8 Zoll 200 mm 4H-N SiC-Wafer, leitfähiger Dummy, Forschungsqualität

Aufgrund seiner einzigartigen physikalischen und elektronischen Eigenschaften wird 200-mm-SiC-Wafer-Halbleitermaterial zur Herstellung von elektronischen Geräten mit hoher Leistung, hoher Temperaturbeständigkeit, Strahlungsbeständigkeit und Hochfrequenz verwendet. Der Preis für 8-Zoll-SiC-Substrate sinkt schrittweise, da die Technologie fortschreitet und die Nachfrage steigt. Jüngste technologische Entwicklungen ermöglichen die Herstellung von 200-mm-SiC-Wafern im Produktionsmaßstab. Die Hauptvorteile von SiC-Wafer-Halbleitermaterialien im Vergleich zu Si- und GaAs-Wafern: Die elektrische Feldstärke von 4H-SiC während eines Lawinendurchbruchs ist um mehr als eine Größenordnung höher als die entsprechenden Werte für Si und GaAs. Dies führt zu einer signifikanten Verringerung des Durchlasswiderstands Ron. Ein niedriger Durchlasswiderstand ermöglicht in Kombination mit einer hohen Stromdichte und Wärmeleitfähigkeit die Verwendung sehr kleiner Chips für Leistungsbauelemente. Die hohe Wärmeleitfähigkeit von SiC verringert den Wärmewiderstand des Chips. Die elektronischen Eigenschaften von Geräten auf Basis von SiC-Wafern sind über die Zeit und Temperatur sehr stabil, was eine hohe Produktzuverlässigkeit gewährleistet. Siliziumkarbid ist extrem beständig gegen harte Strahlung, ohne dass die elektronischen Eigenschaften des Chips beeinträchtigt werden. Die hohe Grenzbetriebstemperatur des Kristalls (über 6000 °C) ermöglicht die Herstellung hochzuverlässiger Geräte für raue Betriebsbedingungen und spezielle Anwendungen. Derzeit können wir 200-mm-SiC-Wafer in kleinen Chargen kontinuierlich liefern und haben einen Lagerbestand.