3 Zoll 76,2 mm 4H-Semi-SiC-Substratwafer. Halbisolierende Siliziumkarbid-SiC-Wafer

3 Zoll 76,2 mm 4H-Semi-SiC-Substratwafer Siliziumkarbid-halbisolierende SiC-Wafer Ausgewähltes Bild

Kurzbeschreibung:

Hochwertiger einkristalliner SiC-Wafer (Siliziumkarbid) für die elektronische und optoelektronische Industrie. 3-Zoll-SiC-Wafer ist ein Halbleitermaterial der nächsten Generation, halbisolierende Siliziumkarbid-Wafer mit einem Durchmesser von 3 Zoll. Die Wafer sind für die Herstellung von Leistungs-, HF- und optoelektronischen Geräten bestimmt.

Senden Sie uns eine E-Mail

Produktdetails

Produkt-Tags

Beschreibung

Halbisolierte 3-Zoll-4H-Substratwafer aus SiC (Siliziumkarbid) sind ein häufig verwendetes Halbleitermaterial. 4H weist auf eine tetrahexaedrische Kristallstruktur hin. Halbisolierung bedeutet, dass das Substrat hohe Widerstandseigenschaften aufweist und etwas vom Stromfluss isoliert werden kann.

Solche Substratwafer weisen die folgenden Eigenschaften auf: hohe Wärmeleitfähigkeit, geringer Leitungsverlust, ausgezeichnete Hochtemperaturbeständigkeit sowie ausgezeichnete mechanische und chemische Stabilität. Da Siliziumkarbid eine große Energielücke aufweist und hohen Temperaturen und starken elektrischen Feldbedingungen standhalten kann, werden halbisolierte 4H-SiC-Wafer häufig in der Leistungselektronik und in Hochfrequenzgeräten (RF) verwendet.

Zu den Hauptanwendungen von halbisolierten 4H-SiC-Wafern gehören:

1 – Leistungselektronik: 4H-SiC-Wafer können zur Herstellung von Leistungsschaltgeräten wie MOSFETs (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors), IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors) und Schottky-Dioden verwendet werden. Diese Geräte haben geringere Leitungs- und Schaltverluste in Hochspannungs- und Hochtemperaturumgebungen und bieten eine höhere Effizienz und Zuverlässigkeit.

2 – Hochfrequenzgeräte (RF): Halbisolierte 4H-SiC-Wafer können zur Herstellung von Hochfrequenz-HF-Leistungsverstärkern mit hoher Leistung, Chipwiderständen, Filtern und anderen Geräten verwendet werden. Siliziumkarbid weist aufgrund seiner größeren Elektronensättigungsdriftrate und höheren Wärmeleitfähigkeit eine bessere Hochfrequenzleistung und thermische Stabilität auf.

3 – Optoelektronische Geräte: Halbisolierte 4H-SiC-Wafer können zur Herstellung von Hochleistungslaserdioden, UV-Lichtdetektoren und optoelektronischen integrierten Schaltkreisen verwendet werden.

Im Hinblick auf die Marktrichtung steigt die Nachfrage nach halbisolierten 4H-SiC-Wafern mit den wachsenden Bereichen Leistungselektronik, HF und Optoelektronik. Dies liegt daran, dass Siliziumkarbid ein breites Anwendungsspektrum hat, darunter Energieeffizienz, Elektrofahrzeuge, erneuerbare Energien und Kommunikation. Auch in Zukunft bleibt der Markt für halbisolierte 4H-SiC-Wafer sehr vielversprechend und wird voraussichtlich herkömmliche Siliziummaterialien in verschiedenen Anwendungen ersetzen.