4-Zoll-Siliziumwafer FZ CZ N-Typ DSP oder SSP Testqualität

Kurze Beschreibung:

Ein Siliziumwafer ist eine dünne Platte aus einkristallinem Silizium. Siliziumwafer sind in den Durchmessern 2, 3, 4, 6 und 8 Zoll erhältlich und werden hauptsächlich zur Herstellung integrierter Schaltkreise verwendet. Siliziumwafer sind lediglich das Rohmaterial, Chips das fertige Produkt. Siliziumwafer sind wichtige Materialien für die Herstellung integrierter Schaltkreise, und mittels Fotolithografie und Ionenimplantation auf Siliziumwafern können verschiedene Halbleiterbauelemente hergestellt werden.

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Merkmale

Einführung der Waferbox

Siliziumwafer sind ein integraler Bestandteil des heutigen, wachsenden Technologiesektors. Der Markt für Halbleitermaterialien benötigt Siliziumwafer mit präzisen Spezifikationen, um eine große Anzahl neuer integrierter Schaltkreise herzustellen. Wir sind uns bewusst, dass mit den Kosten der Halbleiterherstellung auch die Kosten für Fertigungsmaterialien, wie beispielsweise Siliziumwafer, steigen. Wir wissen, wie wichtig Qualität und Kosteneffizienz bei den Produkten sind, die wir unseren Kunden anbieten. Wir bieten Wafer an, die kostengünstig und von gleichbleibender Qualität sind. Wir produzieren hauptsächlich Siliziumwafer und -Ingots (CZ), Epitaxiewafer und SOI-Wafer.

Durchmesser	Durchmesser	Poliert	Dotiert	Orientierung	Spezifischer Widerstand/Ω.cm	Dicke/um
2 Zoll	50,8 ± 0,5 mm	SSP DSP	Teilenummer	100	1-20	200-500
3 Zoll	76,2 ± 0,5 mm	SSP DSP	P/B	100	NA	525±20
4 Zoll	101,6 ± 0,2 101,6 ± 0,3 101,6 ± 0,4	SSP DSP	Teilenummer	100	0,001-10	200-2000
6 Zoll	152,5 ± 0,3	SSPDSP	Teilenummer	100	1-10	500-650
8 Zoll	200 ± 0,3	DSPSSP	Teilenummer	100	0,1-20	625

Die Anwendung von Siliziumwafern

Substrat: PECVD/LPCVD-Beschichtung, Magnetronsputtern

Substrat: XRD, SEM, Rasterkraft-Infrarotspektroskopie, Transmissionselektronenmikroskopie, Fluoreszenzspektroskopie und andere analytische Tests, Molekularstrahl-Epitaxiewachstum, Röntgenanalyse der Kristallmikrostrukturverarbeitung: Ätzen, Bonden, MEMS-Geräte, Leistungsgeräte, MOS-Geräte und andere Verarbeitung

Seit 2010 ist Shanghai XKH Material Tech. Co., Ltd. bestrebt, seinen Kunden umfassende Lösungen für 4-Zoll-Siliziumwafer anzubieten, von Wafern auf Debugging-Ebene (Dummy-Wafer) über Wafer auf Testebene (Test-Wafer) bis hin zu Wafern auf Produktebene (Prime-Wafer) sowie Spezialwafer, Oxidwafer (Oxid), Nitridwafer (Si3N4), aluminiumbeschichtete Wafer, kupferbeschichtete Siliziumwafer, SOI-Wafer, MEMS-Glas, kundenspezifische ultradicke und ultraflache Wafer usw. in Größen von 50–300 mm. Wir können Halbleiterwafer mit einseitigem/doppelseitigem Polieren, Dünnen, Zerteilen, MEMS und anderen Verarbeitungs- und Anpassungsdiensten bereitstellen.