3-Zoll-SiC-Substrate mit 76,2 mm Durchmesser, HPSI Prime Research- und Dummy-Qualität
Siliziumkarbidsubstrate lassen sich in zwei Kategorien unterteilen
Leitfähiges Substrat: Bezeichnet ein Siliziumkarbidsubstrat mit einem spezifischen Widerstand von 15–30 mΩ·cm. Die auf diesem Substrat gewachsenen Siliziumkarbid-Epitaxieschichten können zu Leistungshalbleitern weiterverarbeitet werden, die in Elektrofahrzeugen, Photovoltaik, intelligenten Stromnetzen und im Schienenverkehr weit verbreitet sind.
Als halbisolierendes Substrat bezeichnet man ein Siliziumkarbidsubstrat mit einem spezifischen Widerstand von über 100000Ω-cm, das hauptsächlich bei der Herstellung von Galliumnitrid-Mikrowellen-Hochfrequenzgeräten verwendet wird und die Grundlage für den Bereich der drahtlosen Kommunikation bildet.
Es handelt sich um eine grundlegende Komponente im Bereich der drahtlosen Kommunikation.
Leitfähige und halbisolierende Siliziumkarbid-Substrate werden in einer Vielzahl von elektronischen Geräten und Leistungselektronikgeräten eingesetzt, darunter unter anderem:
Hochleistungs-Halbleiterbauelemente (leitfähig): Siliziumkarbidsubstrate weisen eine hohe Durchbruchfeldstärke und Wärmeleitfähigkeit auf und eignen sich für die Herstellung von Hochleistungstransistoren und -dioden sowie anderen Bauelementen.
HF-Elektronikbauelemente (halbisoliert): Siliziumkarbidsubstrate weisen eine hohe Schaltgeschwindigkeit und Leistungstoleranz auf und eignen sich daher für Anwendungen wie HF-Leistungsverstärker, Mikrowellenbauelemente und Hochfrequenzschalter.
Optoelektronische Bauelemente (halbisolierend): Siliziumkarbidsubstrate weisen eine große Bandlücke und eine hohe thermische Stabilität auf und eignen sich daher zur Herstellung von Fotodioden, Solarzellen, Laserdioden und anderen Bauelementen.
Temperatursensoren (leitfähig): Siliziumkarbidsubstrate weisen eine hohe Wärmeleitfähigkeit und thermische Stabilität auf und eignen sich daher für die Herstellung von Hochtemperatursensoren und Temperaturmessgeräten.
Die Herstellungsprozesse und Anwendungen von leitfähigen und halbisolierenden Siliziumkarbidsubstraten weisen ein breites Spektrum an Anwendungsgebieten und Potenzialen auf und bieten neue Möglichkeiten für die Entwicklung von elektronischen Bauelementen und Leistungselektronik.
Detailliertes Diagramm
