200 mm 8 Zoll GaN auf Saphir Epi-Schicht-Wafer-Substrat
Produkteinführung
Das 8-Zoll-GaN-auf-Saphir-Substrat ist ein hochwertiges Halbleitermaterial, bestehend aus einer auf einem Saphirsubstrat aufgebrachten Galliumnitrid-Schicht (GaN). Dieses Material bietet hervorragende elektronische Transporteigenschaften und eignet sich ideal für die Herstellung von Hochleistungs- und Hochfrequenz-Halbleiterbauelementen.
Herstellungsverfahren
Der Herstellungsprozess umfasst das epitaktische Wachstum einer GaN-Schicht auf einem Saphirsubstrat mittels fortschrittlicher Verfahren wie metallorganischer chemischer Gasphasenabscheidung (MOCVD) oder Molekularstrahlepitaxie (MBE). Die Abscheidung erfolgt unter kontrollierten Bedingungen, um eine hohe Kristallqualität und Schichthomogenität zu gewährleisten.
Anwendungen
Das 8-Zoll-GaN-auf-Saphir-Substrat findet breite Anwendung in verschiedenen Bereichen, darunter Mikrowellenkommunikation, Radarsysteme, drahtlose Technologien und Optoelektronik. Zu den gängigen Anwendungen gehören:
1. HF-Leistungsverstärker
2. LED-Beleuchtungsindustrie
3. Drahtlose Netzwerkkommunikationsgeräte
4. Elektronische Geräte für Hochtemperaturumgebungen
5. Optoelektronische Geräte
Produktspezifikationen
-Abmessung: Die Substratgröße beträgt 8 Zoll (200 mm) im Durchmesser.
- Oberflächenqualität: Die Oberfläche ist hochglänzend poliert und weist eine ausgezeichnete spiegelähnliche Qualität auf.
- Dicke: Die Dicke der GaN-Schicht kann je nach spezifischen Anforderungen individuell angepasst werden.
- Verpackung: Das Substrat wird sorgfältig in antistatischem Material verpackt, um Transportschäden zu vermeiden.
- Orientierungsebene: Das Substrat verfügt über eine spezifische Orientierungsebene, die die Ausrichtung und Handhabung des Wafers während der Geräteherstellungsprozesse erleichtert.
- Weitere Parameter: Die genauen Werte für Dicke, spezifischen Widerstand und Dotierungskonzentration können gemäß den Kundenanforderungen angepasst werden.
Dank seiner überlegenen Materialeigenschaften und vielseitigen Anwendungsmöglichkeiten ist das 8-Zoll-GaN-auf-Saphir-Substrat eine zuverlässige Wahl für die Entwicklung von Hochleistungshalbleiterbauelementen in verschiedenen Branchen.
Neben GaN auf Saphir bieten wir im Bereich der Leistungselektronik auch 8-Zoll-AlGaN/GaN-auf-Si-Epitaxiewafer und 8-Zoll-P-Cap-AlGaN/GaN-auf-Si-Epitaxiewafer an. Gleichzeitig haben wir unsere fortschrittliche 8-Zoll-GaN-Epitaxietechnologie für den Mikrowellenbereich weiterentwickelt und einen 8-Zoll-AlGaN/GaN-auf-HR-Si-Epitaxiewafer entwickelt, der hohe Leistung mit großer Größe, niedrigen Kosten und Kompatibilität mit der Standard-8-Zoll-Gerätefertigung vereint. Zusätzlich zu Galliumnitrid auf Siliziumbasis bieten wir auch AlGaN/GaN-auf-SiC-Epitaxiewafer an, um den Bedarf unserer Kunden an Galliumnitrid-Epitaxiematerialien auf Siliziumbasis zu decken.
Detailliertes Diagramm
