Saphirwafer mit 50,8 mm Durchmesser, Saphirfenster, hohe optische Transmission, DSP/SSP

Kurzbeschreibung:

Aufgrund der geringeren Gitterfehlanpassung und der stabilen chemischen und physikalischen Eigenschaften sind Saphir-Wafer (Al₂O₃) beliebte Substrate für III-V-Nitride, Supraleiter und magnetische Epitaxieschichten. Sie finden breite Anwendung beim GaN- und Dünnschicht-Epitaxiewachstum, bei Silizium-auf-Saphir-Abscheidungen, im LED-Markt und in der Optikindustrie.


Merkmale

Warum Saphir?

Eigenschaften von Saphir-Einkristall
1. Saphir besitzt eine hohe optische Transmission und wird daher häufig als dielektrisches Material in mikroelektronischen Röhren, als Ultraschallleitungselement, in Wellenleiter-Laserresonatoren und anderen optischen Elementen sowie als Fenstermaterial für militärische Infrarotgeräte, Raumfahrzeuge, Hochleistungslaser und optische Kommunikationssysteme eingesetzt.

2. Saphir besitzt eine hohe Steifigkeit, hohe Festigkeit, hohe Arbeitstemperatur, Abriebfestigkeit und Korrosionsbeständigkeit. Daher wird Saphirsubstrat häufig in rauen Umgebungen eingesetzt, z. B. bei Kesselwasserstandsanzeigern (Hochtemperaturbeständigkeit), Barcode-Scannern für Massenprodukte, Lagern und anderen Präzisionsfertigungsteilen (Verschleißfestigkeit), sowie bei Sensoren und Detektorfenstern zur Kohle-, Gas- und Bohrlochdetektion (Korrosionsbeständigkeit).

3. Saphir besitzt die Eigenschaften elektrischer Isolation, Transparenz, guter Wärmeleitfähigkeit und hoher Steifigkeit und kann daher als Substratmaterial für integrierte Schaltungen wie LEDs und mikroelektronische Schaltungen sowie ultraschnelle integrierte Schaltungen verwendet werden.

Spezifikation

Durchmesser 50,8 mm ± 0,1 mm oder ± 0,02 mm
Dicke 0,43 mm ± 0,1 mm oder +/- 0,02 mm
Orientierung C-Ebene/A-Ebene/M-Ebene/R-Ebene
Oberflächenqualität (Kratz- und Dig-Test) 60/40, 40/20 oder besser
Oberflächengenauigkeit λ/10, λ/2, λ
Klare Blende >85 %, >90 %
Parallelität +/-3', +/-30''
Fase 0,1–0,3 mm × 45 Grad
Beschichtung AR, BBAR oder auf Kundenwunsch (UV, VIS, IR)
NEIN Eigenschaften
Ziel Toleranz Anmerkungen
1 Durchmesser
50,8 mm ± 0,1 mm  
2 Dicke  430 μm ±15μm  
3 Oberflächenorientierung der C-Ebene
von der C-Achse bis M0,2° ± 0,1°  
4 Primäre flache Länge  16 mm ±11 mm  
5 Primäre flache Ausrichtung  A-Ebene(11-20) ±0,1°  
6 Rauheit der Rückseite  0,8–1,2 µm    
7 Rauheit der Vorderseite  <0,3 nm    
8 Waferkante  R-Typ    
9 Gesamtdickenvariation, TTV
≤ 10 μm (LTV ≤ 5 μm, 5 × 5)    
10 SORI
≤10μm    
11 Bogen
-10 μm ≤ BOW ≤ 0    
12 Lasermarkierung
N / A   nicht haben
  Paket 25 Wafer in einer Kassette    
  Rückverfolgbarkeit Die Wafer müssen hinsichtlich der Kassettennummer rückverfolgbar sein.    

Häufig gestellte Fragen

Wie hoch ist Ihre Mindestbestellmenge?
Mindestbestellmenge: 25 Stück.

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Detailliertes Diagramm

Saphirwafer Saphirfenster Hohe optische Transmission 1
Saphirwafer Saphirfenster Hohe optische Transmission 2
Saphirwafer Saphirfenster Hohe optische Transmission 3
Saphirwafer Saphirfenster Hohe optische Transmission 4

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