4H-N 8 Zoll SiC-Substrat-Wafer Siliziumkarbid-Dummy Forschungsqualität 500 µm Dicke

Kurze Beschreibung:

Siliziumkarbid-Wafer werden in elektronischen Geräten wie Leistungsdioden, MOSFETs, Hochleistungsmikrowellengeräten und HF-Transistoren eingesetzt und ermöglichen eine effiziente Energieumwandlung und Energieverwaltung. SiC-Wafer und -Substrate finden auch Anwendung in der Automobilelektronik, der Luft- und Raumfahrt und in der erneuerbaren Energietechnik.

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Wie wählen Sie Siliziumkarbid-Wafer und SiC-Substrate aus?

Bei der Auswahl von Siliziumkarbid-Wafern und -Substraten (SiC) sind verschiedene Faktoren zu berücksichtigen. Hier sind einige wichtige Kriterien:

Materialtyp: Bestimmen Sie den für Ihre Anwendung geeigneten SiC-Materialtyp, z. B. 4H-SiC oder 6H-SiC. Die am häufigsten verwendete Kristallstruktur ist 4H-SiC.

Dotierungsart: Entscheiden Sie, ob Sie ein dotiertes oder undotiertes SiC-Substrat benötigen. Gängige Dotierungsarten sind N-Typ (n-dotiert) oder P-Typ (p-dotiert), je nach Ihren spezifischen Anforderungen.

Kristallqualität: Bewerten Sie die Kristallqualität der SiC-Wafer oder -Substrate. Die gewünschte Qualität wird durch Parameter wie die Anzahl der Defekte, die kristallografische Orientierung und die Oberflächenrauheit bestimmt.

Waferdurchmesser: Wählen Sie die passende Wafergröße entsprechend Ihrer Anwendung. Gängige Größen sind 2 Zoll, 3 Zoll, 4 Zoll und 6 Zoll. Je größer der Durchmesser, desto höher ist die Ausbeute pro Wafer.

Dicke: Berücksichtigen Sie die gewünschte Dicke der SiC-Wafer oder Substrate. Typische Dickenoptionen reichen von wenigen Mikrometern bis zu mehreren hundert Mikrometern.

Orientierung: Bestimmen Sie die kristallografische Orientierung, die den Anforderungen Ihrer Anwendung entspricht. Gängige Orientierungen sind (0001) für 4H-SiC und (0001) oder (0001̅) für 6H-SiC.

Oberflächenbeschaffenheit: Bewerten Sie die Oberflächenbeschaffenheit der SiC-Wafer oder Substrate. Die Oberfläche sollte glatt, poliert und frei von Kratzern oder Verunreinigungen sein.

Lieferantenreputation: Wählen Sie einen seriösen Lieferanten mit umfassender Erfahrung in der Herstellung hochwertiger SiC-Wafer und -Substrate. Berücksichtigen Sie Faktoren wie Fertigungskapazitäten, Qualitätskontrolle und Kundenbewertungen.

Kosten: Berücksichtigen Sie die Kostenauswirkungen, einschließlich des Preises pro Wafer oder Substrat und aller zusätzlichen Anpassungskosten.

Es ist wichtig, diese Faktoren sorgfältig zu prüfen und sich mit Branchenexperten oder Lieferanten zu beraten, um sicherzustellen, dass die ausgewählten SiC-Wafer und -Substrate Ihren spezifischen Anwendungsanforderungen entsprechen.