8-Zoll-SiC-Siliziumkarbid-Wafer, Typ 4H-N, 0,5 mm, Produktionsqualität, Forschungsqualität, kundenspezifisch poliertes Substrat

Kurzbeschreibung:

Siliziumkarbid (SiC) ist ein Halbleiter aus Silizium und Kohlenstoff mit der chemischen Formel SiC. Es wird in elektronischen Halbleiterbauelementen eingesetzt, die bei hohen Temperaturen und/oder hohem Druck arbeiten. SiC ist außerdem ein wichtiger Bestandteil von LEDs, dient als gängiges Substrat für die Herstellung von GaN-Bauelementen und kann auch als Kühlkörper für Hochleistungs-LEDs verwendet werden.
8-Zoll-Siliziumkarbidsubstrate sind ein wichtiger Bestandteil der dritten Generation von Halbleitermaterialien. Sie zeichnen sich durch hohe Durchbruchfeldstärke, hohe Wärmeleitfähigkeit und hohe Sättigungsdriftgeschwindigkeit der Elektronen aus und eignen sich für die Herstellung von Hochtemperatur-, Hochspannungs- und Hochleistungselektronik. Zu ihren Hauptanwendungsgebieten zählen Elektrofahrzeuge, Schienenverkehr, Hochspannungsübertragung und -umwandlung, Photovoltaik, 5G-Kommunikation, Energiespeicherung, Luft- und Raumfahrt sowie Rechenzentren für KI-Kernsysteme.

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Merkmale

Zu den Hauptmerkmalen des 8-Zoll-Siliziumkarbidsubstrats vom Typ 4H-N gehören:

1. Mikrotubulidichte: ≤ 0,1/cm² oder niedriger, z. B. ist die Mikrotubulidichte in einigen Produkten deutlich auf weniger als 0,05/cm² reduziert.
2. Kristallformverhältnis: Das Kristallformverhältnis von 4H-SiC erreicht 100%.
3. Spezifischer Widerstand: 0,014~0,028 Ω·cm, oder stabiler zwischen 0,015-0,025 Ω·cm.
4. Oberflächenrauheit: CMP Si-Fläche Ra≤0,12nm.
5. Dicke: Üblicherweise 500,0±25μm oder 350,0±25μm.
6. Fasenwinkel: 25±5° oder 30±5° für A1/A2 je nach Dicke.
7. Gesamtversetzungsdichte: ≤3000/cm².
8. Oberflächenmetallverunreinigung: ≤1E+11 Atome/cm².
9. Biegung und Verformung: ≤ 20μm bzw. ≤ 2μm.
Aufgrund dieser Eigenschaften besitzen 8-Zoll-Siliziumkarbidsubstrate einen hohen Anwendungswert bei der Herstellung von elektronischen Hochtemperatur-, Hochfrequenz- und Hochleistungsbauteilen.

Siliziumkarbid-Wafer mit einem Durchmesser von 8 Zoll haben vielfältige Anwendungsmöglichkeiten.

1. Leistungselektronik: SiC-Wafer finden breite Anwendung in der Herstellung von Leistungselektronikbauteilen wie Leistungs-MOSFETs (Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren), Schottky-Dioden und Leistungsintegrationsmodulen. Dank der hohen Wärmeleitfähigkeit, der hohen Durchbruchspannung und der hohen Elektronenbeweglichkeit von SiC ermöglichen diese Bauelemente eine effiziente und leistungsstarke Leistungswandlung in Umgebungen mit hohen Temperaturen, hohen Spannungen und hohen Frequenzen.

2. Optoelektronische Bauelemente: SiC-Wafer spielen eine entscheidende Rolle in optoelektronischen Bauelementen und werden zur Herstellung von Fotodetektoren, Laserdioden, Ultraviolettquellen usw. verwendet. Die überlegenen optischen und elektronischen Eigenschaften von Siliziumkarbid machen es zum Material der Wahl, insbesondere in Anwendungen, die hohe Temperaturen, hohe Frequenzen und hohe Leistungspegel erfordern.

3. Hochfrequenzbauelemente (HF-Bauelemente): SiC-Chips werden auch zur Herstellung von HF-Bauelementen wie HF-Leistungsverstärkern, Hochfrequenzschaltern, HF-Sensoren und mehr verwendet. Die hohe thermische Stabilität, die Hochfrequenzeigenschaften und die geringen Verluste von SiC machen es ideal für HF-Anwendungen wie drahtlose Kommunikations- und Radarsysteme.

4. Hochtemperaturelektronik: Aufgrund ihrer hohen thermischen Stabilität und Temperaturelastizität werden SiC-Wafer zur Herstellung von Elektronikprodukten verwendet, die für den Betrieb in Hochtemperaturumgebungen ausgelegt sind, darunter Hochtemperatur-Leistungselektronik, Sensoren und Steuerungen.

Die Hauptanwendungsgebiete von 8-Zoll-Siliziumkarbidsubstraten des Typs 4H-N umfassen die Herstellung von Hochtemperatur-, Hochfrequenz- und Hochleistungselektronikbauteilen, insbesondere in den Bereichen Automobilelektronik, Solarenergie, Windkraft, Elektrolokomotiven, Server, Haushaltsgeräte und Elektrofahrzeuge. Darüber hinaus haben Bauelemente wie SiC-MOSFETs und Schottky-Dioden hervorragende Leistungen bei Schaltfrequenzen, Kurzschlussversuchen und Wechselrichteranwendungen gezeigt, was ihren Einsatz in der Leistungselektronik vorantreibt.

XKH kann kundenspezifisch in verschiedenen Dicken gefertigt werden. Unterschiedliche Oberflächenrauheiten und Polierverfahren sind verfügbar. Verschiedene Dotierungsarten (z. B. Stickstoffdotierung) werden unterstützt. XKH bietet technischen Support und Beratungsleistungen, um Kunden bei der Problemlösung im Anwendungsfall zu unterstützen. Das 8-Zoll-Siliziumkarbidsubstrat bietet deutliche Vorteile hinsichtlich Kostenreduzierung und erhöhter Kapazität. Die Kosten pro Chip können im Vergleich zum 6-Zoll-Substrat um ca. 50 % gesenkt werden. Darüber hinaus trägt die größere Dicke des 8-Zoll-Substrats dazu bei, geometrische Abweichungen und Kantenverzug bei der Bearbeitung zu reduzieren und somit die Ausbeute zu verbessern.