig im GaN- und Dünnschicht-Epitaxiewachstum, im Silizium-auf-Saphir-Bereich, im LED-Markt und in der Optikindustrie eingesetzt.

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Warum Saphir?

Merkmale von Einkristall-Saphir
1. Saphir hat eine hohe optische Durchlässigkeit und wird daher häufig als dielektrisches Material für mikroelektronische Röhren, Ultraschallleitungselemente, Wellenleiter-Laserhohlräume und andere optische Elemente sowie als Fenstermaterialien für militärische Infrarotgeräte, Raumfahrzeuge, hochintensive Laser und optische Elemente verwendet Kommunikation.

2. Saphir weist eine hohe Steifigkeit, hohe Festigkeit, hohe Arbeitstemperatur, Abriebfestigkeit und Korrosionsbeständigkeit auf. Daher wird Saphirsubstrat häufig in rauen Umgebungen verwendet, z. B. als Kesselwasseranzeige (Hochtemperaturbeständigkeit), für Barcode-Scanner, Lager usw. und andere Präzisionsfertigung (Verschleißfestigkeit), Kohle, Gas, Bohrlocherkennungssensoren und Detektorfenster (Korrosionsschutz).

3. Saphir zeichnet sich durch elektrische Isolierung, Transparenz, gute Wärmeleitfähigkeit und hohe Steifigkeit aus und kann daher als Substratmaterial für integrierte Schaltkreise wie LED- und mikroelektronische Schaltkreise sowie integrierte Ultrahochgeschwindigkeitsschaltkreise verwendet werden.

Spezifikation

Durchmesser	50,8 mm +/-0,1 mm oder +/-0,02 mm
Dicke	0,43 mm ± 0,1 mm oder +/- 0,02 mm
Orientierung	C-Ebene/A-Ebene/M-Ebene/R-Ebene
Oberflächenqualität (Scratch & Dig)	60/40, 40/20 oder besser
Oberflächengenauigkeit	λ/10, λ/2, λ
Klare Blende	>85 %, >90 %
Parallelität	+/-3', +/-30''
Fase	0,1 ~ 0,3 mm × 45 Grad
Beschichtung	AR, BBAR oder auf Kundenwunsch (UV, VIS, IR)

NEIN	Eigenschaften	Ziel	Toleranz	Bemerkungen
1	Durchmesser	50,8 mm	± 0,1 mm
2	Dicke	430μm	±15μm
3	Oberflächenorientierung der C-Ebene	von der C-Achse auf M0,2°	± 0,1°
4	Primäre flache Länge	16mm	±11mm
5	Primäre flache Ausrichtung	A-Ebene (11-20)	±0,1°
6	Rauheit der Rückseite	0,8 ~ 1,2 um
7	Rauheit der Vorderseite	<0,3 nm
8	Waffelrand	R-Typ
9	Gesamtdickenvariation, TTV	≤ 10 μm (LTV ≤ 5 μm, 5*5)
10	SORI	≤10μm
11	Bogen	-10 μm ≤ BOW ≤ 0
12	Lasermarkierung	N / A		nicht haben
	Paket	25 Waffeln in einer Kassette
	Trace-Fähigkeit	Wafer müssen hinsichtlich der Kassettennummer rückverfolgbar sein

FAQ

Was ist Ihre Mindestbestellmenge?
Mindestbestellmenge: 25 Stück.

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