TGV-Glassubstrate 12-Zoll-Wafer Glasstanzen
Glassubstrate weisen bessere thermische Eigenschaften und eine höhere physikalische Stabilität auf, sind hitzebeständiger und weniger anfällig für Verformungen oder Deformationen aufgrund hoher Temperaturen.
Darüber hinaus ermöglichen die einzigartigen elektrischen Eigenschaften des Glaskerns geringere dielektrische Verluste, was eine klarere Signal- und Energieübertragung gewährleistet. Dadurch werden die Leistungsverluste bei der Signalübertragung reduziert und die Gesamteffizienz des Chips deutlich gesteigert. Die Dicke des Glaskernsubstrats kann im Vergleich zu ABF-Kunststoff um etwa die Hälfte reduziert werden, wodurch die Signalübertragungsgeschwindigkeit und die Energieeffizienz verbessert werden.
Lochformungstechnologie des TGV:
Die laserinduzierte Ätzmethode erzeugt mittels gepulstem Laser eine kontinuierliche Denaturierungszone. Anschließend wird das laserbehandelte Glas in Flusssäurelösung geätzt. Die Ätzrate des denaturierten Glases in Flusssäure ist höher als die von nicht denaturiertem Glas, wodurch durchgehende Löcher entstehen.
TGV-Füllung:
Zunächst werden TGV-Sacklöcher hergestellt. Anschließend wird die Keimschicht mittels physikalischer Gasphasenabscheidung (PVD) in die TGV-Sacklöcher aufgebracht. Danach wird durch galvanische Beschichtung von unten nach oben eine nahtlose Füllung der TGV erreicht. Abschließend wird durch temporäres Bonden, Rückschleifen, chemisch-mechanisches Polieren (CMP) zur Freilegung des Kupfers und anschließendes Ablösen eine mit TGV-Metall gefüllte Transferplatte gebildet.
Detailliertes Diagramm



