4H-N 8-Zoll-SiC-Substratwafer, Siliziumkarbid-Dummy, Forschungsqualität, 500 µm Dicke

Kurzbeschreibung:

Siliziumkarbid-Wafer werden in elektronischen Geräten wie Leistungsdioden, MOSFETs, Hochleistungs-Mikrowellengeräten und HF-Transistoren verwendet und ermöglichen eine effiziente Energieumwandlung und Energieverwaltung. SiC-Wafer und -Substrate finden auch in der Automobilelektronik, in Luft- und Raumfahrtsystemen und in Technologien für erneuerbare Energien Verwendung.

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Wie wählen Sie Siliziumkarbid-Wafer und SiC-Substrate aus?

Bei der Auswahl von Wafern und Substraten aus Siliziumkarbid (SiC) müssen mehrere Faktoren berücksichtigt werden. Hier einige wichtige Kriterien:

Materialtyp: Bestimmen Sie den Typ des SiC-Materials, der für Ihre Anwendung geeignet ist, z. B. 4H-SiC oder 6H-SiC. Die am häufigsten verwendete Kristallstruktur ist 4H-SiC.

Dotierungstyp: Entscheiden Sie, ob Sie ein dotiertes oder undotiertes SiC-Substrat benötigen. Gängige Dotierungsarten sind je nach Ihren spezifischen Anforderungen N-Typ (n-dotiert) oder P-Typ (p-dotiert).

Kristallqualität: Bewerten Sie die Kristallqualität der SiC-Wafer oder -Substrate. Die gewünschte Qualität wird durch Parameter wie die Anzahl der Defekte, die kristallographische Orientierung und die Oberflächenrauheit bestimmt.

Waferdurchmesser: Wählen Sie die passende Wafergröße entsprechend Ihrer Anwendung. Zu den gängigen Größen gehören 2 Zoll, 3 Zoll, 4 Zoll und 6 Zoll. Je größer der Durchmesser, desto mehr Ertrag lässt sich pro Wafer erzielen.

Dicke: Berücksichtigen Sie die gewünschte Dicke der SiC-Wafer oder -Substrate. Typische Dickenoptionen reichen von einigen Mikrometern bis zu mehreren hundert Mikrometern.

Ausrichtung: Bestimmen Sie die kristallografische Ausrichtung, die den Anforderungen Ihrer Anwendung entspricht. Zu den üblichen Orientierungen gehören (0001) für 4H-SiC und (0001) oder (0001̅) für 6H-SiC.

Oberflächenbeschaffenheit: Bewerten Sie die Oberflächenbeschaffenheit der SiC-Wafer oder -Substrate. Die Oberfläche sollte glatt, poliert und frei von Kratzern oder Verunreinigungen sein.

Ruf des Lieferanten: Wählen Sie einen seriösen Lieferanten mit umfangreicher Erfahrung in der Herstellung hochwertiger SiC-Wafer und -Substrate. Berücksichtigen Sie Faktoren wie Fertigungskapazitäten, Qualitätskontrolle und Kundenbewertungen.

Kosten: Berücksichtigen Sie die Kostenauswirkungen, einschließlich des Preises pro Wafer oder Substrat und etwaiger zusätzlicher Anpassungskosten.

Es ist wichtig, diese Faktoren sorgfältig abzuwägen und sich an Branchenexperten oder Lieferanten zu wenden, um sicherzustellen, dass die ausgewählten SiC-Wafer und -Substrate Ihren spezifischen Anwendungsanforderungen entsprechen.