3 Zoll Durchmesser 76,2 mm SiC-Substrate HPSI Prime Research und Dummy-Qualität

Kurze Beschreibung:

Halbisolierendes Substrat bezieht sich auf Siliziumkarbidsubstrate mit einem spezifischen Widerstand von über 100.000 Ω-cm, die hauptsächlich bei der Herstellung von Mikrowellen-Hochfrequenzgeräten aus Galliumnitrid verwendet werden und die Grundlage im Bereich der drahtlosen Kommunikation bilden.


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Siliziumkarbidsubstrate können in zwei Kategorien unterteilt werden

Leitfähiges Substrat: Bezieht sich auf den spezifischen Widerstand eines Siliziumkarbidsubstrats von 15 bis 30 mΩ-cm. Aus dem leitfähigen Siliziumkarbidsubstrat gewachsene epitaktische Siliziumkarbid-Wafer können zu Leistungsbauelementen weiterverarbeitet werden, die in Fahrzeugen mit alternativer Energie, Photovoltaik, intelligenten Stromnetzen und im Schienenverkehr weit verbreitet sind.

Halbisolierendes Substrat bezieht sich auf Siliziumkarbidsubstrate mit einem spezifischen Widerstand von über 100.000 Ω-cm, die hauptsächlich bei der Herstellung von Mikrowellen-Hochfrequenzgeräten aus Galliumnitrid verwendet werden und die Grundlage im Bereich der drahtlosen Kommunikation bilden.

Es ist eine Basiskomponente im Bereich der drahtlosen Kommunikation.

Leitfähige und halbisolierende Substrate aus Siliziumkarbid werden in einer Vielzahl von elektronischen Geräten und Leistungsgeräten verwendet, unter anderem in den folgenden:

Hochleistungshalbleiterbauelemente (leitfähig): Siliziumkarbidsubstrate verfügen über eine hohe Durchbruchfeldstärke und Wärmeleitfähigkeit und eignen sich für die Herstellung von Hochleistungstransistoren und -dioden sowie anderen Bauelementen.

HF-Elektronikgeräte (halbisoliert): Siliziumkarbidsubstrate verfügen über eine hohe Schaltgeschwindigkeit und Leistungstoleranz und eignen sich für Anwendungen wie HF-Leistungsverstärker, Mikrowellengeräte und Hochfrequenzschalter.

Optoelektronische Geräte (halbisoliert): Siliziumkarbidsubstrate haben eine große Energielücke und eine hohe thermische Stabilität und eignen sich für die Herstellung von Fotodioden, Solarzellen, Laserdioden und anderen Geräten.

Temperatursensoren (leitfähig): Siliziumkarbidsubstrate verfügen über eine hohe Wärmeleitfähigkeit und thermische Stabilität und eignen sich für die Herstellung von Hochtemperatursensoren und Temperaturmessgeräten.

Der Produktionsprozess und die Anwendung leitfähiger und halbisolierender Substrate aus Siliziumkarbid bieten ein breites Spektrum an Einsatzgebieten und Potenzialen und eröffnen neue Möglichkeiten für die Entwicklung elektronischer Geräte und Leistungsbauelemente.

Detailliertes Diagramm

Dummy-Klasse (1)
Dummy-Klasse (2)
Dummy-Klasse (3)

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