50,8 mm 2 Zoll GaN auf Saphir Epitaxieschicht-Wafer

Kurzbeschreibung:

Als Halbleitermaterial der dritten Generation zeichnet sich Galliumnitrid durch hohe Temperaturbeständigkeit, gute Kompatibilität, hohe Wärmeleitfähigkeit und eine große Bandlücke aus. Je nach Substratmaterial lassen sich Galliumnitrid-Epitaxieschichten in vier Kategorien einteilen: Galliumnitrid auf Galliumnitrid-Basis, Galliumnitrid auf Siliciumcarbid-Basis, Galliumnitrid auf Saphir-Basis und Galliumnitrid auf Silicium-Basis. Galliumnitrid-Epitaxieschichten auf Silicium-Basis sind aufgrund ihrer geringen Produktionskosten und der ausgereiften Fertigungstechnologie das am weitesten verbreitete Produkt.

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Merkmale

Anwendung von Galliumnitrid-GaN-Epitaxieschichten

Aufgrund der Eigenschaften von Galliumnitrid eignen sich Galliumnitrid-Epitaxiechips hauptsächlich für Anwendungen mit hoher Leistung, hoher Frequenz und niedriger Spannung.

Dies spiegelt sich wider in:

1) Hohe Bandlücke: Eine hohe Bandlücke verbessert das Spannungsniveau von Galliumnitrid-Bauelementen und ermöglicht eine höhere Ausgangsleistung als Galliumarsenid-Bauelemente. Dies macht sie besonders geeignet für 5G-Kommunikationsbasisstationen, militärische Radaranlagen und andere Anwendungsgebiete.

2) Hohe Umwandlungseffizienz: Der Einschaltwiderstand von Galliumnitrid-Schaltleistungselektronikbauelementen ist um drei Größenordnungen niedriger als der von Siliziumbauelementen, wodurch die Einschaltverluste erheblich reduziert werden können;

3) Hohe Wärmeleitfähigkeit: Die hohe Wärmeleitfähigkeit von Galliumnitrid sorgt für eine ausgezeichnete Wärmeableitung und macht es geeignet für die Herstellung von Geräten für Hochleistungs-, Hochtemperatur- und andere Anwendungsbereiche;

4) Durchschlagsfeldstärke: Obwohl die Durchschlagsfeldstärke von Galliumnitrid ähnlich hoch ist wie die von Siliziumnitrid, liegt die Spannungstoleranz von Galliumnitrid-Bauelementen aufgrund von Halbleiterprozessen, Materialgitterfehlanpassungen und anderen Faktoren üblicherweise bei etwa 1000 V, und die sichere Betriebsspannung liegt üblicherweise unter 650 V.

Artikel	GaN-TCU-C50	GaN-TCN-C50	GaN-TCP-C50
Abmessungen	e 50,8 mm ± 0,1 mm
Dicke	4,5 ± 0,5 µm		4,5 ± 0,5 µm
Orientierung	C-Ebene(0001) ±0,5°
Leitungsart	N-Typ (undotiert)	N-Typ (Si-dotiert)	P-Typ (Mg-dotiert)
Spezifischer Widerstand (300K)	< 0,5 Q・cm	< 0,05 Q・cm	~ 10 Q・cm
Trägerkonzentration	< 5x10¹⁷cm^-3	> 1x10¹⁸cm^-3	> 6x1016 cm^-3
Mobilität	ca. 300 cm²/Vs	ca. 200 cm²/Vs	ca. 10 cm²/Vs
Versetzungsdichte	Weniger als 5x10⁸cm^-2(berechnet anhand der Halbwertsbreiten (FWHM) der XRD-Spektren)
Substratstruktur	GaN auf Saphir (Standard: SSP Option: DSP)
Nutzbare Oberfläche	> 90%
Paket	Verpackt in einer Reinraumumgebung der Klasse 100, in Kassetten mit 25 Stück oder Einzelwaferbehältern, unter Stickstoffatmosphäre.