12 Zoll Dia300x1,0 mm Saphir-Wafersubstrat C-Plane SSP/DSP

Kurze Beschreibung:

Mit der Entwicklung von Wissenschaft und Technologie sind neue Anforderungen an Größe und Qualität von Saphirkristallmaterialien entstanden. Mit der rasanten Entwicklung der Halbleiterbeleuchtung und anderer neuer Anwendungen wächst der Markt für kostengünstige, hochwertige und große Saphirkristalle dramatisch.

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Marktsituation für 12-Zoll-Saphirsubstrate

Saphir hat derzeit zwei Hauptverwendungszwecke: zum einen als Substratmaterial, das hauptsächlich als LED-Substratmaterial dient, und zum anderen als Zifferblattmaterial, in der Luftfahrt und Raumfahrt sowie als spezielles Fenstermaterial für die Herstellung.

Obwohl neben Saphir auch Siliziumkarbid, Silizium und Galliumnitrid als Substrate für LEDs verfügbar sind, ist eine Massenproduktion aufgrund von Kosten und ungelösten technischen Engpässen bisher nicht möglich. Saphirsubstrate wurden durch die technische Entwicklung der letzten Jahre hinsichtlich Gitteranpassung, elektrischer Leitfähigkeit, mechanischen Eigenschaften, Wärmeleitfähigkeit und anderen Eigenschaften deutlich verbessert und verbessert. Der Kostenvorteil ist erheblich, sodass Saphir zum ausgereiftesten und stabilsten Substratmaterial in der LED-Industrie geworden ist und breite Anwendung findet, wobei der Marktanteil bei bis zu 90 % liegt.

Charakteristik des 12-Zoll-Saphir-Wafer-Substrats

1. Saphirsubstratoberflächen weisen eine extrem niedrige Partikelanzahl auf: weniger als 50 Partikel mit einer Größe von 0,3 Mikrometern oder mehr pro 2 Zoll im Größenbereich von 2 bis 8 Zoll. Die Partikelanzahl wichtiger Metalle (K, Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn) liegt unter 2E10/cm². Auch das 12-Zoll-Basismaterial dürfte diese Qualität erreichen.
2. Kann als Trägerwafer für den 12-Zoll-Halbleiterherstellungsprozess (In-Device-Transportpaletten) und als Substrat zum Bonden verwendet werden.
3. Kann die Form konkaver und konvexer Oberflächen steuern.
Material: Hochreiner Einkristall Al2O3, Saphir-Wafer.
LED-Qualität, keine Blasen, Risse, Zwillinge, Linien, keine Farbe usw.

12-Zoll-Saphir-Wafer

Orientierung	C-Ebene<0001> +/- 1 Grad.
Durchmesser	300,0 +/-0,25 mm
Dicke	1,0 +/-25 µm
Kerbe	Kerbe oder flach
TTV	<50 µm
BOGEN	<50 µm
Kanten	Schutzfase
Vorderseite – poliert 80/50
Lasermarkierung	Keiner
Verpackung	Einzel-Wafer-Trägerbox
Vorderseite Epi-ready poliert (Ra <0,3nm)
Rückseite Epi-ready poliert (Ra <0,3nm)