12 Zoll Dia300x1,0 mm Saphir-Wafer-Substrat C-Plane SSP/DSP
Marktsituation für 12-Zoll-Saphirsubstrate
Derzeit gibt es für Saphir zwei Hauptverwendungszwecke: zum einen als Substratmaterial, das hauptsächlich als LED-Substratmaterial verwendet wird, und zum anderen als Zifferblattmaterial, in der Luftfahrt, der Raumfahrt und als spezielles Fenstermaterial für die Herstellung.
Obwohl neben Saphir auch Siliziumkarbid, Silizium und Galliumnitrid als Substrate für LEDs verfügbar sind, ist eine Massenproduktion aufgrund der Kosten und einiger ungelöster technischer Engpässe immer noch nicht möglich. Durch die technische Entwicklung des Saphirsubstrats in den letzten Jahren wurden seine Gitteranpassung, elektrische Leitfähigkeit, mechanischen Eigenschaften, Wärmeleitfähigkeit und andere Eigenschaften erheblich verbessert und verbessert, was zu einem erheblichen Kostenvorteil führt. Daher ist Saphir zum ausgereiftesten und stabilsten Substratmaterial in der LED-Industrie geworden und wird auf dem Markt häufig verwendet, wobei der Marktanteil bei bis zu 90 % liegt.
Charakteristik des 12-Zoll-Saphir-Wafer-Substrats
1. Saphirsubstratoberflächen weisen eine extrem niedrige Partikelanzahl auf: weniger als 50 Partikel mit einer Größe von 0,3 Mikrometern oder mehr pro 2 Zoll im Größenbereich von 2 bis 8 Zoll, und die Hauptmetalle (K, Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn) liegen unter 2E10/cm2. Auch das 12-Zoll-Basismaterial dürfte diese Qualität erreichen.
2. Kann als Trägerwafer für den 12-Zoll-Halbleiterherstellungsprozess (In-Device-Transportpaletten) und als Substrat zum Bonden verwendet werden.
3. Kann die Form konkaver und konvexer Oberflächen steuern.
Material: Hochreiner Einkristall Al2O3, Saphir-Wafer.
LED-Qualität, keine Blasen, Risse, Zwillinge, Linien, keine Farbe usw.
12-Zoll-Saphir-Wafer
| Orientierung | C-Ebene<0001> +/- 1 Grad. |
| Durchmesser | 300,0 +/-0,25 mm |
| Dicke | 1,0 +/-25 µm |
| Kerbe | Kerbe oder flach |
| TTV | <50 µm |
| BOGEN | <50 µm |
| Kanten | Schutzfase |
| Vorderseite – poliert 80/50 | |
| Lasermarkierung | Keiner |
| Verpackung | Einzelwafer-Trägerbox |
| Vorderseite Epi-ready poliert (Ra <0,3nm) | |
| Rückseite Epi-ready poliert (Ra <0,3nm) | |
Detailliertes Diagramm
