2-Zoll-Siliziumkarbid-Wafer 6H oder 4H N-Typ oder halbisolierende SiC-Substrate

4H SiC-Wafer N-Typ
Durchmesser: 2 Zoll 50,8 mm | 4 Zoll 100 mm | 6 Zoll 150 mm
Ausrichtung: 4,0˚ außerhalb der Achse in Richtung <1120> ± 0,5˚
Widerstand: < 0,1 Ohm.cm
Rauheit: Si-Fläche CMP Ra <0,5 nm, C-Fläche optische Politur Ra ​​<1 nm

4H SiC-Wafer Halbisolierend
Durchmesser: 2 Zoll 50,8 mm | 4 Zoll 100 mm | 6 Zoll 150 mm
Orientierung: auf Achse {0001} ± 0,25˚
Widerstand: >1E5 Ohm.cm
Rauheit: Si-Fläche CMP Ra <0,5 nm, C-Fläche optische Politur Ra ​​<1 nm

1. 5G-Infrastruktur – Stromversorgung für die Kommunikation.
Die Kommunikationsstromversorgung ist die Energiebasis für die Kommunikation zwischen Servern und Basisstationen. Sie versorgt verschiedene Übertragungsgeräte mit elektrischer Energie, um den normalen Betrieb des Kommunikationssystems zu gewährleisten.

2. Ladestation für Fahrzeuge mit neuer Energie – Strommodul der Ladestation.
Die hohe Effizienz und die hohe Leistung des Ladesäulen-Leistungsmoduls können durch die Verwendung von Siliziumkarbid im Ladesäulen-Leistungsmodul realisiert werden, um die Ladegeschwindigkeit zu verbessern und die Ladekosten zu senken.

3. Großes Rechenzentrum, industrielles Internet – Serverstromversorgung.
Das Server-Netzteil ist die Energiebibliothek des Servers. Der Server stellt Strom bereit, um den normalen Betrieb des Serversystems sicherzustellen. Der Einsatz von Siliziumkarbid-Stromversorgungskomponenten im Server-Netzteil kann die Leistungsdichte und Effizienz des Server-Netzteils verbessern, das Volumen des Rechenzentrums insgesamt reduzieren, die Gesamtbaukosten des Rechenzentrums senken und eine höhere Umwelteffizienz erreichen.

4. Uhv – Anwendung flexibler Gleichstrom-Leistungsschalter für die Übertragung.

5. Intercity-Hochgeschwindigkeitszüge und Intercity-Schienenverkehr – Traktionsumrichter, Leistungstransformatoren, Hilfsumrichter, Hilfsstromversorgungen.