2-Zoll-SiC-Wafer, 6H- oder 4H-halbisolierende SiC-Substrate, Durchmesser 50,8 mm

Siliziumkarbidsubstrate lassen sich anhand ihres spezifischen Widerstands in leitfähige und halbisolierende Typen unterteilen. Leitfähige Siliziumkarbidbauelemente werden hauptsächlich in Elektrofahrzeugen, Photovoltaikanlagen, Schienenverkehr, Rechenzentren, Ladeinfrastrukturen und anderen Infrastrukturen eingesetzt. Die Elektrofahrzeugindustrie hat einen enormen Bedarf an leitfähigen Siliziumkarbidsubstraten, und Unternehmen wie Tesla, BYD, NIO, Xiaopeng und andere Hersteller von Elektrofahrzeugen planen bereits den Einsatz von Siliziumkarbid-Bauelementen oder -Modulen.

Halbisolierte Siliziumkarbid-Bauelemente finden hauptsächlich Anwendung in der 5G-Kommunikation, Fahrzeugkommunikation, Verteidigung, Datenübertragung, Luft- und Raumfahrt sowie weiteren Bereichen. Durch das Aufwachsen einer Galliumnitrid-Epitaxieschicht auf dem halbisolierenden Siliziumkarbid-Substrat lassen sich aus dem Silizium-basierten Galliumnitrid-Epitaxie-Wafer Mikrowellen-HF-Bauelemente herstellen, die vorwiegend im HF-Bereich eingesetzt werden, beispielsweise als Leistungsverstärker in der 5G-Kommunikation und als Funkdetektoren in der Verteidigung.

Die Herstellung von Siliziumkarbid-Substratprodukten umfasst Anlagenentwicklung, Rohstoffsynthese, Kristallzüchtung, Kristallschneiden, Waferbearbeitung, Reinigung und Prüfung sowie viele weitere Arbeitsschritte. Songshan Boron Industry liefert Siliziumkarbid-Rohstoffe für den Markt und hat bereits Kleinserien verkauft. Siliziumkarbid, ein Halbleiterwerkstoff der dritten Generation, spielt eine Schlüsselrolle in der modernen Industrie. Mit der zunehmenden Verbreitung von Elektrofahrzeugen und Photovoltaik-Anwendungen steht die Nachfrage nach Siliziumkarbid-Substraten kurz vor einem Wendepunkt.