2-Zoll-Siliziumkarbid-Wafer, 6H- oder 4H-N-Typ- oder halbisolierende SiC-Substrate

4H SiC-Wafer N-Typ
Durchmesser: 2 Zoll (50,8 mm) | 4 Zoll (100 mm) | 6 Zoll (150 mm)
Ausrichtung: 4,0° außerhalb der Achse in Richtung <1120> ± 0,5°
Spezifischer Widerstand: < 0,1 Ω·cm
Rauheit: Si-Seite CMP Ra <0,5 nm, C-Seite optische Politur Ra ​​<1 nm

4H SiC-Wafer, halbisolierend
Durchmesser: 2 Zoll (50,8 mm) | 4 Zoll (100 mm) | 6 Zoll (150 mm)
Orientierung: auf der Achse {0001} ± 0,25˚
Spezifischer Widerstand: >1E5 Ω·cm
Rauheit: Si-Seite CMP Ra <0,5 nm, C-Seite optische Politur Ra ​​<1 nm

1. 5G-Infrastruktur – Stromversorgung für die Kommunikation.
Die Kommunikationsstromversorgung bildet die Energiegrundlage für die Kommunikation zwischen Server und Basisstation. Sie liefert elektrische Energie für verschiedene Übertragungsgeräte, um den reibungslosen Betrieb des Kommunikationssystems zu gewährleisten.

2. Ladesäule für Fahrzeuge mit neuer Energie -- Leistungsmodul der Ladesäule.
Durch den Einsatz von Siliziumkarbid im Ladesäulen-Leistungsmodul lassen sich ein hoher Wirkungsgrad und eine hohe Leistung erzielen, wodurch die Ladegeschwindigkeit verbessert und die Ladekosten gesenkt werden.

3. Big-Data-Center, Industrielles Internet – Server-Stromversorgung.
Das Servernetzteil ist die Energiequelle des Servers. Es versorgt den Server mit Strom, um dessen reibungslosen Betrieb zu gewährleisten. Der Einsatz von Siliziumkarbid-Leistungskomponenten im Servernetzteil verbessert die Leistungsdichte und Effizienz, reduziert das Volumen des Rechenzentrums insgesamt, senkt die Baukosten und trägt zu einer höheren Umweltverträglichkeit bei.

4. Uhv - Anwendung flexibler Gleichstrom-Leistungsschalter.

5. Intercity-Hochgeschwindigkeitszüge und Intercity-Schienenverkehr – Traktionsumrichter, Leistungselektroniktransformatoren, Hilfsumrichter, Hilfsstromversorgungen.