2-Zoll-SiC-Wafer 6H oder 4H halbisolierende SiC-Substrate, Durchmesser 50,8 mm

Siliziumkarbidsubstrate lassen sich je nach Widerstand in leitfähige und halbisolierende Typen unterteilen. Leitfähige Siliziumkarbid-Bauelemente werden hauptsächlich in Elektrofahrzeugen, Photovoltaikanlagen, im Schienenverkehr, in Rechenzentren, Ladestationen und anderen Infrastrukturen eingesetzt. Die Elektrofahrzeugindustrie hat einen enormen Bedarf an leitfähigen Siliziumkarbid-Substraten. Tesla, BYD, NIO, Xiaopeng und andere Hersteller von Fahrzeugen mit alternativen Antrieben planen derzeit den Einsatz von diskreten Siliziumkarbid-Bauelementen oder -Modulen.

Halbisolierte Siliziumkarbid-Bauelemente werden hauptsächlich in der 5G-Kommunikation, der Fahrzeugkommunikation, der Landesverteidigung, der Datenübertragung, der Luft- und Raumfahrt und anderen Bereichen eingesetzt. Durch das Aufwachsen der Galliumnitrid-Epitaxieschicht auf dem halbisolierten Siliziumkarbid-Substrat können aus dem siliziumbasierten Galliumnitrid-Epitaxie-Wafer Mikrowellen-HF-Bauelemente hergestellt werden, die hauptsächlich im HF-Bereich eingesetzt werden, beispielsweise als Leistungsverstärker in der 5G-Kommunikation und als Funkdetektoren in der Landesverteidigung.

Die Herstellung von Siliziumkarbid-Substraten umfasst die Entwicklung von Geräten, die Synthese von Rohstoffen, das Kristallwachstum, das Schneiden von Kristallen, die Waferverarbeitung, Reinigung und Prüfung sowie viele weitere Schritte. Die Songshan Boron Industry beliefert den Markt mit Siliziumkarbid-Rohstoffen und erzielt bereits kleine Chargenverkäufe. Siliziumkarbid, Halbleitermaterialien der dritten Generation, spielen eine Schlüsselrolle in der modernen Industrie. Mit der zunehmenden Verbreitung von Fahrzeugen mit alternativen Antrieben und Photovoltaikanwendungen steht die Nachfrage nach Siliziumkarbid-Substraten vor einem Wendepunkt.