8-Zoll-SiC-Siliziumkarbid-Wafer vom Typ 4H-N, 0,5 mm, kundenspezifisch poliertes Substrat in Produktionsqualität, Forschungsqualität

Kurzbeschreibung:

Siliziumkarbid (SiC), auch Siliziumkarbid genannt, ist ein Halbleiter aus Silizium und Kohlenstoff mit der chemischen Formel SiC. SiC wird in elektronischen Halbleitergeräten verwendet, die bei hohen Temperaturen oder hohen Drücken oder beidem betrieben werden. SiC ist auch eine der wichtigen LED-Komponenten, es ist ein gängiges Substrat für den Anbau von GaN-Geräten und kann auch als Kühlkörper für Hochleistungs-LEDs verwendet werden.
Das 8-Zoll-Siliziumkarbidsubstrat ist ein wichtiger Bestandteil der dritten Generation von Halbleitermaterialien, das die Eigenschaften einer hohen Durchbruchfeldstärke, einer hohen Wärmeleitfähigkeit, einer hohen Elektronensättigungsdriftrate usw. aufweist und für die Herstellung von Hochtemperatur-, Hochspannungs- und Hochleistungselektronikgeräte. Zu den Hauptanwendungsfeldern gehören Elektrofahrzeuge, Schienenverkehr, Hochspannungsübertragung und -umwandlung, Photovoltaik, 5G-Kommunikation, Energiespeicherung, Luft- und Raumfahrt sowie Rechenzentren für KI-Kernrechenleistung.

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Produktdetails

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Zu den Hauptmerkmalen des 8-Zoll-Siliziumkarbidsubstrats vom Typ 4H-N gehören:

1. Mikrotubuli-Dichte: ≤ 0,1/cm² oder weniger, z. B. ist die Mikrotubuli-Dichte bei einigen Produkten deutlich auf weniger als 0,05/cm² reduziert.
2. Kristallformverhältnis: Das 4H-SiC-Kristallformverhältnis erreicht 100 %.
3. Spezifischer Widerstand: 0,014–0,028 Ω·cm oder stabiler zwischen 0,015–0,025 Ω·cm.
4. Oberflächenrauheit: CMP Si Face Ra≤0,12 nm.
5. Dicke: Normalerweise 500,0 ± 25 μm oder 350,0 ± 25 μm.
6. Anfaswinkel: 25 ± 5° oder 30 ± 5° für A1/A2, abhängig von der Dicke.
7. Gesamtversetzungsdichte: ≤3000/cm².
8. Oberflächenmetallkontamination: ≤1E+11 Atome/cm².
9. Biegung und Verzug: ≤ 20 μm bzw. ≤ 2 μm.
Aufgrund dieser Eigenschaften haben 8-Zoll-Siliziumkarbidsubstrate einen wichtigen Anwendungswert bei der Herstellung von elektronischen Hochtemperatur-, Hochfrequenz- und Hochleistungsgeräten.

8-Zoll-Siliziumkarbid-Wafer haben mehrere Anwendungen.

1. Leistungsgeräte: SiC-Wafer werden häufig bei der Herstellung leistungselektronischer Geräte wie Leistungs-MOSFETs (Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren), Schottky-Dioden und Leistungsintegrationsmodulen verwendet. Aufgrund der hohen Wärmeleitfähigkeit, der hohen Durchbruchspannung und der hohen Elektronenmobilität von SiC können diese Geräte eine effiziente, leistungsstarke Energieumwandlung in Hochtemperatur-, Hochspannungs- und Hochfrequenzumgebungen erreichen.

2. Optoelektronische Geräte: SiC-Wafer spielen eine entscheidende Rolle in optoelektronischen Geräten, die zur Herstellung von Fotodetektoren, Laserdioden, UV-Quellen usw. verwendet werden. Die überlegenen optischen und elektronischen Eigenschaften von Siliziumkarbid machen es zum Material der Wahl, insbesondere bei Anwendungen, die hohe Temperaturen erfordern. hohe Frequenzen und hohe Leistungspegel.

3. Hochfrequenzgeräte (RF): SiC-Chips werden auch zur Herstellung von RF-Geräten wie RF-Leistungsverstärkern, Hochfrequenzschaltern, RF-Sensoren und mehr verwendet. Die hohe thermische Stabilität, die Hochfrequenzeigenschaften und die geringen Verluste von SiC machen es ideal für HF-Anwendungen wie drahtlose Kommunikation und Radarsysteme.

4.Hochtemperaturelektronik: Aufgrund ihrer hohen thermischen Stabilität und Temperaturelastizität werden SiC-Wafer zur Herstellung elektronischer Produkte verwendet, die für den Betrieb in Hochtemperaturumgebungen ausgelegt sind, einschließlich Hochtemperatur-Leistungselektronik, Sensoren und Steuerungen.

Zu den Hauptanwendungsgebieten des 8-Zoll-Siliziumkarbidsubstrats vom Typ 4H-N gehört die Herstellung von elektronischen Hochtemperatur-, Hochfrequenz- und Hochleistungsgeräten, insbesondere in den Bereichen Automobilelektronik, Solarenergie, Windkrafterzeugung und Elektrotechnik Lokomotiven, Server, Haushaltsgeräte und Elektrofahrzeuge. Darüber hinaus haben Geräte wie SiC-MOSFETs und Schottky-Dioden hervorragende Leistungen bei Schaltfrequenzen, Kurzschlussexperimenten und Wechselrichteranwendungen gezeigt, was ihren Einsatz in der Leistungselektronik vorantreibt.

XKH kann je nach Kundenwunsch mit unterschiedlichen Stärken angepasst werden. Es stehen verschiedene Oberflächenrauheiten und Polierbehandlungen zur Verfügung. Verschiedene Arten der Dotierung (z. B. Stickstoffdotierung) werden unterstützt. XKH kann technischen Support und Beratungsdienste bereitstellen, um sicherzustellen, dass Kunden Probleme im Nutzungsprozess lösen können. Das 8-Zoll-Siliziumkarbidsubstrat bietet erhebliche Vorteile hinsichtlich Kostenreduzierung und erhöhter Kapazität, wodurch die Chipstückkosten im Vergleich zum 6-Zoll-Substrat um etwa 50 % gesenkt werden können. Darüber hinaus trägt die erhöhte Dicke des 8-Zoll-Substrats dazu bei, geometrische Abweichungen und Kantenverwerfungen während der Bearbeitung zu reduzieren und so die Ausbeute zu verbessern.