Saphir-Wafer C-Plane SSP/DSP, Durchmesser 300 x 1,0 mm, Dicke

Saphir-Wafer C-Plane SSP/DSP, Dicke 300 x 1,0 mm, Ausgewähltes Bild

Kurze Beschreibung:

Shanghai Xinkehui New Material Co., Ltd. kann Saphir-Wafer mit verschiedenen Oberflächenorientierungen (c-, r-, a- und m-Ebene) herstellen und den Verschnittwinkel auf 0,1 Grad genau steuern. Dank unserer proprietären Technologie erreichen wir die hohe Qualität, die für Anwendungen wie epitaktisches Wachstum und Waferbonden erforderlich ist.

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Produktdetail

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Einführung der Waferbox

Kristallmaterialien	99,999 % Al2O3, hochrein, monokristallin, Al2O3
Kristallqualität	Einschlüsse, Blockmarkierungen, Zwillinge, Farbe, Mikroblasen und Streuzentren sind nicht vorhanden
Durchmesser	2 Zoll	3 Zoll	4 Zoll	6 Zoll ～ 12 Zoll
Durchmesser	50,8 ± 0,1 mm	76,2 ± 0,2 mm	100 ± 0,3 mm	In Übereinstimmung mit den Bestimmungen der Standardproduktion
Dicke	430±15µm	550±15µm	650±20µm	Kann vom Kunden individuell angepasst werden
Orientierung	C-Ebene (0001) zu M-Ebene (1-100) oder A-Ebene (1 1-2 0) 0,2±0,1° /0,3±0,1°, R-Ebene (1-1 0 2), A-Ebene (1 1-2 0 ), M-Ebene (1-1 0 0), Beliebige Ausrichtung, Beliebiger Winkel
Primäre flache Länge	16,0 ± 1 mm	22,0 ± 1,0 mm	32,5 ± 1,5 mm	In Übereinstimmung mit den Bestimmungen der Standardproduktion
Primäre flache Ausrichtung	A-Ebene (1 1-2 0 ) ± 0,2°
TTV	≤10µm	≤15µm	≤20µm	≤30µm
LTV	≤10µm	≤15µm	≤20µm	≤30µm
TIR	≤10µm	≤15µm	≤20µm	≤30µm
BOGEN	≤10µm	≤15µm	≤20µm	≤30µm
Kette	≤10µm	≤15µm	≤20µm	≤30µm
Vorderseite	Epipoliert (Ra < 0,2 nm)

*Bogen: Die Abweichung des Mittelpunkts der Mittelfläche eines freien, nicht eingespannten Wafers von der Referenzebene, wobei die Referenzebene durch die drei Ecken eines gleichseitigen Dreiecks definiert wird.

*Warp: Die Differenz zwischen dem maximalen und dem minimalen Abstand der mittleren Oberfläche eines freien, nicht eingespannten Wafers von der oben definierten Referenzebene.

Hochwertige Produkte und Dienstleistungen für Halbleiterbauelemente der nächsten Generation und epitaktisches Wachstum:

Hoher Grad an Planheit (kontrollierter TTV, Krümmung, Verzug usw.)

Hochwertige Reinigung (geringe Partikelverschmutzung, geringe Metallverschmutzung)

Substratbohren, Nuten, Schneiden und Rückseitenpolieren

Anfügen von Daten wie Sauberkeit und Form des Untergrundes (optional)

Wenn Sie Bedarf an Saphirsubstraten haben, wenden Sie sich bitte an:

Mail:eric@xkh-semitech.com+86 158 0194 2596 /doris@xkh-semitech.com+86 187 0175 6522

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