8-Zoll-200-mm-4H-N-SiC-Wafer, leitfähiger Dummy, Forschungsqualität

Aufgrund seiner einzigartigen physikalischen und elektronischen Eigenschaften wird 200-mm-SiC-Wafer-Halbleitermaterial zur Herstellung von Hochleistungs-, Hochtemperatur-, strahlungsresistenten und Hochfrequenz-Elektronikbauteilen verwendet. Der Preis für 8-Zoll-SiC-Substrate sinkt kontinuierlich mit fortschreitender Technologie und steigender Nachfrage. Jüngste technologische Entwicklungen ermöglichen die Serienfertigung von 200-mm-SiC-Wafern. Die Hauptvorteile von SiC-Wafer-Halbleitermaterialien gegenüber Si- und GaAs-Wafern: Die elektrische Feldstärke von 4H-SiC beim Lawinendurchbruch ist mehr als eine Größenordnung höher als die entsprechenden Werte für Si und GaAs. Dies führt zu einer signifikanten Reduzierung des Durchlasswiderstands R_on. Der niedrige Durchlasswiderstand ermöglicht in Kombination mit hoher Stromdichte und Wärmeleitfähigkeit die Verwendung sehr kleiner Chips für Leistungshalbleiter. Die hohe Wärmeleitfähigkeit von SiC reduziert den Wärmewiderstand des Chips. Die elektronischen Eigenschaften von Bauelementen auf Basis von SiC-Wafern sind zeitlich und temperaturstabil, was eine hohe Produktzuverlässigkeit gewährleistet. Siliziumkarbid ist extrem beständig gegen harte Strahlung, die die elektronischen Eigenschaften des Chips nicht beeinträchtigt. Die hohe Grenztemperatur des Kristalls (über 6000 °C) ermöglicht die Herstellung hochzuverlässiger Bauelemente für anspruchsvolle Betriebsbedingungen und Spezialanwendungen. Wir können derzeit Kleinserien von 200-mm-SiC-Wafern kontinuierlich liefern und verfügen über einen gewissen Lagerbestand.