2-Zoll-Siliziumkarbid-Wafer 6H oder 4H N-Typ oder halbisolierende SiC-Substrate

4H SiC-Wafer N-Typ
Durchmesser: 2 Zoll 50,8 mm | 4 Zoll 100 mm | 6 Zoll 150 mm
Ausrichtung: von der Achse 4,0˚ in Richtung <1120> ± 0,5˚
Spezifischer Widerstand: < 0,1 Ohm.cm
Rauheit: Si-Oberfläche CMP Ra <0,5 nm, C-Oberfläche optische Politur Ra ​​<1 nm

4H SiC-Wafer Halbisolierend
Durchmesser: 2 Zoll 50,8 mm | 4 Zoll 100 mm | 6 Zoll 150 mm
Ausrichtung: auf der Achse {0001} ± 0,25˚
Spezifischer Widerstand: >1E5 Ohm.cm
Rauheit: Si-Oberfläche CMP Ra <0,5 nm, C-Oberfläche optische Politur Ra ​​<1 nm

1. 5G-Infrastruktur – Kommunikationsstromversorgung.
Die Kommunikationsstromversorgung ist die Energiebasis für die Kommunikation zwischen Server und Basisstation. Es liefert elektrische Energie für verschiedene Übertragungsgeräte, um den normalen Betrieb des Kommunikationssystems sicherzustellen.

2. Ladesäule für Fahrzeuge mit neuer Energie – Leistungsmodul der Ladesäule.
Der hohe Wirkungsgrad und die hohe Leistung des Ladesäulen-Leistungsmoduls können durch die Verwendung von Siliziumkarbid im Ladesäulen-Leistungsmodul realisiert werden, um die Ladegeschwindigkeit zu verbessern und die Ladekosten zu senken.

3. Großes Rechenzentrum, industrielles Internet – Server-Stromversorgung.
Das Server-Netzteil ist die Server-Energiebibliothek. Der Server stellt Strom bereit, um den normalen Betrieb des Serversystems sicherzustellen. Durch den Einsatz von Siliziumkarbid-Leistungskomponenten in der Server-Stromversorgung können die Leistungsdichte und Effizienz der Server-Stromversorgung verbessert, das Volumen des Rechenzentrums insgesamt verringert, die Gesamtbaukosten des Rechenzentrums gesenkt und eine höhere Umweltfreundlichkeit erreicht werden Effizienz.

4. Uhv – Anwendung flexibler Gleichstrom-Leistungsschalter für die Übertragung.

5. Intercity-Hochgeschwindigkeitszüge und Intercity-Schienenverkehr – Traktionsumrichter, leistungselektronische Transformatoren, Hilfsumrichter, Hilfsstromversorgungen.