2 Zoll Sic-Siliziumkarbid-Substrat 6H-N Typ 0,33 mm 0,43 mm doppelseitiges Polieren Hohe Wärmeleitfähigkeit geringer Stromverbrauch
Im Folgenden sind die Eigenschaften von 2-Zoll-Siliziumkarbid-Wafer
1. Härte: Die Mohshärte beträgt etwa 9,2.
2. Kristallstruktur: hexagonale Gitterstruktur.
3. Hohe Wärmeleitfähigkeit: Die Wärmeleitfähigkeit von SiC ist viel höher als die von Silizium, was einer effektiven Wärmeableitung förderlich ist.
4. Große Bandlücke: Die Bandlücke von SiC beträgt etwa 3,3 eV und ist für Anwendungen bei hohen Temperaturen, hohen Frequenzen und hoher Leistung geeignet.
5. Durchbruchselektronenfeld und Elektronenbeweglichkeit: Hohes Durchbruchselektronenfeld und hohe Elektronenbeweglichkeit, geeignet für effiziente Leistungselektronikgeräte wie MOSFETs und IGBTs.
6. Chemische Stabilität und Strahlungsbeständigkeit: Geeignet für raue Umgebungen wie Luft- und Raumfahrt und Landesverteidigung. Hervorragende chemische Beständigkeit, Säure, Alkali und andere chemische Lösungsmittel.
7. Hohe mechanische Festigkeit: Hervorragende mechanische Festigkeit in Umgebungen mit hohen Temperaturen und hohem Druck.
Es kann in großem Umfang in elektronischen Geräten mit hoher Leistung, hoher Frequenz und hohen Temperaturen eingesetzt werden, wie etwa in Ultraviolett-Fotodetektoren, Photovoltaik-Wechselrichtern, PCUs für Elektrofahrzeuge usw.
2-Zoll-Siliziumkarbid-Wafer haben mehrere Anwendungen.
1. Leistungselektronische Geräte: werden zur Herstellung hocheffizienter Leistungs-MOSFETs, IGBTs und anderer Geräte verwendet, die häufig in der Stromumwandlung und in Elektrofahrzeugen eingesetzt werden.
2. HF-Geräte: In Kommunikationsgeräten kann SiC in Hochfrequenzverstärkern und HF-Leistungsverstärkern verwendet werden.
3. Photoelektrische Geräte: wie SIC-basierte LEDs, insbesondere in blauen und ultravioletten Anwendungen.
4. Sensoren: Aufgrund ihrer hohen Temperatur- und Chemikalienbeständigkeit können SiC-Substrate zur Herstellung von Hochtemperatursensoren und anderen Sensoranwendungen verwendet werden.
5. Militär und Luft- und Raumfahrt: Aufgrund seiner hohen Temperaturbeständigkeit und hohen Festigkeitseigenschaften für den Einsatz in extremen Umgebungen geeignet.
Zu den Hauptanwendungsgebieten des 6H-N Typ 2"-SIC-Substrats zählen Fahrzeuge mit neuer Energie, Hochspannungsübertragungs- und -umspannstationen, Haushaltsgeräte, Hochgeschwindigkeitszüge, Motoren, Photovoltaik-Wechselrichter, Impulsstromversorgung und so weiter.
XKH kann je nach Kundenwunsch in verschiedenen Dicken gefertigt werden. Verschiedene Oberflächenrauheiten und Polierverfahren stehen zur Verfügung. Verschiedene Dotierungen (z. B. Stickstoffdotierung) werden unterstützt. Die Standardlieferzeit beträgt je nach Anpassung 2–4 Wochen. Die Verwendung antistatischer Verpackungsmaterialien und antiseismischer Schaumstoffe gewährleistet die Sicherheit des Substrats. Verschiedene Versandoptionen stehen zur Verfügung, und Kunden können den Status der Logistik in Echtzeit über die bereitgestellte Trackingnummer verfolgen. Wir bieten technischen Support und Beratung an, um sicherzustellen, dass Kunden Probleme während der Nutzung lösen können.
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