200 mm 8 Zoll GaN auf Saphir-Epi-Layer-Wafersubstrat
Produkteinführung
Das 8-Zoll-GaN-auf-Saphir-Substrat ist ein hochwertiges Halbleitermaterial, das aus einer auf einem Saphirsubstrat gewachsenen Galliumnitridschicht (GaN) besteht. Dieses Material bietet hervorragende elektronische Transporteigenschaften und eignet sich ideal für die Herstellung von Hochleistungs- und Hochfrequenz-Halbleiterbauelementen.
Herstellungsverfahren
Der Herstellungsprozess umfasst das epitaktische Wachstum einer GaN-Schicht auf einem Saphirsubstrat mithilfe fortschrittlicher Techniken wie metallorganischer chemischer Gasphasenabscheidung (MOCVD) oder Molekularstrahlepitaxie (MBE). Die Abscheidung erfolgt unter kontrollierten Bedingungen, um eine hohe Kristallqualität und Filmgleichmäßigkeit zu gewährleisten.
Anwendungen
Das 8-Zoll-GaN-auf-Saphir-Substrat findet breite Anwendung in verschiedenen Bereichen, darunter Mikrowellenkommunikation, Radarsysteme, Funktechnologie und Optoelektronik. Zu den häufigsten Anwendungen gehören:
1. HF-Leistungsverstärker
2. LED-Beleuchtungsindustrie
3. Drahtlose Netzwerkkommunikationsgeräte
4. Elektronische Geräte für Hochtemperaturumgebungen
5. Optoelektronische Geräte
Produktspezifikationen
-Abmessung: Die Substratgröße beträgt 8 Zoll (200 mm) im Durchmesser.
- Oberflächenqualität: Die Oberfläche ist hochglatt poliert und weist eine hervorragende spiegelähnliche Qualität auf.
- Dicke: Die Dicke der GaN-Schicht kann je nach spezifischen Anforderungen angepasst werden.
- Verpackung: Das Substrat wird sorgfältig in antistatischen Materialien verpackt, um Schäden während des Transports zu vermeiden.
- Orientierungsfläche: Das Substrat verfügt über eine spezielle Orientierungsfläche, um die Waferausrichtung und Handhabung während der Geräteherstellung zu erleichtern.
- Andere Parameter: Die Einzelheiten zu Dicke, spezifischem Widerstand und Dotierstoffkonzentration können gemäß den Kundenanforderungen angepasst werden.
Mit seinen überlegenen Materialeigenschaften und vielseitigen Anwendungsmöglichkeiten ist das 8-Zoll-GaN-auf-Saphir-Substrat eine zuverlässige Wahl für die Entwicklung leistungsstarker Halbleiterbauelemente in verschiedenen Branchen.
Neben GaN-auf-Saphir bieten wir im Bereich Leistungsbauelemente auch 8-Zoll-AlGaN/GaN-auf-Si-Epitaxiewafer und 8-Zoll-P-Cap-AlGaN/GaN-auf-Si-Epitaxiewafer an. Gleichzeitig haben wir die Anwendung unserer eigenen fortschrittlichen 8-Zoll-GaN-Epitaxietechnologie im Mikrowellenbereich revolutioniert und einen 8-Zoll-AlGaN/GAN-auf-HR-Si-Epitaxiewafer entwickelt, der hohe Leistung mit großer Größe und niedrigen Kosten verbindet und mit der Standardverarbeitung von 8-Zoll-Bauelementen kompatibel ist. Neben siliziumbasiertem Galliumnitrid bieten wir auch eine Produktlinie von AlGaN/GaN-auf-SiC-Epitaxiewafern an, um den Kundenbedarf an siliziumbasierten Galliumnitrid-Epitaxiematerialien zu decken.
Detailliertes Diagramm
