200 mm 8 Zoll GaN auf Saphir-Epi-Schicht-Wafer-Substrat

Kurzbeschreibung:

Der Herstellungsprozess umfasst das epitaktische Wachstum einer GaN-Schicht auf einem Saphirsubstrat unter Verwendung fortschrittlicher Techniken wie metallorganischer chemischer Gasphasenabscheidung (MOCVD) oder Molekularstrahlepitaxie (MBE). Die Abscheidung erfolgt unter kontrollierten Bedingungen, um eine hohe Kristallqualität und Gleichmäßigkeit des Films sicherzustellen.

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Produktdetails

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Produkteinführung

Das 8-Zoll-GaN-auf-Saphir-Substrat ist ein hochwertiges Halbleitermaterial, das aus einer Galliumnitridschicht (GaN) besteht, die auf einem Saphirsubstrat aufgewachsen ist. Dieses Material bietet hervorragende elektronische Transporteigenschaften und ist ideal für die Herstellung von Hochleistungs- und Hochfrequenz-Halbleiterbauelementen.

Herstellungsmethode

Anwendungen

Das 8-Zoll-GaN-auf-Saphir-Substrat findet umfangreiche Anwendungen in verschiedenen Bereichen, darunter Mikrowellenkommunikation, Radarsysteme, drahtlose Technologie und Optoelektronik. Zu den häufigsten Anwendungen gehören:

1. HF-Leistungsverstärker

2. LED-Beleuchtungsindustrie

3. Drahtlose Netzwerkkommunikationsgeräte

4. Elektronische Geräte für Umgebungen mit hohen Temperaturen

5. Optoelektronische Geräte

Produktspezifikationen

-Abmessung: Die Substratgröße beträgt 8 Zoll (200 mm) im Durchmesser.

- Oberflächenqualität: Die Oberfläche ist hochgradig glatt poliert und weist eine hervorragende Spiegelqualität auf.

- Dicke: Die Dicke der GaN-Schicht kann je nach spezifischen Anforderungen angepasst werden.

- Verpackung: Das Substrat ist sorgfältig in antistatischen Materialien verpackt, um Transportschäden zu vermeiden.

- Ausrichtungsebene: Das Substrat verfügt über eine bestimmte Ausrichtungsebene, um die Waferausrichtung und -handhabung während der Geräteherstellung zu erleichtern.

- Andere Parameter: Die Einzelheiten der Dicke, des spezifischen Widerstands und der Dotierstoffkonzentration können je nach Kundenwunsch angepasst werden.

Aufgrund seiner hervorragenden Materialeigenschaften und vielseitigen Einsatzmöglichkeiten ist das 8-Zoll-GaN-auf-Saphir-Substrat eine zuverlässige Wahl für die Entwicklung von Hochleistungs-Halbleiterbauelementen in verschiedenen Branchen.

Außer GaN-auf-Saphir können wir auch im Bereich der Leistungsgeräteanwendungen anbieten. Die Produktfamilie umfasst 8-Zoll-AlGaN/GaN-auf-Si-Epitaxiewafer und 8-Zoll-P-Cap-AlGaN/GaN-auf-Si-Epitaxiewafer Waffeln. Gleichzeitig haben wir die Anwendung unserer eigenen fortschrittlichen 8-Zoll-GaN-Epitaxietechnologie im Mikrowellenbereich innoviert und einen 8-Zoll-AlGaN/GAN-on-HR-Si-Epitaxiewafer entwickelt, der hohe Leistung mit großer Größe und niedrigen Kosten kombiniert und kompatibel mit der standardmäßigen 8-Zoll-Geräteverarbeitung. Zusätzlich zu siliziumbasiertem Galliumnitrid verfügen wir auch über eine Produktlinie von AlGaN/GaN-auf-SiC-Epitaxiewafern, um den Bedarf der Kunden an siliziumbasierten Galliumnitrid-Epitaxiematerialien zu decken.