SiC-Substrate mit 3 Zoll Durchmesser und 76,2 mm HPSI Prime Research und Dummy-Qualität

Leitfähiges Substrat: Bezieht sich auf den spezifischen Widerstand eines Siliziumkarbidsubstrats mit 15 bis 30 mΩ-cm. Der aus dem leitfähigen Siliziumkarbidsubstrat gewachsene Siliziumkarbid-Epitaxiewafer kann weiter zu Leistungsgeräten verarbeitet werden, die in neuen Energiefahrzeugen, Photovoltaik, intelligenten Netzen und im Schienenverkehr weit verbreitet sind.

Halbisolierendes Substrat bezieht sich auf einen spezifischen Widerstand von mehr als 100.000 Ω-cm. Siliziumkarbidsubstrat, das hauptsächlich bei der Herstellung von Galliumnitrid-Mikrowellen-Hochfrequenzgeräten verwendet wird, ist die Grundlage für den Bereich der drahtlosen Kommunikation.

Es ist eine grundlegende Komponente im Bereich der drahtlosen Kommunikation.

Leitende und halbisolierende Siliziumkarbid-Substrate werden in einer Vielzahl elektronischer Geräte und Leistungsgeräte verwendet, einschließlich, aber nicht beschränkt auf die folgenden:

Hochleistungshalbleiterbauelemente (leitfähig): Siliziumkarbidsubstrate weisen eine hohe Durchbruchfeldstärke und Wärmeleitfähigkeit auf und eignen sich für die Herstellung von Hochleistungstransistoren, -dioden und anderen Bauelementen.

Elektronische HF-Geräte (halbisoliert): Siliziumkarbid-Substrate haben eine hohe Schaltgeschwindigkeit und Leistungstoleranz und eignen sich für Anwendungen wie HF-Leistungsverstärker, Mikrowellengeräte und Hochfrequenzschalter.

Optoelektronische Geräte (halbisoliert): Siliziumkarbidsubstrate haben eine große Energielücke und eine hohe thermische Stabilität und eignen sich für die Herstellung von Fotodioden, Solarzellen, Laserdioden und anderen Geräten.

Temperatursensoren (leitfähig): Siliziumkarbidsubstrate weisen eine hohe Wärmeleitfähigkeit und thermische Stabilität auf und eignen sich für die Herstellung von Hochtemperatursensoren und Temperaturmessgeräten.

Der Produktionsprozess und die Anwendung von leitfähigen und halbisolierenden Siliziumkarbid-Substraten bieten ein breites Spektrum an Einsatzgebieten und Potenzialen und bieten neue Möglichkeiten für die Entwicklung elektronischer Geräte und Leistungsgeräte.