8 Zoll SiC-Siliziumkarbid-Wafer 4H-N Typ 0,5 mm Produktionsqualität Forschungsqualität individuell poliertes Substrat

Kurze Beschreibung:

Siliziumkarbid (SiC), auch bekannt als Siliziumkarbid, ist ein Halbleiter aus Silizium und Kohlenstoff mit der chemischen Formel SiC. SiC wird in elektronischen Halbleiterbauelementen verwendet, die bei hohen Temperaturen, hohem Druck oder beidem arbeiten. SiC ist außerdem eine wichtige LED-Komponente, ein gängiges Substrat für die Herstellung von GaN-Bauelementen und kann auch als Kühlkörper für Hochleistungs-LEDs verwendet werden.
Das 8-Zoll-Siliziumkarbidsubstrat ist ein wichtiger Bestandteil der dritten Generation von Halbleitermaterialien. Es zeichnet sich durch hohe Durchbruchfeldstärke, hohe Wärmeleitfähigkeit und hohe Elektronensättigungsdriftrate aus und eignet sich für die Herstellung von Hochtemperatur-, Hochspannungs- und Hochleistungselektronikgeräten. Zu seinen Hauptanwendungsgebieten zählen Elektrofahrzeuge, Schienenverkehr, Hochspannungsübertragung und -umwandlung, Photovoltaik, 5G-Kommunikation, Energiespeicherung, Luft- und Raumfahrt sowie KI-basierte Rechenzentren.

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Merkmale

Zu den Hauptmerkmalen des 8-Zoll-Siliziumkarbidsubstrats vom Typ 4H-N gehören:

1. Mikrotubuli-Dichte: ≤ 0,1/cm² oder niedriger, beispielsweise ist die Mikrotubuli-Dichte bei einigen Produkten deutlich auf weniger als 0,05/cm² reduziert.
2. Kristallformverhältnis: Das 4H-SiC-Kristallformverhältnis erreicht 100 %.
3. Spezifischer Widerstand: 0,014–0,028 Ω·cm oder stabiler zwischen 0,015 und 0,025 Ω·cm.
4. Oberflächenrauheit: CMP Si Face Ra≤0,12 nm.
5. Dicke: Normalerweise 500,0 ± 25 μm oder 350,0 ± 25 μm.
6. Fasenwinkel: 25±5° oder 30±5° für A1/A2, abhängig von der Dicke.
7. Gesamtversetzungsdichte: ≤3000/cm².
8. Metallverunreinigungen auf der Oberfläche: ≤1E+11 Atome/cm².
9. Biegung und Verzug: ≤ 20 μm bzw. ≤ 2 μm.
Aufgrund dieser Eigenschaften haben 8-Zoll-Siliziumkarbidsubstrate einen wichtigen Anwendungswert bei der Herstellung elektronischer Geräte für hohe Temperaturen, hohe Frequenzen und hohe Leistung.

8-Zoll-Siliziumkarbid-Wafer haben mehrere Anwendungen.

1. Leistungsbauelemente: SiC-Wafer werden häufig zur Herstellung von Leistungselektronikbauelementen wie Leistungs-MOSFETs (Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren), Schottky-Dioden und Leistungsintegrationsmodulen verwendet. Dank der hohen Wärmeleitfähigkeit, der hohen Durchbruchspannung und der hohen Elektronenbeweglichkeit von SiC ermöglichen diese Bauelemente eine effiziente und leistungsstarke Leistungsumwandlung in Umgebungen mit hohen Temperaturen, hohen Spannungen und hohen Frequenzen.

2. Optoelektronische Geräte: SiC-Wafer spielen eine entscheidende Rolle in optoelektronischen Geräten und werden zur Herstellung von Fotodetektoren, Laserdioden, UV-Quellen usw. verwendet. Die überlegenen optischen und elektronischen Eigenschaften von Siliziumkarbid machen es zum Material der Wahl, insbesondere bei Anwendungen, die hohe Temperaturen, hohe Frequenzen und hohe Leistungspegel erfordern.

3. Hochfrequenzgeräte (HF): SiC-Chips werden auch zur Herstellung von HF-Geräten wie HF-Leistungsverstärkern, Hochfrequenzschaltern, HF-Sensoren und mehr verwendet. Die hohe thermische Stabilität, die Hochfrequenzeigenschaften und die geringen Verluste von SiC machen es ideal für HF-Anwendungen wie drahtlose Kommunikation und Radarsysteme.

4. Hochtemperaturelektronik: Aufgrund ihrer hohen thermischen Stabilität und Temperaturelastizität werden SiC-Wafer zur Herstellung elektronischer Produkte verwendet, die für den Betrieb in Hochtemperaturumgebungen ausgelegt sind, darunter Hochtemperatur-Leistungselektronik, Sensoren und Steuerungen.

Die Hauptanwendungsgebiete des 8-Zoll-Siliziumkarbidsubstrats Typ 4H-N umfassen die Herstellung von Hochtemperatur-, Hochfrequenz- und Hochleistungselektronikgeräten, insbesondere in den Bereichen Automobilelektronik, Solarenergie, Windkraft, Elektrolokomotiven, Server, Haushaltsgeräte und Elektrofahrzeuge. Darüber hinaus haben Bauelemente wie SiC-MOSFETs und Schottky-Dioden hervorragende Leistungen bei Schaltfrequenzen, Kurzschlussversuchen und Wechselrichteranwendungen gezeigt, was ihren Einsatz in der Leistungselektronik vorantreibt.

XKH kann je nach Kundenwunsch mit unterschiedlichen Dicken gefertigt werden. Verschiedene Oberflächenrauheiten und Polierverfahren stehen zur Verfügung. Verschiedene Dotierungsarten (z. B. Stickstoffdotierung) werden unterstützt. XKH bietet technischen Support und Beratung, um sicherzustellen, dass Kunden Probleme im Einsatzprozess lösen können. Das 8-Zoll-Siliziumkarbidsubstrat bietet erhebliche Vorteile hinsichtlich Kostensenkung und erhöhter Kapazität, wodurch die Chipkosten pro Einheit im Vergleich zum 6-Zoll-Substrat um etwa 50 % gesenkt werden können. Darüber hinaus trägt die erhöhte Dicke des 8-Zoll-Substrats dazu bei, geometrische Abweichungen und Kantenverzug während der Bearbeitung zu reduzieren und so die Ausbeute zu verbessern.