4-Zoll-SiC-Wafer, 6H-halbisolierende SiC-Substrate, Prime-, Forschungs- und Dummy-Qualität

Kurzbeschreibung:

Halbisolierende Siliziumkarbid-Substrate werden nach dem Wachstum von halbisolierenden Siliziumkarbidkristallen durch Schneiden, Schleifen, Polieren, Reinigen und weitere Bearbeitungstechniken hergestellt. Auf dem Substrat wird epitaktisch eine oder mehrere Kristallschichten aufgebracht, die den Qualitätsanforderungen entsprechen. Anschließend wird durch die Kombination von Schaltungsdesign und Gehäuse das Mikrowellen-HF-Bauelement gefertigt. Verfügbar sind halbisolierende Siliziumkarbid-Einkristallsubstrate in den Größen 2 Zoll, 3 Zoll, 4 Zoll, 6 Zoll und 8 Zoll für industrielle Anwendungen, Forschung und Tests.

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Merkmale

Produktspezifikation

Grad			Null MPD Produktionsklasse (Z-Klasse)			Standardproduktionsqualität (P-Qualität)		Dummy-Note (Note D)
Durchmesser			99,5 mm bis 100,0 mm
	4H-SI		500 μm ± 20 μm			500 μm ± 25 μm
Wafer-Ausrichtung			Außerhalb der Achse: 4,0° in Richtung <1120> ±0,5° für 4H-N, auf der Achse: <0001> ±0,5° für 4H-SI
	4H-SI		≤1cm^-2			≤5 cm^-2		≤15 cm^-2
	4H-SI		≥1E9 Ω·cm					≥1E5 Ω·cm
Primäre flache Ausrichtung		{10-10} ±5,0°
Primäre Flachlänge		32,5 mm ± 2,0 mm
Sekundäre Flachlänge		18,0 mm ± 2,0 mm
Sekundäre flache Ausrichtung		Siliziumseite nach oben: 90° im Uhrzeigersinn von der planaren Oberfläche ±5,0°
Kantenausschluss		3 mm
LTV/TTV/Bow /Warp		≤3 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm						≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm
Rauheit			C-Fläche				Polieren		Ra≤1 nm
			Si face	CMP	Ra≤0,2 nm					Ra≤0,5 nm
Kantenrisse durch hochintensives Licht		Keiner						Gesamtlänge ≤ 10 mm, einzeln Länge ≤ 2 mm
Sechseckige Platten durch Hochleistungslicht		Kumulative Fläche ≤0,05%						Kumulative Fläche ≤0,1%
Polytypbereiche durch hochintensives Licht		Keiner						Kumulative Fläche ≤ 3 %
Visuelle Kohlenstoffeinschlüsse		Kumulative Fläche ≤0,05%						Kumulative Fläche ≤3%
Kratzer auf Silikonoberflächen durch hochintensives Licht		Keiner						Gesamtlänge ≤ 1 * Waferdurchmesser
Kantenchips mit hoher Lichtintensität		Keine zulässige Breite und Tiefe ≥ 0,2 mm.						5 zulässig, jeweils ≤1 mm
Silizium-Oberflächenkontamination durch hohe Intensität		Keiner
Verpackung		Mehrfachwaffelkassette oder Einzelwaffelbehälter