4-Zoll-Siliziumwafer FZ CZ N-Typ DSP oder SSP Testqualität

Kurzbeschreibung:

Ein Siliziumwafer ist eine dünne Scheibe aus einkristallinem Silizium. Siliziumwafer sind in Durchmessern von 2, 3, 4, 6 und 8 Zoll erhältlich und werden hauptsächlich zur Herstellung integrierter Schaltungen verwendet. Siliziumwafer sind das Rohmaterial, Chips das fertige Produkt. Siliziumwafer sind wichtige Werkstoffe für die Herstellung integrierter Schaltungen, und verschiedene Halbleiterbauelemente lassen sich mittels Fotolithografie und Ionenimplantation auf Siliziumwafern erzeugen.

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Merkmale

Einführung der Waferbox

Siliziumwafer sind ein unverzichtbarer Bestandteil des heutigen, wachsenden Technologiesektors. Der Markt für Halbleitermaterialien benötigt Siliziumwafer mit präzisen Spezifikationen zur Herstellung einer Vielzahl neuer integrierter Schaltungen. Wir wissen, dass mit steigenden Kosten der Halbleiterfertigung auch die Kosten für die benötigten Materialien, wie beispielsweise Siliziumwafer, steigen. Wir verstehen die Bedeutung von Qualität und Wirtschaftlichkeit unserer Produkte für unsere Kunden. Wir bieten kostengünstige Wafer von gleichbleibend hoher Qualität. Unser Hauptsortiment umfasst Siliziumwafer und -ingots (CZ), Epitaxie-Wafer und SOI-Wafer.

Durchmesser	Durchmesser	Poliert	Doping	Orientierung	Spezifischer Widerstand / Ω·cm	Dicke/µm
2 Zoll	50,8 ± 0,5 mm	SSP DSP	Teilenummer	100	1-20	200-500
3 Zoll	76,2 ± 0,5 mm	SSP DSP	P/B	100	NA	525±20
4 Zoll	101,6±0,2 101,6±0,3 101,6±0,4	SSP DSP	Teilenummer	100	0,001-10	200-2000
6 Zoll	152,5±0,3	SSPDSP	Teilenummer	100	1-10	500-650
8 Zoll	200±0,3	DSPSSP	Teilenummer	100	0,1-20	625

Die Anwendung von Siliziumwafern

Substrat: PECVD/LPCVD-Beschichtung, Magnetron-Sputtern

Substrat: XRD, SEM, Rasterkraft-Infrarotspektroskopie, Transmissionselektronenmikroskopie, Fluoreszenzspektroskopie und weitere Analyseverfahren, Molekularstrahlepitaxie, Röntgenanalyse der Kristallmikrostruktur; Bearbeitung: Ätzen, Bonden, MEMS-Bauelemente, Leistungshalbleiterbauelemente, MOS-Bauelemente und weitere Bearbeitungsprozesse

Seit 2010 hat sich Shanghai XKH Material Tech. Co.,Ltd der Bereitstellung umfassender Lösungen für 4-Zoll-Siliziumwafer verschrieben. Das Angebot reicht von Dummy-Wafern für die Fehlersuche und Testwafern bis hin zu Prime-Wafern für die Produktentwicklung sowie Spezialwafern wie Oxid-Wafern, Nitrid-Wafern (Si3N4), aluminiumbeschichteten Wafern, kupferbeschichteten Siliziumwafern, SOI-Wafern, MEMS-Glaswafern, kundenspezifischen ultradicken und ultraflachen Wafern usw. mit Größen von 50 mm bis 300 mm. Wir bieten Halbleiterwafer mit ein- oder doppelseitigem Polieren, Ausdünnen, Vereinzeln, MEMS-Bestückung und weiteren Bearbeitungs- und Anpassungsdienstleistungen an.