Saphir-Wafer C-Plane SSP/DSP, Durchmesser 300 mm x 1,0 mm Dicke

Kurzbeschreibung:

Shanghai Xinkehui New Material Co., Ltd. kann Saphirwafer mit verschiedenen Oberflächenorientierungen (c-, r-, a- und m-Ebene) herstellen und den Off-Cut-Winkel auf 0,1 Grad genau steuern. Dank unserer firmeneigenen Technologie erreichen wir die hohe Qualität, die für Anwendungen wie Epitaxie und Waferbonden erforderlich ist.

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Merkmale

Test1

Einführung der Waferbox

Kristallmaterialien	99,999 % Al2O3, hochreines, monokristallines Al2O3
Kristallqualität	Einschlüsse, Blockmarken, Zwillinge, Farbe, Mikrobläschen und Dispersionszentren sind nicht vorhanden.
Durchmesser	2 Zoll	3 Zoll	4 Zoll	6 Zoll ～ 12 Zoll
Durchmesser	50,8 ± 0,1 mm	76,2 ± 0,2 mm	100±0,3 mm	in Übereinstimmung mit den Bestimmungen der Standardproduktion
Dicke	430±15µm	550±15µm	650±20µm	Kann vom Kunden individuell angepasst werden.
Orientierung	C-Ebene (0001) zur M-Ebene (1-100) oder A-Ebene (1 1-2 0) 0,2±0,1° /0,3±0,1°, R-Ebene (1-1 0 2), A-Ebene (1 1-2 0), M-Ebene (1-1 0 0), beliebige Orientierung, beliebiger Winkel
Primäre flache Länge	16,0 ± 1 mm	22,0 ± 1,0 mm	32,5 ± 1,5 mm	in Übereinstimmung mit den Bestimmungen der Standardproduktion
Primäre flache Ausrichtung	A-Ebene (1 1-2 0 ) ± 0,2°
TTV	≤10µm	≤15µm	≤20µm	≤30µm
LTV	≤10µm	≤15µm	≤20µm	≤30µm
TIR	≤10µm	≤15µm	≤20µm	≤30µm
BOGEN	≤10µm	≤15µm	≤20µm	≤30µm
Kette	≤10µm	≤15µm	≤20µm	≤30µm
Vorderseite	Epi-poliert (Ra < 0,2 nm)

*Bogen: Die Abweichung des Mittelpunkts der Mittelfläche eines freien, nicht eingespannten Wafers von der Referenzebene, wobei die Referenzebene durch die drei Ecken eines gleichseitigen Dreiecks definiert ist.

*Warp: Die Differenz zwischen dem maximalen und dem minimalen Abstand der mittleren Oberfläche eines freien, nicht eingespannten Wafers von der oben definierten Referenzebene.

Hochwertige Produkte und Dienstleistungen für Halbleiterbauelemente der nächsten Generation und Epitaxie:

Hoher Grad an Planheit (kontrollierte TTV, Wölbung, Verzug usw.).

Hochwertige Reinigung (geringe Partikelbelastung, geringe Metallbelastung)

Substratbohren, Nuten, Schneiden und Rückseitenpolieren

Beifügung von Daten wie Sauberkeit und Form des Substrats (optional)

Falls Sie Saphirsubstrate benötigen, kontaktieren Sie uns bitte:

E-Mail:eric@xkh-semitech.com+86 158 0194 2596 /doris@xkh-semitech.com+86 187 0175 6522

Wir melden uns schnellstmöglich bei Ihnen!