50,8 mm 2 Zoll GaN auf Saphir-Epi-Layer-Wafer
Anwendung von Galliumnitrid-GaN-Epitaxiefolien
Aufgrund der Leistungsfähigkeit von Galliumnitrid eignen sich Galliumnitrid-Epitaxiechips vor allem für Anwendungen mit hoher Leistung, hoher Frequenz und niedriger Spannung.
Es spiegelt sich wider in:
1) Hohe Bandlücke: Eine hohe Bandlücke verbessert den Spannungspegel von Galliumnitrid-Bauelementen und ermöglicht eine höhere Ausgangsleistung als Galliumarsenid-Bauelemente, was sich besonders für 5G-Kommunikationsbasisstationen, Militärradare und andere Bereiche eignet;
2) Hohe Umwandlungseffizienz: Der Einschaltwiderstand von Galliumnitrid-Schaltleistungselektronikgeräten ist drei Größenordnungen niedriger als der von Siliziumgeräten, wodurch der Einschaltverlust erheblich reduziert werden kann.
3) Hohe Wärmeleitfähigkeit: Die hohe Wärmeleitfähigkeit von Galliumnitrid sorgt für eine hervorragende Wärmeableitungsleistung und eignet sich für die Herstellung von Geräten mit hoher Leistung, hohen Temperaturen und anderen Bereichen.
4) Durchschlagsfeldstärke: Obwohl die Durchschlagsfeldstärke von Galliumnitrid der von Siliziumnitrid nahe kommt, beträgt die Spannungstoleranz von Galliumnitrid-Bauelementen aufgrund von Halbleiterprozessen, Materialgitterfehlanpassungen und anderen Faktoren normalerweise etwa 1000 V und die sichere Betriebsspannung liegt normalerweise unter 650 V.
| Artikel | GaN-TCU-C50 | GaN-TCN-C50 | GaN-TCP-C50 |
| Maße | e 50,8 mm ± 0,1 mm | ||
| Dicke | 4,5 ± 0,5 µm | 4,5 ± 0,5 µm | |
| Orientierung | C-Ebene(0001) ±0,5° | ||
| Leitungstyp | N-Typ (undotiert) | N-Typ (Si-dotiert) | P-Typ (Mg-dotiert) |
| Spezifischer Widerstand (300 K) | < 0,5 Q・cm | < 0,05 Q・cm | ~ 10 Q・cm |
| Trägerkonzentration | < 5x1017cm-3 | > 1x1018cm-3 | > 6x1016 cm-3 |
| Mobilität | ~ 300 cm2/Vs | ~ 200 cm2/Vs | ~ 10 cm2/Vs |
| Versetzungsdichte | Weniger als 5x108cm-2(berechnet anhand der FWHMs von XRD) | ||
| Substratstruktur | GaN auf Saphir (Standard: SSP, Option: DSP) | ||
| Nutzfläche | > 90 % | ||
| Paket | Verpackt in einer Reinraumumgebung der Klasse 100, in Kassetten zu 25 Stück oder einzelnen Waferbehältern, unter Stickstoffatmosphäre. | ||
* Andere Dicken können angepasst werden
Detailliertes Diagramm
