2-Zoll-SiC-Wafer, halbisolierende 6H- oder 4H-SiC-Substrate, Durchmesser 50,8 mm

Siliziumkarbidsubstrate können je nach spezifischem Widerstand in leitende und halbisolierende Typen unterteilt werden. Leitfähige Siliziumkarbid-Geräte werden hauptsächlich in Elektrofahrzeugen, bei der Photovoltaik-Stromerzeugung, im Schienenverkehr, in Rechenzentren, beim Laden und in anderen Infrastrukturen eingesetzt. Die Elektrofahrzeugindustrie hat einen enormen Bedarf an leitfähigen Siliziumkarbid-Substraten, und derzeit planen Tesla, BYD, NIO, Xiaopeng und andere Unternehmen für neue Energiefahrzeuge den Einsatz diskreter Siliziumkarbid-Geräte oder -Module.

Halbisolierte Siliziumkarbid-Geräte werden hauptsächlich in der 5G-Kommunikation, Fahrzeugkommunikation, Landesverteidigungsanwendungen, Datenübertragung, Luft- und Raumfahrt und anderen Bereichen eingesetzt. Durch das Aufwachsen der Galliumnitrid-Epitaxieschicht auf dem halbisolierten Siliziumkarbidsubstrat kann der siliziumbasierte Galliumnitrid-Epitaxiewafer weiter zu Mikrowellen-HF-Geräten verarbeitet werden, die hauptsächlich im HF-Bereich eingesetzt werden, wie z. B. Leistungsverstärker in der 5G-Kommunikation usw Funkdetektoren in der Landesverteidigung.

Die Herstellung von Siliziumkarbid-Substratprodukten umfasst Geräteentwicklung, Rohstoffsynthese, Kristallwachstum, Kristallschneiden, Waferverarbeitung, Reinigung und Prüfung und viele andere Zusammenhänge. Was die Rohstoffe anbelangt, stellt die Borindustrie in Songshan Siliziumkarbid-Rohstoffe für den Markt bereit und hat Kleinserienverkäufe erzielt. Die Halbleitermaterialien der dritten Generation, vertreten durch Siliziumkarbid, spielen eine Schlüsselrolle in der modernen Industrie. Mit der Beschleunigung der Verbreitung neuer Energiefahrzeuge und Photovoltaikanwendungen steht die Nachfrage nach Siliziumkarbidsubstraten kurz vor einem Wendepunkt.