2-Zoll-Siliciumcarbid-Substrat, Typ 6H-N, 0,33 mm x 0,43 mm, beidseitig poliert, hohe Wärmeleitfähigkeit, geringer Stromverbrauch

Kurzbeschreibung:

Siliziumkarbid (SiC) ist ein Halbleitermaterial mit großer Bandlücke, ausgezeichneter Wärmeleitfähigkeit und chemischer Stabilität.6H-NDas „N“ bedeutet, dass es sich um ein Halbleitermaterial vom N-Typ handelt, was üblicherweise durch Dotierung mit Stickstoff erreicht wird.
Das Siliziumkarbidsubstrat zeichnet sich durch hervorragende Eigenschaften wie hohe Druck- und Temperaturbeständigkeit sowie hohe Frequenzleistung aus. Im Vergleich zu Siliziumprodukten können mit diesem Substrat hergestellte Bauelemente die Verluste um 80 % und ihre Größe um 90 % reduzieren. Im Bereich der Elektrofahrzeuge trägt Siliziumkarbid zu einem geringeren Gewicht, reduzierten Verlusten und einer höheren Reichweite bei. In der 5G-Kommunikation findet es Anwendung in der Herstellung entsprechender Geräte. In der Photovoltaik-Stromerzeugung kann es den Wirkungsgrad verbessern. Im Schienenverkehr profitieren die hohen Temperatur- und Druckbeständigkeiten von Siliziumkarbid.


Merkmale

Nachfolgend sind die Eigenschaften eines 2-Zoll-Siliziumkarbid-Wafers aufgeführt.

1. Härte: Die Mohs-Härte beträgt etwa 9,2.
2. Kristallstruktur: hexagonale Gitterstruktur.
3. Hohe Wärmeleitfähigkeit: Die Wärmeleitfähigkeit von SiC ist viel höher als die von Silizium, was einer effektiven Wärmeableitung förderlich ist.
4. Große Bandlücke: Die Bandlücke von SiC beträgt etwa 3,3 eV und eignet sich daher für Anwendungen bei hohen Temperaturen, hohen Frequenzen und hoher Leistung.
5. Durchbruchfeldstärke und Elektronenbeweglichkeit: Hohe Durchbruchfeldstärke und Elektronenbeweglichkeit, geeignet für effiziente Leistungselektronikbauelemente wie MOSFETs und IGBTs.
6. Chemische Stabilität und Strahlungsbeständigkeit: Geeignet für anspruchsvolle Umgebungen wie Luft- und Raumfahrt sowie Verteidigung. Ausgezeichnete Beständigkeit gegenüber Säuren, Laugen und anderen chemischen Lösungsmitteln.
7. Hohe mechanische Festigkeit: Ausgezeichnete mechanische Festigkeit auch unter hohen Temperaturen und hohem Druck.
Es kann in großem Umfang in elektronischen Geräten mit hoher Leistung, hoher Frequenz und hoher Temperatur eingesetzt werden, wie z. B. in ultravioletten Fotodetektoren, Photovoltaik-Wechselrichtern, Steuergeräten für Elektrofahrzeuge usw.

2-Zoll-Siliziumkarbid-Wafer haben vielfältige Anwendungsmöglichkeiten.

1. Leistungselektronische Bauelemente: werden zur Herstellung von hocheffizienten Leistungs-MOSFETs, IGBTs und anderen Bauelementen verwendet, die in der Leistungsumwandlung und in Elektrofahrzeugen weit verbreitet sind.

2. HF-Bauelemente: In Kommunikationsgeräten kann SiC in Hochfrequenzverstärkern und HF-Leistungsverstärkern eingesetzt werden.

3. Fotoelektrische Bauelemente: wie z. B. SIC-basierte LEDs, insbesondere für Anwendungen im blauen und ultravioletten Bereich.

4. Sensoren: Aufgrund seiner hohen Temperatur- und Chemikalienbeständigkeit können SiC-Substrate zur Herstellung von Hochtemperatursensoren und für andere Sensoranwendungen verwendet werden.

5. Militär und Luft- und Raumfahrt: Aufgrund seiner hohen Temperaturbeständigkeit und hohen Festigkeitseigenschaften eignet es sich für den Einsatz in extremen Umgebungen.

Zu den Hauptanwendungsgebieten des 6H-N Typ 2 "SIC"-Substrats gehören Elektrofahrzeuge, Hochspannungsübertragungs- und -umwandlungsstationen, Haushaltsgeräte, Hochgeschwindigkeitszüge, Motoren, Photovoltaik-Wechselrichter, Impulsstromversorgungen usw.

XKH kann in verschiedenen Dicken nach Kundenwunsch gefertigt werden. Unterschiedliche Oberflächenrauheiten und Polierverfahren sind verfügbar. Verschiedene Dotierungsarten (z. B. Stickstoffdotierung) werden unterstützt. Die Standardlieferzeit beträgt je nach Anpassung 2–4 Wochen. Antistatische Verpackungsmaterialien und stoßdämpfender Schaumstoff gewährleisten die Sicherheit des Substrats. Verschiedene Versandoptionen stehen zur Verfügung, und Kunden können den Logistikstatus in Echtzeit anhand der bereitgestellten Sendungsnummer verfolgen. Wir bieten technischen Support und Beratungsleistungen, um sicherzustellen, dass Kunden Probleme während der Anwendung lösen können.

Detailliertes Diagramm

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