Ti/Cu-metallbeschichteter Siliziumwafer (Titan/Kupfer)

Abbildung eines mit Titan/Kupfer beschichteten Siliziumwafers (Ti/Cu-Metallbeschichtung)

Kurzbeschreibung:

UnserTi/Cu-metallbeschichtete Siliziumwaferverfügen über ein hochwertiges Silizium- (oder optional Glas-/Quarz-) Substrat, das mit einerTitan-Haftschichtund einKupferleitschichtVerwendungStandard-Magnetron-SputternDie Ti-Zwischenschicht verbessert die Haftung und die Prozessstabilität deutlich, während die Cu-Deckschicht eine niederohmige, gleichmäßige Oberfläche bietet, die ideal für elektrische Schnittstellen und die nachfolgende Mikrofertigung geeignet ist.

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Merkmale

Detailliertes Diagramm

Ti/Cu-metallbeschichteter Siliziumwafer (Titan/Kupfer)6

Überblick

Diese Wafer wurden sowohl für Forschungs- als auch für Pilotanwendungen entwickelt und sind in verschiedenen Größen und Widerstandsbereichen erhältlich. Sie bieten flexible Anpassungsmöglichkeiten hinsichtlich Dicke, Substrattyp und Beschichtungskonfiguration.

Hauptmerkmale

Starke Haftung und ZuverlässigkeitDie Ti-Bindungsschicht verbessert die Haftung des Films auf Si/SiO₂ und erhöht die Robustheit bei der Handhabung.
Oberfläche mit hoher LeitfähigkeitDie Kupferbeschichtung gewährleistet eine hervorragende elektrische Leistung der Kontakte und Teststrukturen.
Breites AnpassungsspektrumWafergröße, spezifischer Widerstand, Orientierung, Substratdicke und Schichtdicke sind auf Anfrage erhältlich.
prozessfertige Substrate: kompatibel mit gängigen Labor- und Fertigungsabläufen (Lithographie, Galvanisierung, Messtechnik usw.)
Verfügbare MaterialreihenNeben Ti/Cu bieten wir auch mit Gold, Platin, Aluminium, Nickel und Silber beschichtete Wafer an.

Typischer Aufbau und Ablagerung

StapelSubstrat + Ti-Haftschicht + Cu-Beschichtungsschicht
StandardprozessMagnetron-Sputtern
Optionale ProzesseThermische Verdampfung / Galvanisierung (für größere Kupferschichten)

Mechanische Eigenschaften von Quarzglas

Artikel	Optionen
Wafergröße	2", 4", 6", 8"; 10×10 mm; kundenspezifische Würfelgrößen
Leitfähigkeitstyp	P-Typ / N-Typ / Intrinsisch hochohmig (Un)
Orientierung	<100>, <111> usw.
Widerstand	<0,0015 Ω·cm; 1–10 Ω·cm; >1000–10000 Ω·cm
Dicke (µm)	2": 200/280/400/500; 4": 450/500/525; 6: 625/650/675; 8: 650/700/725/775; benutzerdefiniert
Substratmaterialien	Silizium; optional Quarz, BF33-Glas usw.
Filmdicke	10 nm / 50 nm / 100 nm / 150 nm / 300 nm / 500 nm / 1 µm (anpassbar)
Metallfilmoptionen	Ti/Cu; auch Au, Pt, Al, Ni, Ag verfügbar

Ti/Cu-metallbeschichteter Siliziumwafer (Titan/Kupfer)4

Anwendungen

Ohmscher Kontakt und leitfähige Substratefür Geräteentwicklung und elektrische Prüfungen
Keimschichten für die Galvanisierung(RDL, MEMS-Strukturen, dicke Kupferschicht)
Sol-Gel- und Nanomaterial-Wachstumssubstratefür die Nano- und Dünnschichtforschung
Mikroskopie und Oberflächenmetrologie(SEM/AFM/SPM-Probenpräparation und -Messung)
Bio-/chemische Oberflächenwie z. B. Zellkulturplattformen, Protein-/DNA-Microarrays und Reflektometrie-Substrate

FAQ (Ti/Cu metallbeschichtete Siliziumwafer)

Frage 1: Warum wird unter der Kupferbeschichtung eine Ti-Schicht verwendet?
A: Titan funktioniert alsHaftschichtDadurch wird die Haftung des Kupfers am Substrat verbessert und die Stabilität der Grenzfläche erhöht, was dazu beiträgt, Ablösen oder Delaminieren während der Handhabung und Verarbeitung zu reduzieren.

Frage 2: Wie sieht die typische Ti/Cu-Schichtdickenkonfiguration aus?
A: Häufige Kombinationen umfassenTi: einige zehn Nanometer (z. B. 10–50 nm)UndCu: 50–300 nmfür gesputterte Schichten. Dickere Cu-Schichten (im µm-Bereich) werden häufig durch folgende Verfahren erzielt:Galvanisierung auf einer gesputterten Cu-Keimschicht, abhängig von Ihrer Anwendung.

Frage 3: Können Sie beide Seiten des Wafers beschichten?
A: Ja.Einseitige oder doppelseitige BeschichtungIst auf Anfrage erhältlich. Bitte geben Sie Ihre Anforderungen bei der Bestellung an.

Über uns

XKH ist spezialisiert auf die Entwicklung, Produktion und den Vertrieb von Spezialglas und neuen Kristallmaterialien. Unsere Produkte finden Anwendung in der Optoelektronik, der Unterhaltungselektronik und im Militärbereich. Wir bieten optische Saphirkomponenten, Objektivabdeckungen für Mobiltelefone, Keramik, LT, Siliziumkarbid (SiC), Quarz und Halbleiterkristallwafer an. Dank unserer Expertise und modernster Ausrüstung zeichnen wir uns durch die Fertigung von Sonderanfertigungen aus und streben die Position eines führenden Hightech-Unternehmens für optoelektronische Materialien an.