8 Zoll 200 mm 4H-N SiC Wafer Leitfähiger Dummy in Forschungsqualität

Kurzbeschreibung:

Da sich die Transport-, Energie- und Industriemärkte weiterentwickeln, wächst die Nachfrage nach zuverlässiger, leistungsstarker Leistungselektronik weiter. Um den Anforderungen an eine verbesserte Halbleiterleistung gerecht zu werden, suchen Gerätehersteller nach Halbleitermaterialien mit großer Bandlücke, wie beispielsweise unserem 4H SiC Prime Grade-Portfolio aus 4H n-Typ-Siliziumkarbid (SiC)-Wafern.

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Produktdetails

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Aufgrund seiner einzigartigen physikalischen und elektronischen Eigenschaften wird 200-mm-SiC-Wafer-Halbleitermaterial zur Herstellung leistungsstarker, hochtemperaturbeständiger, strahlungsbeständiger und hochfrequenter elektronischer Geräte verwendet. Der Preis für 8-Zoll-SiC-Substrate sinkt allmählich, da die Technologie fortschrittlicher wird und die Nachfrage wächst. Jüngste technologische Entwicklungen führen zur Herstellung von 200-mm-SiC-Wafern im Produktionsmaßstab. Die Hauptvorteile von SiC-Wafer-Halbleitermaterialien im Vergleich zu Si- und GaAs-Wafern: Die elektrische Feldstärke von 4H-SiC beim Lawinendurchbruch ist mehr als eine Größenordnung höher als die entsprechenden Werte für Si und GaAs. Dies führt zu einer deutlichen Verringerung des Durchlasswiderstands Ron. Ein niedriger spezifischer Widerstand im eingeschalteten Zustand, kombiniert mit einer hohen Stromdichte und Wärmeleitfähigkeit, ermöglicht die Verwendung sehr kleiner Chips für Leistungsgeräte. Die hohe Wärmeleitfähigkeit von SiC verringert den thermischen Widerstand des Chips. Die elektronischen Eigenschaften von Geräten auf Basis von SiC-Wafern sind über die Zeit und die Temperatur sehr stabil, was eine hohe Zuverlässigkeit der Produkte gewährleistet. Siliziumkarbid ist äußerst beständig gegen harte Strahlung, wodurch die elektronischen Eigenschaften des Chips nicht beeinträchtigt werden. Die hohe Grenzbetriebstemperatur des Kristalls (mehr als 6000 °C) ermöglicht die Entwicklung äußerst zuverlässiger Geräte für raue Betriebsbedingungen und spezielle Anwendungen. Derzeit können wir 200-mm-SiC-Wafer in kleinen Mengen kontinuierlich und kontinuierlich liefern und verfügen über einen gewissen Lagerbestand.

Spezifikation

Nummer	Artikel	Einheit	Produktion	Forschung	Dummy
1. Parameter
1.1	Polytyp	--	4H	4H	4H
1.2	Oberflächenorientierung	°	<11-20>4±0,5	<11-20>4±0,5	<11-20>4±0,5
2. Elektrischer Parameter
2.1	Dotierstoff	--	Stickstoff vom n-Typ	Stickstoff vom n-Typ	Stickstoff vom n-Typ
2.2	Widerstand	Ohm ·cm	0,015~0,025	0,01~0,03	NA
3. Mechanischer Parameter
3.1	Durchmesser	mm	200 ± 0,2	200 ± 0,2	200 ± 0,2
3.2	Dicke	μm	500 ± 25	500 ± 25	500 ± 25
3.3	Kerbenausrichtung	°	[1- 100]±5	[1- 100]±5	[1- 100]±5
3.4	Kerbtiefe	mm	1~1,5	1~1,5	1~1,5
3.5	LTV	μm	≤5(10mm*10mm)	≤5(10mm*10mm)	≤10(10mm*10mm)
3.6	TTV	μm	≤10	≤10	≤15
3.7	Bogen	μm	-25~25	-45~45	-65~65
3.8	Kette	μm	≤30	≤50	≤70
3.9	AFM	nm	Ra≤0,2	Ra≤0,2	Ra≤0,2
4. Struktur
4.1	Mikrorohrdichte	ea/cm2	≤2	≤10	≤50
4.2	Metallgehalt	Atome/cm2	≤1E11	≤1E11	NA
4.3	TSD	ea/cm2	≤500	≤1000	NA
4.4	BPD	ea/cm2	≤2000	≤5000	NA
4.5	TED	ea/cm2	≤7000	≤10000	NA
5. Positive Qualität
5.1	Front	--	Si	Si	Si
5.2	Oberflächenbeschaffenheit	--	Si-Face-CMP	Si-Face-CMP	Si-Face-CMP
5.3	Teilchen	Stück/Wafer	≤100 (Größe ≥ 0,3 μm)	NA	NA
5.4	kratzen	Stück/Wafer	≤5, Gesamtlänge≤200mm	NA	NA
5.5	Rand Absplitterungen/Beulen/Risse/Flecken/Verunreinigung	--	Keiner	Keiner	NA
5.6	Polytypiebereiche	--	Keiner	Fläche ≤10 %	Fläche ≤30 %
5.7	vordere Markierung	--	Keiner	Keiner	Keiner
6. Rückenqualität
6.1	hinterer Abschluss	--	C-Gesicht MP	C-Gesicht MP	C-Gesicht MP
6.2	kratzen	mm	NA	NA	NA
6.3	Rückenfehler am Rand Chips/Einkerbungen	--	Keiner	Keiner	NA
6.4	Rückenrauheit	nm	Ra≤5	Ra≤5	Ra≤5
6.5	Rückenmarkierung	--	Kerbe	Kerbe	Kerbe
7. Kante
7.1	Rand	--	Fase	Fase	Fase
8. Paket
8.1	Verpackung	--	Epi-ready mit Vakuum Verpackung	Epi-ready mit Vakuum Verpackung	Epi-ready mit Vakuum Verpackung
8.2	Verpackung	--	Multi-Wafer Kassettenverpackung	Multi-Wafer Kassettenverpackung	Multi-Wafer Kassettenverpackung