4-Zoll-SiC-Wafer 6H Halbisolierende SiC-Substrate in Prime-, Forschungs- und Dummy-Qualität

4-Zoll-SiC-Wafer 6H Halbisolierende SiC-Substrate Prime, Research und Dummy Grade Ausgewähltes Bild

Kurze Beschreibung:

Halbisolierte Siliziumkarbidsubstrate werden nach dem Wachstum des halbisolierten Siliziumkarbidkristalls durch Schneiden, Schleifen, Polieren, Reinigen und andere Verarbeitungstechniken hergestellt. Auf dem Substrat wird eine Schicht oder mehrschichtige Kristallschicht gezüchtet, die den Qualitätsanforderungen der Epitaxie entspricht. Anschließend wird durch die Kombination von Schaltungsdesign und Verpackung das Mikrowellen-HF-Gerät hergestellt. Erhältlich als halbisolierte Siliziumkarbid-Einkristallsubstrate in den Größen 2 Zoll, 3 Zoll, 4 Zoll, 6 Zoll und 8 Zoll für Industrie, Forschung und Test.

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Produktdetail

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Produktspezifikation

Grad			Zero MPD-Produktionsqualität (Z-Qualität)			Standardproduktionsqualität (P-Qualität)		Dummy-Klasse (Klasse D)
Durchmesser			99,5 mm bis 100,0 mm
	4H-SI		500 μm ± 20 μm			500 μm ± 25 μm
Waferorientierung			Außerhalb der Achse: 4,0° in Richtung < 1120 > ±0,5° für 4H-N, Auf der Achse: <0001>±0,5° für 4H-SI
	4H-SI		≤1cm^-2			≤5 cm^-2		≤15 cm^-2
	4H-SI		≥1E9 Ω·cm					≥1E5 Ω·cm
Primäre flache Ausrichtung		{10-10} ±5,0°
Primäre flache Länge		32,5 mm ± 2,0 mm
Sekundäre flache Länge		18,0 mm ± 2,0 mm
Sekundäre flache Ausrichtung		Siliziumfläche nach oben: 90° im Uhrzeigersinn von Prime Flat ±5,0°
Kantenausschluss		3 mm
LTV/TTV/Bug/Kette		≤3 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm						≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm
Rauheit			C-Gesicht				Polieren		Ra≤1 nm
			Si Gesicht	CMP	Ra ≤ 0,2 nm					Ra ≤ 0,5 nm
Kantenrisse durch hochintensives Licht		Keiner						Kumulative Länge ≤ 10 mm, einzeln Länge ≤2 mm
Sechskantplatten durch hochintensives Licht		Kumulative Fläche ≤0,05 %						Kumulative Fläche ≤0,1 %
Polytypbereiche durch hochintensives Licht		Keiner						Kumulative Fläche ≤3 %
Sichtbare Kohlenstoffeinschlüsse		Kumulative Fläche ≤0,05 %						Kumulative Fläche ≤3 %
Kratzer auf der Siliziumoberfläche durch hochintensives Licht		Keiner						Kumulative Länge ≤1＊Waferdurchmesser
Kantensplitter mit hoher Lichtintensität		Keine zulässig ≥0,2 mm Breite und Tiefe						5 zulässig, jeweils ≤1 mm
Silizium-Oberflächenkontamination durch hohe Intensität		Keiner
Verpackung		Mehrwaferkassette oder Einzelwaferbehälter