3 Zoll 76,2 mm 4H-Semi-SiC-Substrat-Wafer. Halbisolierende SiC-Wafer aus Siliziumkarbid

Kurze Beschreibung:

Hochwertiger einkristalliner SiC-Wafer (Siliziumkarbid) für die Elektronik- und Optoelektronikindustrie. 3-Zoll-SiC-Wafer sind ein Halbleitermaterial der nächsten Generation: halbisolierende Siliziumkarbid-Wafer mit 3 Zoll Durchmesser. Die Wafer sind für die Herstellung von Leistungs-, HF- und Optoelektronik-Bauelementen vorgesehen.

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Merkmale

Beschreibung

3-Zoll-4H-halbisolierte SiC-Substratwafer (Siliziumkarbid) sind ein häufig verwendetes Halbleitermaterial. 4H steht für eine tetrahexaedrische Kristallstruktur. Halbisolierung bedeutet, dass das Substrat einen hohen Widerstand aufweist und vom Stromfluss teilweise isoliert werden kann.

Solche Substratwafer zeichnen sich durch folgende Eigenschaften aus: hohe Wärmeleitfähigkeit, geringe Wärmeleitungsverluste, ausgezeichnete Temperaturbeständigkeit sowie ausgezeichnete mechanische und chemische Stabilität. Da Siliziumkarbid eine große Energielücke aufweist und hohen Temperaturen sowie starken elektrischen Feldern standhält, werden halbisolierte 4H-SiC-Wafer häufig in der Leistungselektronik und in Hochfrequenzgeräten (HF) eingesetzt.

Zu den Hauptanwendungen von halbisolierten 4H-SiC-Wafern gehören:

1 – Leistungselektronik: 4H-SiC-Wafer eignen sich zur Herstellung von Leistungsschaltgeräten wie MOSFETs (Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren), IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors) und Schottky-Dioden. Diese Geräte weisen geringere Leitungs- und Schaltverluste in Hochspannungs- und Hochtemperaturumgebungen auf und bieten höhere Effizienz und Zuverlässigkeit.

2 – Hochfrequenzgeräte (HF): Halbisolierte 4H-SiC-Wafer eignen sich zur Herstellung von Hochleistungs-HF-Leistungsverstärkern, Chip-Widerständen, Filtern und anderen Geräten. Siliziumkarbid bietet aufgrund seiner höheren Elektronensättigungsdriftrate und Wärmeleitfähigkeit eine bessere Hochfrequenzleistung und thermische Stabilität.

3 – Optoelektronische Geräte: Halbisolierte 4H-SiC-Wafer können zur Herstellung von Hochleistungslaserdioden, UV-Lichtdetektoren und optoelektronischen integrierten Schaltkreisen verwendet werden.

Marktseitig steigt die Nachfrage nach 4H-SiC-Halbisolierwafern mit den wachsenden Bereichen Leistungselektronik, HF und Optoelektronik. Dies liegt an den vielfältigen Anwendungsgebieten von Siliziumkarbid, darunter Energieeffizienz, Elektrofahrzeuge, erneuerbare Energien und Kommunikation. Der Markt für 4H-SiC-Halbisolierwafer bleibt auch in Zukunft vielversprechend und wird voraussichtlich herkömmliche Siliziummaterialien in verschiedenen Anwendungen ersetzen.